半导体结构及其形成方法技术

方法包括：蚀刻衬底以形成开口；沉积延伸至开口中的第一介电衬垫；以及在第一介电衬垫上方沉积第二介电衬垫。第二介电衬垫延伸至开口中。将导电材料填充至开口中。方法还包括：实施第一平坦化工艺以平坦化导电材料，使得导电材料的在开口中的部分形成通孔；对衬底实施背侧研磨工艺，直至通孔从衬底的背侧露出；以及在衬底的背侧上形成导电部件。导电部件电连接至通孔。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。形成方法。形成方法。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]硅通孔(TSV)用作器件管芯中的电路径，从而可以互连器件管芯相对侧上的导电部件。

技术实现思路

[0003]本申请的一些实施例提供了一种形成半导体结构的方法，包括：蚀刻衬底以形成开口；沉积延伸至所述开口中的第一介电衬垫；在所述第一介电衬垫上方沉积第二介电衬垫，其中，所述第二介电衬垫延伸至所述开口中；将导电材料填充至所述开口中；实施第一平坦化工艺以平坦化所述导电材料，其中，所述导电材料的在所述开口中的部分形成通孔；对所述衬底实施背侧研磨工艺，直至所述通孔从所述衬底的背侧露出；以及在所述衬底的所述背侧上形成导电部件，其中，所述导电部件电连接至所述通孔。
[0004]本申请的另一些实施例提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一导电部件，位于所述半导体衬底的第一侧上；第二导电部件，位于所述半导体衬底的第二侧上；通孔，穿透所述半导体衬底，其中，所述通孔电互连所述第一导电部件和所述第二导电部件；第一介电衬垫，围绕所述通孔；以及第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体结构的方法，包括：蚀刻衬底以形成开口；沉积延伸至所述开口中的第一介电衬垫；在所述第一介电衬垫上方沉积第二介电衬垫，其中，所述第二介电衬垫延伸至所述开口中；将导电材料填充至所述开口中；实施第一平坦化工艺以平坦化所述导电材料，其中，所述导电材料的在所述开口中的部分形成通孔；对所述衬底实施背侧研磨工艺，直至所述通孔从所述衬底的背侧露出；以及在所述衬底的所述背侧上形成导电部件，其中，所述导电部件电连接至所述通孔。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一介电衬垫具有比所述第二介电衬垫更好的水分隔离能力。3.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一介电衬垫使用等离子体增强化学汽相沉积来实施。4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一介电衬垫包括沉积氮化硅，并且沉积所述第二介电衬垫包括沉积氧化硅。5.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积所述第一介电衬垫包括沉积碳化硅，并且沉积所述第二介电衬垫包括沉积氧化硅。6.根据权利要求1所述的方法，还包括：在蚀刻所述衬底之前：在所述衬底上方沉积多个低k介电层；在所述多个低k介电层上方沉积钝化层；以及蚀刻所述钝化层和所述多个低k介电层以形成额外的开口，其中，所述开口连接至所述衬底中的所述开口以形成连续开口。7.根据权利要求1所述的方法，还包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈明发，王钦世，史朝文，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：