【技术实现步骤摘要】
硅基扇出型封装布线方法
[0001]本专利技术涉及半导体封装
，具体公开了一种硅基扇出型封装布线方法。
技术介绍
[0002]数十年来，半导体工艺已经将芯片中晶体管线宽从数十微米逐步降低到几个纳米级别，遵从著名的摩尔定律，大约每18个月，芯片中晶体管密度就会翻一番。但与此同时，设计和制造成本不断上升，改进空间逐渐缩小，再加上许多其它困难，阻碍着半导体进一步的发展。此外，随着单个芯片中晶体管密度不断增加，芯片连接也出现了一些问题，例如I/O引脚数量以及芯片间互连的速度都出现了局限。这些限制在需要大量高带宽内存的应用中尤其成问题。为了解决这些问题并继续提高器件密度，先进封装显得尤为重要。
[0003]其中一种先进封装技术就是扇出型封装，将芯片放置并固定在挖好槽的基板上，利用材料将其密封，在这个表面上进行多层再布线，并制作焊球，最后切割、分离、封装。由此可以实现多芯片集成。硅基扇出封装是一种使用硅基板作为载体的扇出型封装方式，优点是易于实现异质集成，工艺简单，兼容性好等等，还可以与TSV技术结合实现高密度三维集成。在...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅基扇出型封装布线方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S12：将待封装芯片埋入硅基板的凹槽内，在所述芯片的侧面与所述凹槽的侧壁之间的间隙填充间隙介质层；步骤S13：在所述硅基板上形成介质层；步骤S14：在所述介质层上形成金属层；步骤S15：以金属层为掩膜，利用双大马士革镶嵌工艺；依次重复步骤S13
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S15 n次，在所述介质层内形成n层布线，其中，n≥1，每一层布线均与所述芯片上不同位置处的焊盘或与所述硅基板不同位置连接。2.如权利要求1所述的硅基扇出型封装布线方法，其特征在于，步骤S15包括以下步骤：在所述金属层表面刻蚀开孔，所述开孔的位置与所述芯片的焊盘位置或所述硅基板上待连接的位置对应；以所述金属层为掩膜刻蚀所述介质层，且刻蚀深度小于所述介质层的厚度；在所述金属层的表面刻蚀形成布线图形，所述布线图形与所述开孔连通；以所述金属层为掩膜再次刻蚀所述介质层，直至暴露所述开孔位置对应的芯片表面，以在所述介质层内形成布线沟槽；去除所述金属层；在所述布线沟槽的内表面形成金属种子层，并在所述布线沟槽内填充金属，平坦化处理，形成一层布线。3.如权利要求1所述的硅基扇出型封装布线方法，其特征在于，将待封装芯片埋入所述硅基板的凹槽内的步骤包括：通过有机粘合材料将所述芯片埋入所述凹槽内...
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