向带式存储介质写入数据制造技术

一种将数据写入带式存储介质的方法，包括：以第一写入模式将第一用户数据写入带式存储器（1）的第一物理区域（11），以及以第二写入模式将第二用户数据写入带式存储器（1）的第二物理区域（12），其中第二写入模式不同于第一写入模式。还提供了将数据写入带式存储介质的装置、带式存储介质以及带式盒。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】向带式存储介质写入数据
本专利技术涉及一种带式存储介质和用于向带式存储介质写入数据的方法
技术介绍
在带式存储系统中，在LT0-5 (线性带开口)带式驱动器中数据以140MB/秒的非常高速度流向带式盒的带式存储介质。通常，数据以一维方式写入带式存储介质中，即写入单一的逻辑轨道中，尽管单一逻辑轨道在带式存储介质上以包括彼此相邻布置的多个物理轨道的二维延伸，使得单一逻辑轨道沿着带式存储介质的长度来回以蜿蜒方式在多个物理轨道上延伸。这导致新的数据以附加(append)方式写入逻辑轨道，即，新数据在已写入数据的更远的端部被附加到该逻辑轨道。换句话说，新数据被附加到盒的逻辑端部。那些在带式盒的逻辑端部之前的所有数据被认为是无效数据。每个新一代的带式存储系统由于其它新特征而可以提供增加的存储容量。不过，为了使得用户利用更早代的带式盒，新一代的存储系统可以在读/写方面为老一代带式盒提供兼容性。
技术实现思路
根据本专利技术的一个方面，提供了一种方法，用于将数据写入带式存储介质中，第一用户数据以第一写入模式被写入带式存储介质的第一物理区域。第二用户数据以第二写入模式被写入带式存储介质的第二物理区域。第一写入模式不同于第二写入模式。在实施例中，该方法可以包括一个或多个下述特征:-第二写入模式与第一写入模式不同在于，将被写入各个物理区域的数据流根据各个用户数据生成；-第二写入模式与第一写入模式不同在于，根据各个用户数据生成的数据流被写入各个物理区域；-第一写入模式在带式存储介质上生成具有第一宽度的第一数据轨道，第二写入模式在带式存储介质上生成具有第二宽度的第二数据轨道，以及第一宽度不同于第二宽度；-第一写入模式以写元件的第一横向偏移写相邻第一数据轨道，第二入模式以写兀件的第二横向偏移写相邻第二数据轨道，并且第一横向偏移不同于第二横向偏移；-第一写模式写紧跟相邻第一数据轨道之后的新第一数据轨道而不覆盖该相邻第一数据轨道，而第二写模式写紧跟相邻第二数据轨道之后的新第二数据轨道，且该新第二数据轨道覆盖该相邻第二数据轨道；-第一写模式将新第一用户数据附于现有的第一用户数据，而第二写模式采用新第二用户数据覆写现有第二用户数据；-第一写模式以第一横向距离将相邻第一数据轨道布置在带式存储介质上，第二写模式以第二横向距离将相邻第二数据轨道布置在带式存储介质上，以及第一横向距离不同于第二横向距离；-第一写模式通过施加具有第一长度的写脉冲来写第一用户数据的逻辑值，第二写模式通过施加具有第二长度的写脉冲来写第二用户数据的逻辑值，以及第一长度不同于第二长度；-在第一写模式中，调制、压缩、加密、有限运行长度编码以及纠错编码中至少一个被应用来根据第一用户数据生成将被写入第一物理区域的数据流，其不同于被用于来根据第二用户数据生成将被写入第二物理区域的数据流的各个调制、压缩、加密、有限运行长度编码以及纠错编码。根据本专利技术的另一个方面的实施例，提供了一种计算机程序产品，包括计算机可读介质，其上实施有计算机可读程序代码，该计算机可读程序代码包括配置为可以执行根据前述实施例的任何一个的方法的计算可读程序代码。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种用于将数据写入带式存储介质的装置。该装置的控制器适于执行前述实施例的任意一个所要求的方法的步骤。根据本专利技术的另一个方面，提供了一种带式存储介质，包括至少两个物理区域，用于存储根据前述任意一个实施例所述的方法写入的数据。根据本专利技术的另一个方面的实施例，提供了一种带式存储介质，包括第一物理区域和第二物理区域，第一物理区域包括第一数据格式的第一数据，第二物理区域包括第二数据格式的第二数据，第二数据格式不同于第一数据格式。在这些实施例中，任何带式存储介质可以包括以下特征之一或多个:-第二数据格式与第一数据格式不同之处在于写入各个物理区域的数据流根据各个用户数据生成；-第二数据格式与第一数据格式不同之处在于根据各个用户数据生成的数据流给写入各个物理区域；-位于这些物理区域的相邻两个物理区域之间的分隔器，其中该分隔器为保护区域、区域头部(region header)以及数据缓冲区(data pad)之一。根据本专利技术的另一个实施例，提供了一种带式盒，包括根据前述任意一个实施例所述的带式存储介质。可以理解的是，方法的步骤可以以不同于方法权利要求中所排列的顺序执行。这种不同的顺序也应该包含在此处所给出的步骤顺序一样的这种权利要求的范围之内。与方法相关的角度描述的实施例也应该被认为是结合其它类，诸如带式存储介质、装置、计算机程序产品所描述的实施例，反之亦然【附图说明】通过参照下面结合附图根据本专利技术的优选但是图释性的实施例的详细描述将更全面理解本专利技术和其实施例。