半导体结构及其形成方法技术

该发明专利技术涉及半导体封装制程领域，公开了一种半导体结构及其形成方法。该形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有显露的导电结构；在所述半导体衬底和所述显露的导电结构的表面形成钝化层；刻蚀所述钝化层以形成凹孔，所述凹孔的底部暴露出所述导电结构的一端；在所述凹孔表面形成黏附层；进行刻蚀，以形成所述凹孔底部内的孔洞。本发明专利技术改进金属层接触面的结构工艺，将金属层与钝化层凹孔底部孔洞作为金属热膨胀时的缓冲，来控制化学机械工艺中背面通孔显露装置的稳定性，从而使得封装后半导体结构的性能改善、可靠性增强。可靠性增强。可靠性增强。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装制程领域，具体涉及一种半导体结构及其形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路器件特征尺寸的不断缩小，对半导体封装制程技术的要求也在不断提高。现有的硅通孔封装技术是通过在芯片和芯片之间制作垂直导通，实现芯片和芯片之间互连，该技术能够使芯片在三维方向堆叠的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善了芯片速度和低功耗的性能。
[0003]在硅通孔封装技术的制造流程中，涉及到晶圆异键合制成，其需要控制金属层接触面的深度在1至5纳米，对现有工艺技术要求极高，非常难控制。当金属层深度过深，金属之间会出现断路，无法接通；当金属层深度过浅，金属层由键合面挤压，造成键合分离或是与邻近的金属层短路。因此，如何控制化学机械工艺中背面通孔显露装置的稳定性，避免当化学机械平坦化时，出现金属层深度过深的断路问题以及金属层深度过浅的短路问题是目前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种半导体结构及其形成方法，能够使得封装后半导体结构的性能改善、可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有显露的导电结构；在所述半导体衬底和所述显露的导电结构的表面形成钝化层；刻蚀所述钝化层以形成凹孔，所述凹孔的底部暴露出所述导电结构的一端；在所述凹孔表面形成黏附层；进行刻蚀，以形成所述凹孔底部内的孔洞。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述凹孔表面形成黏附层还包括：沿着所述凹孔的侧壁至所述凹孔底部的方向，所述黏附层的厚度逐渐减小，直至暴露出所述凹孔的侧壁。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述暴露出凹孔的侧壁的高度为1-5微米。4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述孔洞的步骤进一步包括：采用各向同性刻蚀工艺，通过刻蚀所述暴露出凹孔的侧壁形成所述孔洞，所述孔洞连续排布于所述凹孔底部四周内。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：所述孔洞的横截面的形状为圆形或者椭圆形；所述孔洞的尺寸为1至5微米。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述凹孔的尺寸为5-30微米。7...

【专利技术属性】
技术研发人员：张志伟，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：