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方法包括：蚀刻衬底以形成开口；沉积延伸至开口中的第一介电衬垫；以及在第一介电衬垫上方沉积第二介电衬垫。第二介电衬垫延伸至开口中。将导电材料填充至开口中。方法还包括：实施第一平坦化工艺以平坦化导电材料，使得导电材料的在开口中的部分形成通孔；对...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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