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本揭示内容是关于一种包括半导体装置、集成晶片与其形成方法。半导体装置包括上伏于第一基板的正面的栅极结构。第一基板具有与正面相对的背面。第一源极/漏极结构上伏于第一基板并且在横向上与栅极结构相邻。电力轨嵌入在第一基板中，并直接位于第一源极/漏...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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