信息存储介质及用于记录和/或再现数据的方法和设备技术

一种能够控制最佳记录功率的信息存储介质，一个层中的最佳功率控制（ＯＰＣ）区不影响不同层中的ＯＰＣ区。所述信息存储介质包括至少一个信息存储层，所述信息存储层包括用于获得光记录条件的最佳功率控制区。相邻的信息存储层中的ＯＰＣ区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内。因此，即使当所述信息存储介质被偏心或具有制造误差时，也可以防止由一个信息存储层中的ＯＰＣ区对相邻的信息存储层中的ＯＰＣ区的影响所导致的所述信息存储介质的记录性质的降低。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及可记录信息存储介质，更具体地讲，涉及一种被设计来即使当偏心发生在多个信息存储层时也控制最佳功率控制(OPC)区的最佳写入功率的信息存储介质以及一种用于将数据记录在所述信息存储介质上/从所述信息存储介质再现数据的方法和设备。
技术介绍
通常的信息存储介质被广泛用作用于以非接触的方式来记录/再现数据的光拾取设备的信息记录介质。盘被用作信息存储介质，并且根据其信息存储容量被分为压缩盘(CD)或数字多功能盘(DVD)。可记录、可擦除和可再现盘的实例有650MB CD-R、CD-RW、4.7GB DVD+RW等。此外，具有25GB的记录容量或更大记录容量的HD-DVD正在发展中。如上所述，信息存储介质已经被发展为具有更大的记录容量。信息存储介质的记录容量可以通过两种典型的方式来增加1)减小从光源发出的记录光束的波长，和2)增加物镜的数值孔径。此外，还有另一种形成多个信息存储层的方法。图1示意性地示出了具有第一信息存储层L0和第二信息存储层L1的双层信息存储介质。所述第一信息存储层L0和第二信息存储层L1分别包括用于获得最佳写入功率的第一最佳功率控制(OPC)区10L0和第二最本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种信息存储介质，包括：　　　　至少两个信息存储层，每个信息存储层包括获得光记录条件的最佳功率控制区，其中，相邻的信息存储层中的最佳功率控制区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-6-12 60/477,793;US 2003-6-30 60/483,233;KR1.一种信息存储介质，包括至少两个信息存储层，每个信息存储层包括获得光记录条件的最佳功率控制区，其中，相邻的信息存储层中的最佳功率控制区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内。2.根据权利要求1所述的信息存储介质，其中，当相邻的信息存储层中的最佳功率控制区在所述信息存储介质的径向上被彼此隔开一小段距离时，该距离至少相应于制造所述信息存储介质所需的公差。3.根据权利要求1所述的信息存储介质，还包括多个缓冲区，每个缓冲区具有至少相应于公差的大小，被布置在所述最佳功率控制区中的每个的两边。4.根据权利要求3所述的信息存储介质，还包括与布置在所述最佳功率控制区周围的所述缓冲区中的一个相邻的保留区。5.根据权利要求1所述的信息存储介质，还包括多个数据记录区和插入在相邻的数据记录区之间的缓冲区。6.根据权利要求1所述的信息存储介质，还包括缺陷管理区和用户数据区，还包括在所述缺陷管理区和所述用户数据区之间的缓冲区。7.根据权利要求3所述的信息存储介质，其中，在所述信息存储介质的径向上的所述缓冲区中的每个的长度在5至100μm的范围内。8.根据权利要求3所述的信息存储介质，其中，考虑从组中所选择的至少一个因素来获得所述公差，所述组包括在确定每个区的起始位置时的误差、用于记录和再现的光束的大小、和偏心。9.根据权利要求1所述的信息存储介质，其中，存储仅仅再现的数据的区被布置在所述信息存储层中的一个中，从而仅仅再现数据面对相邻的信息存储层中的一个的最佳功率控制区。10.根据权利要求9所述的信息存储介质，其中，盘相关信息和盘控制数据被记录在用于存储仅仅再现的数据的区中。11.一种信息存储介质，包括多个信息存储层，每个信息存储层包括获得最佳记录条件的最佳功率控制区，其中，在奇数编码的信息存储层中的最佳功率控制区和在相邻的偶数编码的信息存储层中的最佳功率控制区被布置在所述信息存储介质的不同半径之内，从而即使当所述信息存储层中的每个都具有制造误差时，所述奇数编码的信息存储层的最佳功率控制区和所述偶数编码的信息存储层的最佳功率控制区也不彼此相对。12.根据权利要求11所述的信息存储介质，其中，当相邻的信息存储层中的最佳功率控制区在所述信息存储介质的径向上被彼此隔开一小段距离时，该距离至少相应于制造所述信息存储介质所需的公差。13.根据权利要求11所述的信息存储介质，还包括缓冲区和保留区中的至少一个，所述缓冲区和保留区中的每个具有至少相应于所述公差的大小，被布置在所述最佳功率控制区中的每个的两边。14.根据权利要求11所述的信息存储介质，还包括缺陷管理区和用户数据区，其中，缓冲区被包括在所述缺陷管理区和所述用户数据区之间。15.根据权利要求14所述的信息存储介质，其中，在所述信息存储介质的径向上的所述缓冲区的长度在5到100μm的范围内。16.根据权利要求11所述的信息存储介质，其中，缓冲区和保留区中的一个被布置在信息存储层中，以面对相邻的信息存储层的最佳功率控制区。17.根据权利要求11所述的信息存储介质，其中，存储仅仅再现的数据的区被布置在信息存储层中，以面对相邻的信息存储层的最佳功率控制区。18.一种信息存储介质，包括多个信息存储层，每个信息存储层包括获得最佳记录条件的最佳功率控制区和存储仅仅再现的数据的区，其中，所述信息存储层中的一个的所述最佳功率控制区被布置以面对相邻的所述信息存储层中的一个的所述仅仅再现区。19.根据权利要求18所述的信息存储介质，其中，所述仅仅再现区比所述最佳功率控制区大。20.根据权利要求18所述的信息存储介质，还包括布置在所述最佳功率控制区的两边的缓冲区。21.根据权利要求20所述的信息存储介质，其中，所述缓冲区中的每个具有相应于制造所述信息存储介质所需的公差的大小。22.根据权利要求21所述的信息存储介质，其中，考虑从组中所选择的至少一个因素来获得所述公差，所述组包括在确定每个区的起始位置时的误差、用于记录和再现的光束的大小、和偏心。23.根据权利要求18所述的信息存储介质，其中，盘相关信息和盘控制数据被重复地记录在所述仅仅再现区中。24.根据权利要求18所述的信息存储介质，还包括布置在所述最佳功率控制区的两边的缓冲区，并且所述缓冲区中的定位于所述最佳功率控制区的前面的一个具有相应于首先要被记录的一对盘相关信息和盘控制数据的大小。25.一种多层信息存储介质，包括第一信息存储层，包括第一最佳功率控制区；和第二信息存储层，与所述第一信息存储层相邻，包括第二最佳功率控制区，其中，所述第一最佳功率控制区与第二最佳功率控制区不交迭。26.根据权利要求25所述的信息存储介质，其中，即使当所述第一信息存储层和所述第二信息存储层彼此偏心时，所述第一最佳功率控制区和第二最佳功率控制区也不交迭。27.根据权利要求25所述的信息存储介质，还包括被布置在所述第一最佳功率控制区的每边的缓冲区和被布置在所述第二最佳功率控制区的每边的缓冲区。28.根据权利要求27所述的信息存...

【专利技术属性】
技术研发人员：李坰根，高祯完，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]