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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一第一金属间介电层于基底上，然后形成一接触洞于第一金属间介电层内，形成一下电极层于接触洞内，形成一磁性隧道结(magnetic tunneling junction...
该专利属于联华电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司授权不得商用。

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