处理基片的方法和设备技术

一种基片的处理方法，通过固化用光照射由多个单个基片并且在其间放入了光可固化的粘合剂层构成的基片，并在通过光固化粘合剂层将单个基片粘合在一起的同时通过控制温度来控制基片的偏斜。控制偏斜的步骤包括求出在安装台的温度Ｔｈ和固化之前的基片的温度Ｔｄ之间的温度差ΔＴ的步骤；求出在固化之后的基片的偏斜Ｘ和目标偏斜设定值Ｘｔ之间的偏斜差ΔＸ的步骤；使用通过在温度差ΔＸ和偏斜Ｘ之间的相关性确定的比例常数Ｍ通过Ｔｃ＝ΔＴ－Ｍ×ΔＸ计算求出温度Ｔｃ的步骤；和根据温度Ｔｃ对在固化之前的基片和安装台中至少一个进行温度控制以使Ｔｃ＝Ｔｈ－Ｔｄ的步骤。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在单个基片(例如光盘基片)的粘合过程中在控制基片中产生偏斜(deflection)(翘曲或倾斜角度的大小)的同时处理基片以实现所需的偏斜的方法和设备。本申请要求2003年12月26日申请的日本专利申请No.2003-433599的优先权，在此以引用该申请的内容并入在本申请中作为参考。
技术介绍
用于DVD的光盘是公知的，其中具有记录层的两个单个基片或具有记录层的一个单个基片和没有记录层的一个单个基片或者具有记录层和片状薄膜的单个基片或者一个单个基片和另一个单个基片(在此，这些也都称为“单个基片”)通过在其间放入光可固化的粘合剂层而粘合在一起(例如，参考日本未审查的专利申请，首次公开No.Hei 5-20714)。为读出记录在光盘上的数据或将数据记录在光盘上，在旋转光盘的同时通过激光从外部照射光盘，该激光穿透光盘的透明的基片而照射记录层。因为光盘的记录密度非常高，因此激光必须以较高的精度照射记录层。如果光盘的平整性低于标准，则记录层的平整性自然也会低于标准。激光不能与预定的位置正确地对准地照射记录层，因此在写数据和读数据时会产生差错。为此，在制造光盘时，通常不能翘曲或变形，并且要保持高度的平整性。作为在光盘的制造的过程中降低这种翘曲的方法已经提出了不同的专利技术。在这些方法中，提供了这样的一种方法其中由于在单个基片的粘接的过程中固化用光的照射引起基片的温度上升，基片的热量分散到安装基片的安装台中。在周围的温度和基片的温度已经变得基本相等之后，基片从安装台中取下。在这种方法中，这个安装台通过使用冷却介质比如空气或冷却水冷却，由此控制这个冷却介质的温度(例如，参考日本未审查专利申请，首次公开No.Hei 10-199053)。还提出了另一方法，其中安装基片的安装台被冷却以保持恒定的温度(例如，参考日本未审查专利申请，首次公开No.Hei 2003-99985)。在另一专利技术中，提出了在上文所述的光盘的制造过程中降低翘曲。该专利技术包括提出了这样的一种方法其中在固化放入在光盘的二单个基片之间的光可固化的粘合剂层的同时控制基片的至少一个表面的温度，由此控制两个表面的温度；提出了这样的一种方法其中控制基片的温度，由此使在基片的两个方向上的温度分布均匀；以及提出了这样的一种设备该设备提供能够调节安装台的表面温度的温度控制装置(例如，参考日本未审查专利申请，首次公开No.Hei 2000-76710)。然而，由于在光盘的制造的过程中实施上文所述的方法增加了光盘的平整性，因此即使光盘在它的制造过程之后不久具有所要求的平整性，但是在随后的存储、管理和销售过程中，光盘仍然可能以可预期的方式翘曲。例如，由于在粘合之后由于标签印制可能引起翘曲。在这种情况下，需要考虑在最后的使用阶段这种光盘的翘曲而控制光盘的翘曲，并且必须对光盘有意施加翘曲补偿以使在最后的使用中几乎不翘曲。考虑到上述的问题，本专利技术的一个目的是控制在制造过程中光盘的偏斜(倾斜角度)以实现目标偏斜。本专利技术的概述在本专利技术的基片的处理方法和处理设备中，求出在由多个重叠的单个基片构成并在其间放入了未固化的光可固化的粘合剂层后的基片的测量温度Td和在其上安装这些基片的安装台的测量温度Th之间的温度差ΔT℃(＝Th-Td)，同时求出基片的测量偏斜X(度)，并绘制多个这些温度差和偏斜(ΔT和X)曲线。