光信息记录介质用母盘的制造方法、该母盘的圆盘技术

一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括：通过曝光使具有蚀刻层（１０２）以及形成在蚀刻层（１０２）上的光致抗蚀剂层（１０３）的原盘的光致抗蚀剂层（１０３）的特定部分（１０４）的结晶状态发生变化的工序；去除特定部分（１０４）的工序；去除与在光致抗蚀剂层（１０３）的去除部分重叠的部分蚀刻层（１０２）的工序；去除光致抗蚀剂层（１０３），形成导电膜（１０５）的工序；以导电膜（１０５）作为电极进行电铸的工序；从导电膜（１０５）剥离蚀刻层（１０２）的工序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于利用干蚀刻法制作高密度光信息记录介质的光信息记录介质用母盘的制造方法、光信息记录介质用母盘的原盘及光信息记录介质。
技术介绍
随着信息设备以及映像音响设备等所要求的信息量的增大化，在数据存取的容易度、大容量数据的蓄积、设备的小型化方面优良的光盘，作为信息记录介质，引人注目，达到记录信息的高密度化。例如，作为光盘的高密度手段，提出了将用于再现信号的激光的波长设定在大约400nm，作为聚焦激光的聚光镜，采用数值孔径(NA)为0.85的再现头，单层具有25GB左右的容量的光盘。光盘，一般采用从原盘制作的母盘，通过利用注射压缩成形加工树脂进行制作。近年来，随着信息的高密度化，要求在原盘制作工序形成更小的信号坑的技术。光盘的原盘按以下制作。即，在成为基板的玻璃板上，涂布光致抗蚀剂，通过根据应记录的信号而进行强度调制后的激光，对光致抗蚀剂进行曝光。然后，通过显影光致抗蚀剂的感光部分，在光致抗蚀剂上得到凹凸状的信号坑，完成原盘。图5是表示曝光以往的光致抗蚀剂，在原盘上制作信号坑时的原盘的信号坑部分的剖面图。由于光致抗蚀剂的曝光部分和其周围的部分的曝光量连续变化，所以显影时的残膜量也在曝光的坑的周边连续变化。因此，通过利用激光曝光并显影，在基板10上的光致抗蚀剂9，如图5(a)所示，边缘部分形成斜面，形成其底面达到基板10的形状正常的信号坑11。另外，要制造蓝色射线光盘这样的高密度的光信息记录介质，为减小形成在原盘上的坑，需要缩小激光的聚焦点的尺寸。图5(b)表示缩小激光的聚焦点的尺寸时的剖面图，但不能形成正常的信号坑，如图5(b)所示，底面未达到基板10，形成只由边缘部分构成的信号坑12的形状。其理由如下。即，由于在光致抗蚀剂9的被曝光的部分和其周边的部分的曝光量连续变化，在将坑径扩大到所要求的尺寸所需的曝光量中，相对于光致抗蚀剂的深度方向，未曝光到底面达到基板10，另外，在曝光到底面达到基板10的曝光量中，坑径扩大到所需以上的尺寸。对于如此的问题，作为不受信号坑周边部的连续的残膜量的变化的影响，缩小形成信号坑的一种手段，提出了在光致抗蚀剂中采用硫族化合物或含有过渡金属的无机氧化物的方法(例如，参照专利文献1)。图6(a)～(h)表示在光致抗蚀剂中采用无机氧化物即硫族化合物时的光信息记录介质用母盘的制造工序。在基板10上，作为光致抗蚀剂，形成硫族薄膜13((a)、(b))。通过进行曝光，局部升温缓冷光致抗蚀剂，形成结晶状态的部分14(图(c))。通过在曝光部和未曝光部形成不同的结晶状态，使蚀刻率不同。如此，通过利用蚀刻率的不同，有选择地显影去除非晶态部分或结晶部分，能够得到不具有或充分减小连续变化的斜面状的边缘的、形成具有精密形状的凹凸状的信号坑的原盘15(图(d))。另外，在原盘15的表面，形成导电膜16(图(e))，以导电膜16作为电极，进行电铸，形成几百μm厚的金属层17(图(f))。然后，从原盘15剥离由导电膜16和金属层17构成的部分(图(g))。清洗由剥离的导电膜16和金属层17构成的部分的表面，得到作为光信息记录介质用的母盘18的制品(图(h))。在利用如此的热敏记录，用母盘18制作光盘的时候，由于能得到更精密的信号坑，与采用相同波长的激光，利用图5所示的光化学反应的信号记录的情况相比较，能够形成更微细的信号记录。专利文献1特开平10-97738号公报但是，在用专利文献1提出的方法，制作在基板上形成无机氧化物抗蚀剂的凹凸信号坑的原盘，通过电铸在金属母盘上复制形成无机氧化物抗蚀剂上的凹凸信号坑的时候，存在有时不能正确进行电铸的问题。此时，在作为形成有信号坑的无机氧化物抗蚀剂的硫族薄膜13上，形成导电膜16，以其表面作为阴极，以叠层形成在导电膜16上的金属材料作为阳极，进行电铸，通过外加电压，在硫族薄膜13产生氧化还原反应等电反应。此时，在硫族薄膜13产生裂纹、剥离等，随之破坏导电膜16，有时不能正确进行电铸。这是因为，组成容易变化的具有适合蚀刻的性能的无机氧化物，对于利用电铸等的氧化反应等而形成金属层，具有易于反应的性质。
