磁光信息记录介质的热处理判定方法和热处理判定装置制造方法及图纸

用来自ＬＤ（１１）的预定功率的激光束辐照磁光盘（３３），以用于热处理。在热处理之后，用功率小于用于热处理的功率的激光束辐照执行过热处理的区域。较小功率激光束的反射光入射到光学传感器（２４、２６）上，并检测Ｐ波和Ｓ波的反射光强度。利用Ｐ波和Ｓ波的反射光强度，差动检测电路（２７）检测与执行过热处理的区域对应的磁光信号的电平。控制器（２８）判断由检测电路（２８）检测到的磁光信号电平是否处于许可范围之内。如果在该范围之外，则调节用于热处理的激光束功率，停止磁光盘处理，或者显示代表测量结果的信息。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种热处理判定方法以及一种热处理判定装置，用于判定在制造利用激光束将信息记录到其上的磁光信息记录介质时，是否已适当执行了热处理(退火处理)。
技术介绍
近年来，作为高密度的可重写记录介质，已经提出了许多磁光信息记录介质(磁光盘)。在它们之中，DWDD(畴壁位移检测)系统的磁光盘引起了关注。如在日本专利No.3332458的官方公报中所公开的那样，根据这样的系统，使用了包括磁三层膜即至少位移层、交换层(switching layer)和记录层的磁光信息记录介质，且利用了这样的特征，即，当复制信号时，位移层的畴壁在磁膜温度等于或高于交换层的居里温度的区域中瞬时移动。根据这样的系统，能够充分扩大磁畴的尺寸并显著提高磁光盘的记录密度。DWDD系统在以下方面可以被认为是有效的复制方法之一，即，即使从与等于或小于复制光的光学限制分辨率的周期(period)对应的小记录磁畴中，也能够复制出非常大的信号，且能够实现高密度而不改变光的波长、物镜的数值孔径(NA)等。普通DWDD系统的磁光盘具有如图10所示的构造。图10所示的磁光信息记录介质140以这样的方式构成，即，在基板141上按顺序层叠第一电介质层142、位移层143、交换层144、记录层145、第二电介质层146、以及保护层147。基板141是由例如玻璃、聚碳酸酯、聚烯烃等制成的透明基板。第一电介质层142由例如SiN、AlN等制成并具有约30nm的厚度。位移层143由与记录层145相比畴壁矫顽力相对较小且畴壁位移速度相对较大的垂直磁膜制成，例如是厚度为30至60nm的GdFeCo层。交换层144具有比位移层143和记录层145更低的居里温度，且例如是厚度为10至15nm的GdFeCoAl层。记录层145例如是厚度约为50nm的TbFeCo层。第二电介质层146由例如SiN、AlN等制成并具有约30nm的厚度。保护层147例如是厚度为5至10μm的UV(紫外线)固化树脂。这些层叠置在其上已预先形成有导槽(guide groove)(道(track))的基板141上。例如，如图11所示地形成基板141的导槽。磁光信息记录在图11中宽的宽度部分中，即，槽脊(land)151和槽152上，且叠置在壁表面部分153中的磁层成为热处理(退火处理)的目标。通过热处理，作为处理目标的磁层部分被非磁化，或者变成平面内磁膜。槽脊表示输入用于记录/复制的激光束的表面(例如，图11中的下表面)远侧的部分。这一表面近侧的部分称为槽。用于热处理的激光束从与用于记录/复制的激光束一侧相反的表面(例如图11的顶表面)辐照。由于道之间的区域被热处理，所以在向槽脊和槽两者上记录的情况下，壁表面部分153被热处理。然而，在向槽脊和槽中的一个上记录数据的情况下，另一个被热处理。现将参照图12A至12E描述根据DWDD系统的信号复制。图12A示出用于复制的DWDD系统的磁光信息记录介质的剖面图的示例。该介质示出为与图10所示的磁光信息记录介质140颠倒。以与图10的磁光信息记录介质140类似的方式，形成了包括位移层160、交换层161和记录层162的磁层。在不辐照复制激光束163的状态下，在每层中，交换耦合力(switchedcoupling force)起作用，位移层160和交换层161每层中的原子自旋定向在与记录层162中的原子自旋164的方向相同的方向上。畴壁165形成在相邻原子自旋(原子自旋的方向相反)的边界部分。当复制激光束163辐照到磁光信息记录介质时，例如，得到了如图12B所示的磁层的温度T的分布。如图12A所示，复制激光束163从基板侧辐照。Ts表示交换层161的居里温度。与这样的温度分布相关，形成了如图12C所示的畴壁能量密度σ的分布。通常，由于畴壁能量密度随着磁层温度的增大而减小，所以得到了其中所述密度在图12B所示的最高温度的位置变得最低的分布。因此，畴壁驱动力F(x)沿低畴壁能量密度的方向，即沿磁层的高温方向，移动畴壁165。畴壁驱动力F(x)的分布示于图12D中。当存在如上所述的畴壁能量密度的梯度(变化)时，由下面的等式(1)表示的畴壁驱动力F(x)作用在每层的畴壁上。F(x)＝-σ/x…(1)畴壁驱动力F(x)起作用，从而沿低畴壁能量密度的方向移动畴壁165。也就是说，在磁层的温度低于交换层的居里温度Ts的位置，即使这样的温度梯度导致的畴壁驱动力F(x)起作用，由于所述层相互交换耦合，所以不发生畴壁的移动，因为其被记录层的大畴壁矫顽力所阻碍。