所得的结果是表示线性函数的直线，它的斜率是比例常数M(℃/度)。使用这种比例常数M，在安装台或基片中的一者或两者都是通过使用通过根据公式(Th-Td)-M×(ΔX或ΔX′)或等式Th-M×(ΔX或ΔX′)计算求出的控制温度进行温度控制时，可能获得具有所需的翘曲的基片。Xt是基片的目标偏斜，X是测量偏斜。此外，ΔX＝Xt-X，ΔX′是通过补偿ΔX获得的补偿值。这个补偿通过考虑ΔX的趋势等实施，例如增加或降低的方向是否根据线性、二阶或更高阶曲线增加或降低。根据本专利技术的基片处理方法和处理设备，可以提供一种由粘接的单个基片构成的具有所需的偏斜(倾斜角度)的基片。附图的简要说明附附图说明图1用于理解本专利技术所示为求出比例常数M(℃/度)的方法。附图2所示为Th-Td和基片的偏斜X之间的关系的示意图，其中Th是基片的安装台的温度，Td是基片的温度。附图3所示为解释本专利技术的基本原理的示意图。附图4所示为本专利技术的一种实施例的光盘基片的粘接生产线100的一部分的示意图。附图5所示为控制基片的偏斜的结构的基本配置的示意图。附图6所示为解释根据本专利技术的一种实施例的温度控制的示意图。附图7所示为解释在本专利技术的一种实施例中使用的温度控制设备的示意图。附图8所示为本专利技术的一种实施例的操作的流程图的示意图。附图9所示为在附图7的流程图和(基片的偏斜X-时间)之间的关系的示意图。附图10所示为说明作为本专利技术的另一实施例的光盘基片的粘接生产线200的示意图。附图11A和附图11B所示为在本专利技术中使用的安装台的实例的示意图。附图12所示为说明偏斜的定义的基片的截面图。优选实施例的详细描述首先，在解释实施本专利技术的优选配置的第一实施例之前解释本专利技术所基于的新观点。如附图1所示，本专利技术的专利技术人(a)测量在安装到安装台之前的光盘基片(下文中称为“基片”)的温度Td，其中基片包括重叠的在这些二单个基片之间放入了未固化的光可固化的粘合剂后的多个单个基片。此外，本专利技术人(b)测量在照射固化用光比如UV光之前的在其上安装了基片的安装台的温度Th。如附图1所示，专利技术人(c)求出在温度Td和温度Th之间的温度差ΔT(℃)(＝Th-Td)，以及(d)求出在通过在固化之前将固化用光照射在基片上固化用光可固化的粘合剂层之后温度基本下降到室温时在固化之后的基片D的偏斜X(度)。注意，如附图12所示，偏斜(倾斜角度)指示由垂直于基片的记录表面的法线和光学系统的轴线所形成的角度θ。实现如下的基本要点对于多个基片，如附图2所示，绘制偏斜X(度)和多个温度差ΔT(℃)的结果显示在偏斜X和温度差ΔT之间的关系拟合线性函数M′，它是一种基本成比例的关系。这个线性函数M′的斜率作为比例常数M(℃/度)。基于多次实验结果，线性函数M′的一部分根据粘接的单个基片的翘曲的状态而改变，但斜率(即比例常数M)基本不变。因此，通过使用比例常数M和线性函数M′证实，在控制在安装台的温度和基片的温度之间的差时，通过使用这个温度差基片的偏斜(倾斜角度)可以实现所需的值。具体地说，通过在从15(℃/度)至40(℃/度)的范围内(即15(℃/度)≤M≤40(℃/度))的比例常数M，在较短的时间周期内可以实现粘接的基片的偏斜的所需的值。实施例1参考附图3至附图7解释根据本专利技术用于基片的处理方法和处理设备的基本实施例。附图3所示为解释本专利技术的基本原理的示意图。附图4所示为根据本专利技术的一种实施例解释基片的偏斜X的控制的光盘粘接装置100的示意图，附图5所示为控制粘接的基片的偏斜的机构示意图，在本实施例中基片是由已经粘接在一起的多个单个基片构成的基片。附图6所示为解释控制基片的翘曲的温度控制设备的优选实例的基本配置的示意图，以及附图7所示为控制基片的偏斜的温度控制设备的方块结构的示意图。参考附图3解释本专利技术的基本原理。