技术实现思路
本专利技术是针对上述问题而提出的，目的是提供一种能够良好地进行电铸、能够形成微细且精密的信号坑的光信息记录介质用母盘的制造方法、光信息记录介质用母盘的原盘及光信息记录介质。为了达到上述目的，本专利技术之一一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括通过蚀刻使至少具有蚀刻层以及光致抗蚀剂层的原盘部件的上述光致抗蚀剂层的特定部分的结晶状态发生变化的工序，其中所述蚀刻层形成于蚀刻阻止层上，所述光致抗蚀剂层形成于上述蚀刻层上并且能够蚀刻；通过蚀刻，有选择地去除结晶状态变化后的上述光致抗蚀剂层的上述特定部分或上述特定部分以外的部分的工序；通过蚀刻，有选择地去除，通过去除上述光致抗蚀剂层而产生的、向外部露出的上述蚀刻层的一部分的工序；去除上述光致抗蚀剂层的残留部分，在上述蚀刻阻止层及上述蚀刻层的表面侧形成导电膜的工序；以上述导电膜作为电极进行电铸的工序；从上述导电膜剥离上述蚀刻层和上述蚀刻阻止层的工序。另外，本专利技术之二如上述之一所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层，以具有耐酸性的材料作为主成分；上述光致抗蚀剂层，以材料或组成与具有耐酸性的材料不同的无机氧化物作为主成分。本专利技术之三如上述之二所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中具有耐酸性的材料是耐酸性的树脂材料。本专利技术之四如上述之二所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层是能够用氧或含有氧的气体进行干蚀刻的树脂层。本专利技术之五如上述之二所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层由以丙烯酸或聚酰亚胺为主成分的材料形成。本专利技术之六如上述之二所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻阻止层由Si、SiO2、ZnSiO2、SiN中的任何一种材料形成。本专利技术之七如上述之二所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中，上述具有耐酸性的材料是耐酸性的无机氧化物。本专利技术之八如上述之七所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层，由以SiO2为主成分的材料形成；去除上述蚀刻层的蚀刻，是利用CHF系气体的干蚀刻。本专利技术之九如上述之七所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中，上述蚀刻阻止层由Si材料形成。本专利技术之十如上述之一所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层的厚度，实质上在40nm以上100nm以下。本专利技术之十一如上述之一所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述光致抗蚀剂层由半金属、半金属氧化物、半金属或半金属化合物的氧化物、半金属或半金属化合物的氮化物、过渡金属、过渡金属的氧化物、过渡金属的氮化物等中的任何一种材料形成。本专利技术之十二如上述之一所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中，上述导电膜，通过无电解镀膜形成。