半导体装置、集成晶片与其形成方法制造方法及图纸

本揭示内容是关于一种包括半导体装置、集成晶片与其形成方法。半导体装置包括上伏于第一基板的正面的栅极结构。第一基板具有与正面相对的背面。第一源极/漏极结构上伏于第一基板并且在横向上与栅极结构相邻。电力轨嵌入在第一基板中，并直接位于第一源极/漏极结构下方。第一源极/漏极触点自第一源极/漏极结构连续地延伸至电力轨。第一源极/漏极触点将第一源极/漏极结构电耦合至电力轨。源极/漏极结构电耦合至电力轨。源极/漏极结构电耦合至电力轨。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置、集成晶片与其形成方法


[0001]本揭示内容是关于一种半导体装置、集成晶片与其形成方法。

技术介绍

[0002]现代集成晶片含有数百万个半导体装置。半导体装置经由形成在集成晶片上的装置上方及/或下方的金属互连层电互连。典型的集成晶片包含多个金属互连层，这些金属互连层包括与金属通孔垂直耦合在一起的不同尺寸的金属线。

技术实现思路

[0003]在本揭示内容的一些实施例中，一种半导体装置包含：上伏于第一基板的正面的栅极结构，其中第一基板具有与正面相对的背面；上伏于第一基板并且在横向上与栅极结构相邻的第一源极/漏极结构；嵌入在第一基板中并直接位于第一源极/漏极结构下方的电力轨；及自第一源极/漏极结构连续地延伸至电力轨的第一源极/漏极触点，其中第一源极/漏极触点将第一源极/漏极结构电耦合至电力轨。
[0004]在本揭示内容的一些实施例中，一种集成晶片包含：具有与背面相对的正面的第一基板；上伏于第一基板的正面的第一场效晶体管(field
‑
effect transistor；FET)；上伏于第一基板的正本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：一栅极结构，上伏于一第一基板的一正面上，其中该第一基板具有与该正面相对的一背面；一第一源极/漏极结构，上伏于该第一基板并且在横向上与该栅极结构相邻；一电力轨，嵌入在该第一基板中并直接位于该第一源极/漏极结构下方；及一第一源极/漏极触点，自该第一源极/漏极结构连续地延伸至该电力轨，其中该第一源极/漏极触点将该第一源极/漏极结构电耦合至该电力轨。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该第一源极/漏极结构沿该第一源极/漏极触点的相对侧壁连续地延伸。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，该第一源极/漏极触点的一顶表面与该第一源极/漏极结构的一顶表面垂直对准。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：一下绝缘结构，设置在该第一基板与该第一源极/漏极结构之间，其中该第一源极/漏极触点连续地延伸穿过该下绝缘结构至该电力轨的一顶表面。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该电力轨的一顶表面与该第一基板的该正面垂直对齐。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：一第二源极/漏极结构，在横向上与该栅极结构相邻并且直接上伏于该电力轨，其中该第一源极/漏极结构及该第二源极/漏极结构分别设置在该栅极结构的相对侧上。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：一第一互连结构，上伏于该第一基板的该正面，其中该第一互连结构包含设置在一互连介电结构内的多个导电通孔，其中所述多个导电通孔中的一第一导电通孔直接接触该第二源极/漏极结构，并且其中该互连介电结构沿该第一源极/漏极结构的一顶表面连续地延伸。8.一种集成晶片，其特征在于，包含：一第一基板，具有与一背面相对的一正面；一第一场效晶体管(field
‑
effect transistors；FET)，上...

【专利技术属性】
技术研发人员：马库斯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：