附图如下:图1是根据本专利技术实施例的带式存储介质的示意图；图2是根据本专利技术实施例的存储介质的方块图；图3-图6是根据本专利技术实施例的带式存储介质的示意图；以及图7-图8是根据本专利技术实施例的方法的流程图。【具体实施方式】作为对下面描述的介绍，在本专利技术的总的方面首要指出的是，在将数据写入带式存储介质的方法方面，第一用户数据以第一写入模式被写入带式存储介质的第一物理区域，而第二用户数据以第二写入模式被写入带式存储介质的第二物理区域。第一写入模式与第二写入模式的不同尤其在于至少一个参数。这种方法可以在控制器中实现，该控制器用于控制对插入带式驱动器中的带式盒的作用，该带式盒包括带式存储介质。该控制器可以是单个带式驱动器的部分并且尤其可以负责对带式存储介质的读写操作。在另一个实施例中，带式存储系统可以包括多个带式驱动器和可能的带库(tape library),其中该控制器可以负责控制针对该带式存储系统的多个带式驱动器的操作，并且如何存在带库的情况下可以控制针对带库的操作。带式存储介质优选为包括磁性材料的带，磁性材料诸如优选沉积在诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰胺(PA)之一的基片上的金属微粒(MP)或钡铁氧体(BaFe)。该带可以缠绕在带式盒中的卷轴上。用户数据可以包括将被存储带式存储介质上或从带式存储介质上被激活的任何数据。具体而言，用户数据可以是根据主机请求将被存储在带式存储介质上的数据。该主机可以与用于保持带式盒的带式驱动器通信，以便向其写入数据或从中读取数据。或者，主机可以与带式存储系统通信，该带式存储系统包括多个带式驱动器并且可能还有带库。该主机可以是任何能够向带式存储系统发出写入和/或读取请求的计算实体。具体而言，用户数据可以不包括元数据，即支持或描述用户数据特性的数据，并且可以不包括用于控制对带式存储介质操作的控制数据，即具体而言用于控制在带式存储介质上读取、写入、擦除、或覆写用户数据的控制数据。这种控制数据还包括例如存储在带式存储介质上用于防止读/写头横向偏离轨道中线的伺服数据。在本上下文中，第一用户数据通常指的是被分派到第一物理区域的用户数据，而第二用户数据指的是被分派到第二物理区域的用户数据。在两个物理区域被解释为数据镜像的情况下，第一用户数据可以包括与第二用户数据一致的用户数据。不过，第一用户数据可以含有不同于第二用户数据的用户数据。该用户数据可以包括任意多个诸如比特的最小逻辑值。带式存储介质可以包括两个或多个物理区域。物理区域可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种将数据写入带式存储介质中的方法，?以第一写入模式将第一用户数据写入带式存储介质（1）的第一物理区域（11）；?以第二写入模式将第二用户数据写入带式存储介质（1）的第二物理区域（12），?其中第二写入模式不同于第一写入模式。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.05.13 EP 11166083.31.一种将数据写入带式存储介质中的方法， 以第一写入模式将第一用户数据写入带式存储介质(I)的第一物理区域(11)； 以第二写入模式将第二用户数据写入带式存储介质(I)的第二物理区域(12)， 其中第二写入模式不同于第一写入模式。2.根据权利要求1所述的方法，其中第二写入模式与第一写入模式不同在于将被写入各个物理区域(11、12)的数据流根据各个用户数据生成。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中第二写入模式与第一写入模式不同在于根据各个用户数据生成的数据流被写入各个物理区域(11、12)。4.根据前述任意一个权利要求所述的方法，其中第一写入模式在带式存储介质(I)上生成具有第一宽度(《I)的第一数据轨道(71)，其中第二写入模式在带式存储介质(I)上生成具有第二宽度(w2)的第二数据轨道(72)，其中第一宽度(wl)不同于第二宽度(w2)。5.根据前述任意一个权利要求所述的方法，其中第一写入模式以写元件的第一横向偏移(ol)写相邻第一数据轨道(71)，第二入模式以写元件的第二横向偏移(o2)写相邻第二数据轨道(72),并且第一横向偏移(ol)不同于第二横向偏移(o2)。6.根据前述任意一个权利要求所述的方法，其中第一写模式写紧跟相邻第一数据轨道之后的新第一数据轨道(71 )而不覆盖该相邻第一数据轨道(71)，而第二写模式写紧跟相邻第二数据轨道之后的新第二数据轨道，且该新第二数据轨道覆盖该相邻第二数据轨道。7.根据前述任意一个权利要求所述的方法，其中第一写模式将新第一用户数据附于现有的第一用户数据，以及其中第二写模式采用新第二用户数据覆写现有第二用户数据。8.根据前述任意一个权利要求所述的方法，其中第一写模式以第一横向距离将相邻第一数据轨道布置在带式存储介质上，第二写模式以第二横向距离将相邻第二数据轨道布置在带式存储介质上...

【专利技术属性】
技术研发人员：RD希德希严，S富勒，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：
国别省市：