本专利技术之十三如上述之一所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中形成上述导电膜的工序，包括通过溅射Ni材料形成第一Ni薄膜的工序，利用O2或Ar气的等离子体处理上述第1Ni薄膜的表面的工序，在上述处理后的上述第1Ni薄膜上通过溅射Ni材料形成第2Ni薄膜的工序；从上述导电膜剥离上述蚀刻层和上述蚀刻阻止层的工序，是剥离形成上述第一Ni薄膜的层和本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括：通过蚀刻使至少具有蚀刻层以及光致抗蚀剂层的原盘部件的上述光致抗蚀剂层的特定部分的结晶状态发生变化的工序，其中所述蚀刻层形成于蚀刻阻止层上，所述光致抗蚀剂层形成于上述蚀刻层上并且能够蚀刻； 通过蚀刻，有选择地去除结晶状态变化后的上述光致抗蚀剂层的上述特定部分或上述特定部分以外的部分的工序；　通过蚀刻，有选择地去除，通过去除上述光致抗蚀剂层而产生的、向外部露出的上述蚀刻层的一部分的工序；去除上述光致抗蚀剂层的 残留部分，在上述蚀刻阻止层及上述蚀刻层的表面侧形成导电膜的工序；以上述导电膜作为电极进行电铸的工序；从上述导电膜剥离上述蚀刻层和上述蚀刻阻止层的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-9-1 2003-3084161.一种光信息记录介质用母盘的制造方法，包括通过蚀刻使至少具有蚀刻层以及光致抗蚀剂层的原盘部件的上述光致抗蚀剂层的特定部分的结晶状态发生变化的工序，其中所述蚀刻层形成于蚀刻阻止层上，所述光致抗蚀剂层形成于上述蚀刻层上并且能够蚀刻；通过蚀刻，有选择地去除结晶状态变化后的上述光致抗蚀剂层的上述特定部分或上述特定部分以外的部分的工序；通过蚀刻，有选择地去除，通过去除上述光致抗蚀剂层而产生的、向外部露出的上述蚀刻层的一部分的工序；去除上述光致抗蚀剂层的残留部分，在上述蚀刻阻止层及上述蚀刻层的表面侧形成导电膜的工序；以上述导电膜作为电极进行电铸的工序；从上述导电膜剥离上述蚀刻层和上述蚀刻阻止层的工序。2.如权利要求1所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层，以具有耐酸性的材料作为主成分；上述光致抗蚀剂层，以材料或组成与具有耐酸性的材料不同的无机氧化物作为主成分。3.如权利要求2所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中具有耐酸性的材料是耐酸性的树脂材料。4.如权利要求2所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层是能够用氧或含有氧的气体进行干蚀刻的树脂层。5.如权利要求2所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层由以丙烯酸或聚酰亚胺为主成分的材料形成。6.如权利要求2所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻阻止层由Si、SiO2、ZnSiO2、SiN中的任何一种材料形成。7.如权利要求2所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述具有耐酸性的材料是耐酸性的无机氧化物。8.如权利要求7所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层，由以SiO2为主成分的材料形成；去除上述蚀刻层的蚀刻，是利用CHF系气体的干蚀刻。9.如权利要求7所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻阻止层由Si材料形成。10.如权利要求1所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述蚀刻层的厚度，实质上在40nm以上100nm以下。11.如权利要求1所述的光信息记录介质用母盘的制造方法，其中上述光致抗蚀剂层由半金属、半金属氧化物、半金属或半金属化合物的氧化物、半金属或半金属化合物的氮化物、过渡金属、过渡金属的氧化物、过渡金属的氮化物...

【专利技术属性】
技术研发人员：富山盛央，伊藤英一，川口优子，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]