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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法为，主要先形成一第一金属内连线于一基底上，然后形成一停止层于第一金属内连线上，去除停止层以形成一第一开口，形成一电迁移增进层于第一开口内，再形成一第二金属内连线于电迁移增进层上，...
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