假设在安装台的测量温度是Th1和基片的测量温度是T本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基片的处理方法，包括：将在固化之前的基片安装在安装台上的步骤，所述的基片具有多个单个基片和放入在这些单个基片之间的未固化的光可固化的粘合剂层；求出在固化之后的基片的步骤，其中在固化之前的所述的基片安装在所述的安装台上的同 时，通过以光固化的光照射所述的固化之前的基片来通过光固化所述的粘合剂层，从而使所述的单个基片粘合在一起；和通过控制在固化之前的所述的基片和所述的安装台中的至少一个来控制在固化之后的所述的基片的偏斜的步骤；控制所述的偏斜的步骤 包括：求出在所述的安装台的温度Ｔｈ和固化之前的所述的基片的温度Ｔｄ之间的温度差ΔＴ的步骤；获得在固化之后的所述的基片的偏斜Ｘ和目标偏斜设定值Ｘｔ之间的偏斜差ΔＸ的步骤；使用通过在所述的温度差ΔＴ和所述的偏斜Ｘ之间的相 关性确定的比例常数Ｍ通过Ｔｃ＝ΔＴ－Ｍ×ΔＸ求出温度Ｔｃ的步骤；和根据所述的温度Ｔｃ对在固化之前的所述的基片和所述的安装台中至少一个进行温度控制以使Ｔｃ＝Ｔｈ－Ｔｄ的步骤。

【技术特征摘要】
JP 2003-12-26 433599/031.一种基片的处理方法，包括将在固化之前的基片安装在安装台上的步骤，所述的基片具有多个单个基片和放入在这些单个基片之间的未固化的光可固化的粘合剂层；求出在固化之后的基片的步骤，其中在固化之前的所述的基片安装在所述的安装台上的同时，通过以光固化的光照射所述的固化之前的基片来通过光固化所述的粘合剂层，从而使所述的单个基片粘合在一起；和通过控制在固化之前的所述的基片和所述的安装台中的至少一个来控制在固化之后的所述的基片的偏斜的步骤；控制所述的偏斜的步骤包括求出在所述的安装台的温度Th和固化之前的所述的基片的温度Td之间的温度差ΔT的步骤；获得在固化之后的所述的基片的偏斜X和目标偏斜设定值Xt之间的偏斜差ΔX的步骤；使用通过在所述的温度差ΔT和所述的偏斜X之间的相关性确定的比例常数M通过Tc＝ΔT-M×ΔX求出温度Tc的步骤；和根据所述的温度Tc对在固化之前的所述的基片和所述的安装台中至少一个进行温度控制以使Tc＝Th-Td的步骤。2.根据权利要求1所述的基片的处理方法，进一步包括求出经补偿的值ΔX′的步骤，该经补偿的值ΔX′是根据包括所述的偏斜差ΔX的趋势的状态已经补偿的所述的偏斜差ΔX，以及这个经补偿的值ΔX′用作所述的偏斜差ΔX的值，并求出所述的温度Tc。3.一种基片的处理方法，包括将在固化之前的基片安装在安装台上的步骤，所述的基片具有多个单个基片和放入在这些单个基片之间的未固化的光可固化的粘合剂层；获得在固化之后的基片的步骤，其中在固化之前的所述的基片安装在所述的安装台上的同时，通过以光固化的光照射固化之前的所述的基片而通过光固化所述的粘合剂层，从而使所述的单个基片粘合在一起；和通过控制在固化之前的所述的基片和所述的安装台中的至少一个来控制在固化之后的所述的基片的偏斜的步骤；控制所述的偏斜的步骤包括求出所述的安装台的温度Th的步骤；求出在目标偏斜设定值Xt和所述的偏斜X之间的偏斜差ΔX的步骤；使用通过在所述的安装台的所述的温度Th和所述的偏斜X之间的相关性确定的比例常数M通过实施Tc＝Th-M ×ΔX的计算求出温度Tc的步骤；和根据所述的温度Tc实施所述的安装台的温度控制的步骤。4.根据权利要求3所述的基片的处理方法，进一步包括求出经补偿的值ΔX′的步骤，该经补偿的值ΔX′是根据包括所述的偏斜差ΔX的趋势的状态已经补偿的所述的偏斜差ΔX，以及这个经补偿的值ΔX′用作所述的偏斜差ΔX的值，并求出所述的温度Tc。5.一种基片的处理方法，包括将在固化之前的基片安装在安装台上的步骤，所述的基片具有多个单个基片和放入在这些单个基片之间的未固化的光可固化的粘合剂层；获得在固化之后的基片的步骤，其中在固化之前的所述的基片安装在所述的安装台上的同时，通过以光固化的光照射所述的固化之前的基片而通过光固化所述的粘合剂层，从而使所述的单个基片粘合在一起；和通过控制在固化之前的所述的基片和所述的安装台中的至少一个来控制在固化之后的所述的基片的偏斜的步骤；控制所述的偏斜的步骤包括求出固化之前的所述的基片的温度Td的步骤；计算目标偏斜Xt和所述的偏斜X并求出偏斜差ΔX的步骤；使用通过在固化之前所述的基片的温度Td和所述的偏斜X之间的相关性确定的比例常数M通过实施Tc＝Td+M×ΔX的计算求出温度Tc的步骤；和根据温度Tc实施对在固化之前的所述的基片的温度的温度控制的步骤。