然而，在磁层的温度高于交换层的居里温度Ts的位置，由于位移层160与记录层162之间的交换耦合被切断，所以能通过根据温度梯度的畴壁驱动力F(x)来移动其畴壁矫顽力较小的位移层160的畴壁。因此，在扫描磁光信息记录介质而辐照复制激光束163的时候，在畴壁超过居里温度Ts的位置并进入耦合交换区域时，位移层160的畴壁朝向高温侧(图12A中箭头166所示的方向)移动。通过如上所述的原理，以与记录信号对应的间隔形成在磁光信息记录介质上的畴壁在由激光束执行的每次扫描时移动。因此，复制时放大了有效记录的磁畴的尺寸，能够增大复制载波信号，并且能够进行超过光学限制的复制。图12E所示的波形涉及从图12A中的磁层得到的复制波形的示例。在这种情况下，当记录层162中的原子自旋向下取向时，得到低电平处的信号。表明通过DWDD系统的复制中畴壁驱动力F(x)的等式(1)本质上源自下面的等式(2)。F(x)＝2M(x)·Hd(x)+2M(x)·Ha-σ(x)/x-σ/x …(2)其中，M(x)位移层160的磁化Hd(x)退磁场Ha外磁场，例如来自记录层162的漏磁通等σ(x)每单位面积的畴壁能例如，如在“Journal of Magnetic Society of Japan”，Vol.22，SupplementNo.S2，1998，pp.47-50中所公开的，通过极度减小位移层160的磁化，能忽略等式(2)右侧的第一项(2M(x)·Hd(x))和第二项(2M(x)·Ha)。此外，如果构造装置使得通过例如非磁化记录道(导槽)的两侧或者通过对它们进行热处理而将其转化成平面内磁膜来形成非封闭的磁畴，则也能忽略等式(2)右侧的第三项(-σ(x)/x)。因此，通过显著减小位移层160的磁化且通过非磁化记录道的两侧或借助对它们进行热处理而将其转化成平面内磁膜，等式(2)的右侧可以仅由第四项来构成且等于等式(1)，从而能够执行通过DWDD系统的复制。因此，为了实现以上系统，非磁化记录道的两侧或者通过对它们进行热处理而将其转化成平面内磁膜的工艺是非常重要的工艺。通过热处理，加热部分的磁各向异性削弱并且磁耦合被弱化。在热处理(也称为初始化或退火处理)中，由于能够通过对道之间的窄区域进行热处理来提高道密度，所以通常使用比用于磁光信息记录介质的记录/复制的光斑(spot)更小的光斑。也就是说，用于执行热处理的装置通常与用于执行记录/复制的装置分开准备。然而，在以上磁光信息记录介质中，即使进行了热处理，磁性的改变也仅发生在处理目标部分，并且不存在判定或检查所述热处理是否已适当进行的方法。另一方面，如果热处理的宽度(热处理功率)过小，则尽管改善了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种热处理判定方法，包括步骤：通过将第一功率的激光束辐照到磁光信息记录介质的道之间的区域来执行磁层的热处理，所述磁光信息记录介质通过将所述磁层叠置到其上已预先形成有所述道的基板上而获得，其中所述磁层由记录层、位移层和交换层构成，所述记录层根据记录信息保持记录磁畴，所述位移层由畴壁矫顽力小于所述记录层的畴壁矫顽力且畴壁位移速度大于所述记录层的畴壁位移速度的垂直磁膜制成，所述交换层布置在所述记录层和所述位移层之间并且其居里温度低于所述记录层和所述位移层的居里温度；将小于所述第一功率的第二功率的激光束辐照到所述被热处理的区域上；从所述第二功率的激光束的反射光检测磁光信号的电平；以及在所述检测到的磁光信号的基础上判定所述热处理是适当还是不适当。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2003-9-4 312543/20031.一种热处理判定方法，包括步骤通过将第一功率的激光束辐照到磁光信息记录介质的道之间的区域来执行磁层的热处理，所述磁光信息记录介质通过将所述磁层叠置到其上已预先形成有所述道的基板上而获得，其中所述磁层由记录层、位移层和交换层构成，所述记录层根据记录信息保持记录磁畴，所述位移层由畴壁矫顽力小于所述记录层的畴壁矫顽力且畴壁位移速度大于所述记录层的畴壁位移速度的垂直磁膜制成，所述交换层布置在所述记录层和所述位移层之间并且其居里温度低于所述记录层和所述位移层的居里温度；将小于所述第一功率的第二功率的激光束辐照到所述被热处理的区域上；从所述第二功率的激光束的反射光检测磁光信号的电平；以及在所述检测到的磁光信号的基础上判定所述热处理是适当还是不适当。2.根据权利要求1所述的热处理判定方法，其中在所述热处理执行时、执行之前或者执行之后，预定信号被记录到所述磁光信息记录介质上。3.根据权利要求1所述的热处理判定方法，其中在所述热处理执行时、执行之前或者执行之后，所述磁光信息记录介质沿一个方向被磁化。4.根据权利要求1所述的热处理判定方法，其中所述磁光信息记录介质上所述第二功率的激光束的光斑的面积大于所述第一功率的激光束的光斑...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中靖人，三木刚，坂本哲洋，藤田五郎，藤家和彦，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]