半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于基底上，然后形成一接触洞于第一金属间介电层内，形成一下电极层于接触洞内，形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于下电极层上，再去除MTJ堆叠结构以形成一MTJ于一下电极上，其中下电极突出于第一金属间介电层顶部。电极突出于第一金属间介电层顶部。电极突出于第一金属间介电层顶部。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)及其制作方法。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等资讯。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，各向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成第一金属间介电层于基底上；形成接触洞于该第一金属间介电层内；形成下电极层于该接触洞内；形成磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)堆叠结构于该下电极层上；以及去除该磁性隧道结堆叠结构及该下电极层以形成磁性隧道结于下电极上。2.如权利要求1所述的方法，另包含：形成第二金属间介电层于该基底上；形成金属内连线于该第二金属间介电层内；形成该第一金属间介电层于该第二金属间介电层上；以及形成该接触洞于该第一金属间介电层内并暴露该金属内连线。3.如权利要求1所述的方法，另包含在形成该下电极层之前形成衬垫层于该接触洞内。4.如权利要求3所述的方法，其中该衬垫层以及该下电极包含不同材料。5.如权利要求3所述的方法，其中该衬垫层包含钛。6.如权利要求3所述的方法，另包含：形成上电极层于该磁性隧道结堆叠结构上；以及去除该上电极层、该磁性隧道结堆叠结构、该下电极层以及该衬垫层以形成上电极以及该磁性隧道结于该下电极上。7.如权利要求1所述的方法，其中该下电极突出于该第一金属间介电层顶部。8.如权利要求1所述的方法，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱劲砚，蔡纬撰，黄信富，易延才，柯贤文，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：