6.根据权利要求5所述的基片的处理方法，进一步包括求出经补偿的值ΔX′的步骤，该经补偿的值ΔX′是根据包括所述的偏斜差ΔX的趋势的状态已经补偿的所述的偏斜差ΔX，以及这个经补偿的值ΔX′用作所述的偏斜差ΔX的值，并求出所述的温度Tc。7.根据权利要求1，3或5中的任一权利要求所述的基片的处理方法，其中所述的比例常数M(℃/度)是表示根据在所述的安装台的温度Th和在固化之前的所述的基片的温度Td之间的温度差ΔT和通过固化用光的照射在固化之后的基片的偏斜X的多个组合(X，ΔT)求出的直线的斜率的比例常数，并且事先求出这个常数。8.根据权利要求1，3和5中的任一权利要求所述的基片的处理方法，其中所述的比例常数M(℃/度)是表示根据在所述的安装台的温度Th和在固化之前的所述的基片的温度Td之间的温度差ΔT和通过固化用光的照射在固化之后的基片的偏斜X的多个组合(X，ΔT)求出的直线的斜率的比例常数，并且在根据需要通过更新所述的组合(X，ΔT)求出所述的比例常数M的同时调节所述的基片的翘曲。9.根据权利要求1，3和5中的任一权利要求所述的基片的处理方法，其中所述的比例常数M是15至40(℃/度)。10.根据权利要求2，4和6中的任一权利要求所述的基片的处理方法，其中所述的偏斜差ΔX通过实施PID控制进行补偿。11.根据权利要求1，3和5中的任一权利要求所述的基片的处理方法，其中所述的偏斜X是表示在固化之后预定的数量n的所述的基片的平均值的平均偏斜Xa。12.根据权利要求11所述的基片的处理方法，其中在固化之后的所述的基片的所述的平均偏斜Xa是通过在预定的可允许的范围内在固化之后预定的数量n的所述的基片的偏斜X中对偏斜进行平均获得的值。13.根据权利要求11所述的基片的处理方法，其中在固化之后所述的基片的平均偏斜Xa在预定的偏斜范围(Xt±任意数值α)内的同时维持所述的安装台和在固化之前所述的基片的所述的温度不变，14.根据权利要求11所述的基片的处理方法，在固化之后所述的基片的平均偏斜Xa在预定的偏斜范围(Xt±任意数值α)内的同时求出在固化之后预定数量n的所述的基片的移动平均值(n个最近的基片的平均值)。15.根据权利要求11所述的基片的处理方法，其中在固化之后所述的基片的平均偏斜Xa在预定的偏斜范围(Xt±任意数值α)之外时，计算在固化之前的所述的基片和所述的安装台的所述的温度并以这个所计算的温度实施在固化之前的所述的基片和所述的安装台的温度控制，以及重新实施在固化之后的预定数量n的基片的偏斜的测量，直到这个测量完成，使用这个所述的计算的温度实施在固化之前的所述的基片和所述的安装台的温度控制。16.一种基片的处理方法，包括将在固化之前的基片安装在安装台上的步骤，所述的基片具有多个单个基片和放入在这些单个基片之间的未固化的光可固化的粘合剂层；获得在固化之后的基片的步骤，其中在固化之前的所述的基片安装在所述的安装台上的同时，通过以光固化的光照射所述的固化之前的基片而通过光固化所述的粘合剂层，从而使所述的单个基片粘合在一起；和通过控制在固化之前的所述的基片和所述的安装台中的至少一个来控制在固化之后的所述的基片的偏斜的步骤；控制所述的偏斜的步骤包括求出关系(Th-Td＝M×X+a)的步骤，这里M表示通过在所述的安装台的温度Th和在固化之前所述的基片的温度Td之间的温度差ΔT和所述的偏斜X的至少两个组合的相关性所确定的比例常数，a表示在固化之后所述的基片的偏斜X为零时在所述的安装台的温度Th和在固化之前所述的基片的温度Td之间的温度差ΔT；和对固化之后的所述的基片和所述的安...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木隆之，中村昌宽，若平刚，小林秀雄，
申请(专利权)人：欧利生电气株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]