半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为，主要先形成一第一金属内连线于一基底上，然后形成一停止层于第一金属内连线上，去除停止层以形成一第一开口，形成一电迁移增进层于第一开口内，再形成一第二金属内连线于电迁移增进层上，其中电迁移增进层顶部切齐停止层顶部。移增进层顶部切齐停止层顶部。移增进层顶部切齐停止层顶部。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种半导体元件及其制作方法，尤其是涉及一种磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory,MRAM)及其制作方法。

技术介绍

[0002]已知，磁阻(magnetoresistance,MR)效应是材料的电阻随着外加磁场的变化而改变的效应，其物理量的定义，是在有无磁场下的电阻差除上原先电阻，用以代表电阻变化率。目前，磁阻效应已被成功地运用在硬盘生产上，具有重要的商业应用价值。此外，利用巨磁电阻物质在不同的磁化状态下具有不同电阻值的特点，还可以制成磁性随机存储器(MRAM)，其优点是在不通电的情况下可以继续保留存储的数据。
[0003]上述磁阻效应还被应用在磁场感测(magnetic field sensor)领域，例如，移动电话中搭配全球定位系统(global positioning system,GPS)的电子罗盘(electronic compass)零组件，用来提供使用者移动方位等信息。目前，市场上已有各式的磁场感测技术，例如，异向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含：形成第一金属内连线于基底上；形成停止层于该第一金属内连线上；去除该停止层以形成第一开口；形成电迁移增进层于该第一开口内；以及形成第二金属内连线于该电迁移增进层上。2.如权利要求1所述的方法，另包含：形成第一金属间介电层于该基底上；形成该第一金属内连线于该第一金属间介电层内；形成该停止层于该第一金属间介电层上；形成该电迁移增进层于该第一开口内；形成第二金属间介电层于该停止层及该电迁移增进层上；形成该第二金属内连线于该电迁移增进层上；以及形成第一磁性隧道结(magnetic tunneling junction,MTJ)于该第二金属内连线上。3.如权利要求2所述的方法，另包含于形成该第二金属间介电层之前平坦化该电迁移增进层。4.如权利要求2所述的方法，另包含：形成该第二金属内连线以及第三金属内连线于该电迁移增进层上；以及形成该第一磁性隧道结于该第二金属内连线上以及第二磁性隧道结于该第三金属内连线上。5.如权利要求4所述的方法，另包含：去除该停止层以形成该第一开口以及第二开口；形成该电迁移增进层于该第一开口及该第二开口内；平坦化该电迁移增进层以形成第一电迁移增进层以及第二电迁移增进层；以及形成该第二金属内连线于该第一电迁移增进层上以及该第三金属内连线于该第二电迁移增进层上。6.如权利要求1所述的方法，其中该第一金属内连线以及该第二金属内连线包含不同材料。7.如权利要求1所述的方法，其中该第一金属内连线以及该电迁移增进层包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：王慧琳，许博凯，陈宏岳，王裕平，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：