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本发明提供一种减小FinFET随机静态存储器阈值电压失配的结构，分别包括单元A和单元B的第一至第四单元；单元A和单元B分别包括：第一至第三Fin结构；第一至第三Fin结构设有第一栅极；单元B的第一栅极一端通过其第一栅极金属与单元A中靠近其第...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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