在半导体衬底上的三维结构中填充间隙的方法技术

本申请涉及在半导体衬底上方的三维结构中填充间隙。该方法可以包括使用利用具有第一频率的第一射频(RF)功率激活的至少一种反应气体将薄膜至少沉积在衬底上方的三维结构上，所述三维结构包括沟槽和/或孔。该方法还可以包括使用利用具有小于第一频率的第二频率的第二RF功率激活的至少一种蚀刻剂蚀刻沉积的薄膜。该方法还可以包括重复至少一次沉积和蚀刻的循环，直到沟槽和/或孔被薄膜填充。根据一些实施例，可以在三维结构中形成基本上没有空隙和/或接缝的薄膜。隙和/或接缝的薄膜。隙和/或接缝的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
在半导体衬底上的三维结构中填充间隙的方法
[0001]相关申请的引用
[0002]本申请要求于2020年4月24日提交的美国临时申请号63/014,916的优先权，其全部内容通过引用并入本文。


[0003]本公开总体上涉及半导体器件制造领域，并且更具体地，涉及用于填充半导体衬底上的诸如沟槽或孔的三维结构中的间隙的方法。

技术介绍

[0004]在高长宽比的沟槽或孔内沉积薄膜对于半导体制造领域(例如在间隙填充工艺中)很有用。利用诸如原子层沉积(ALD)、等离子体增强原子层沉积(PEALD)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等方法，可以将薄膜直接沉积在三维(3D)结构中，例如高长宽比孔内。已经注意到，在高长宽比结构中沉积薄膜时，会至少在沟槽或孔的上部上形成悬垂或凸出部分。因此，沟槽或孔的上部可能首先被薄膜填充，并且沟槽的间隙从顶部闭合，使得在沟槽的中部中产生一些空隙和/或接缝。类似地，在沟槽具有负斜率的情况下，其中沟槽的上部的宽度较小，而沟槽的下部的宽度较大，沟槽的上部可能也首先填充薄膜，且沟槽的间隙从顶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在半导体衬底上的三维结构中填充间隙的方法，所述方法包括：使用至少一种反应气体将薄膜沉积到所述三维结构上，所述至少一种反应气体利用具有第一频率的第一射频(RF)功率激活，其中所述三维结构包括沟槽和/或孔；以及使用至少一种蚀刻剂蚀刻所沉积的薄膜，所述至少一种蚀刻剂利用具有小于所述第一频率的第二频率的第二RF功率激活。2.如权利要求1所述的方法，还包括重复至少一次所述沉积和所述蚀刻的循环，直到所述沟槽和/或孔被所述薄膜填充。3.如权利要求1所述的方法，其中所述反应气体包括氧气。4.如权利要求3所述的方法，其中所述反应气体包括O2、O3、H2O、NO2、N2O中的至少一个，或其组合。5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一频率在约100kHz至约3,000MHz的范围内。6.如权利要求5所述的方法，其中所述第一频率在约27.12MHz至约100MHz的范围内。7.如权利要求1所述的方法，其中所述第一RF功率在约500瓦至约3,000瓦的范围内。8.如权利要求1所述的方法，其中所述第二频率在约100kHz至约5,000kHz的范围内。9.如权利要求1所述的方法，其中所述第二RF功率在约100瓦至约500瓦的范围内。10.如权利要求1所述的方法，其中所述第一频率在约27.12MHz至约100MHz的范围内，且其中所述第二频率在约100kHz至约5,000kHz的范围内。11.如权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻剂包括氟。12.如权利要求11所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：金基康，权学龙，金熙哲，姜成圭，李承桓，金成培，JH安，SR金，KM金，YM金，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：