本发明专利技术公开了一种记录介质。发明专利技术人对在读出ＲＡＭ信息时从光检测器输出的电信号进行了观察。已经证实，该电信号包括具有相对较大的第一振幅值（ｂ）的再现波形和具有小于第一振幅值（ｂ）的第二振幅值（ａ）的再现波形。第二振幅值（ｂ）的再现波形与第一振幅值（ａ）的再现波形同步。发明专利技术人披露了第一和第二振幅值之比与第一和第二双折射值之间的双折射差之间的相关性。满意的相关性使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于８％的抖动。这种类型的记录介质使得能够基于记录标记高精度地实现信息的记录和再现。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种记录介质，该记录介质包括衬底和磁膜，该衬底具有限定相位坑序列的表面，该磁膜基于磁化方向在该衬底的表面上限定记录标记。
技术介绍
例如，如日本专利申请公报No.6-202820中所公开的，所谓的并行ROM-RAM磁光盘是公知的。RAM(随机存取存储器)信息可以在任何时候以类似于普通磁光盘的方式，被写入到形成在磁光盘中的衬底的表面上的磁记录膜中。在衬底的表面上已经建立了相位坑。相位坑用于保持ROM(只读存储器)信息。将激光束照射到磁光盘上，以读出ROM信息。所照射的激光束以各种强度从磁光盘反射。该光强度取决于是否存在相位坑。光强度的这种变化被用来读出ROM信息。同样将激光束照射到磁光盘上，以读出RAM信息。在激光束中，偏振面响应于由磁记录膜导致的极性克尔效应而旋转。偏振面的旋转被用来区分RAM信息中所包含的二进制数据或位数据。但是，ROM信息和RAM信息的读出不能如所期望的那样同时实现。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提供一种具有磁膜的记录介质，该磁膜使得能够以足够的精度来区分记录标记中的信息，而与相位坑的最小坑长度的最小化无关。根据本专利技术的第一方面，提供了一种记录介质，该记录介质包括衬底，该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的表面上限定多个记录标记，其中在振幅比a/b与双折射差d[nm]之间建立了以下关系，振幅比a/b是在电信号的最大振幅值b和该电信号的最小振幅值a之间得到的，而双折射差d[nm]是在第一和第二双折射值之间得到的，[表达式1]a/b≥0.0177d+0.2568 (1)所述第一双折射值是对针光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于该光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的径向线(radial line)，相对于所述基准面旋转20度，基于穿过所述磁膜的光束而在光检测器中产生电信号，这些光束具有彼此垂直的偏振面。专利技术人对如上所述从光检测器输出的电信号进行了观察。采用示波器来进行观察。在示波器的屏幕上出现了双重再现(duplex reproduced)波形。这与按照通常方式基于记录标记来读出信息的情况不同。双重再现波形由具有相对较大的第一振幅值的再现波形和具有小于该第一振幅值的第二振幅值的再现波形构成。第二振幅值的再现波形与第一振幅值的再现波形是同步的。专利技术人披露了振幅比与双折射差之间的相关性。振幅比与第一和第二振幅值之间的比(即最大和最小振幅之间的比)相对应。双折射差与第一和第二双折射值之间的差相对应。已经证实，[表达式1]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。这种类型的记录介质使得能够基于记录标记以足够的精度可靠地实现信息的记录和再现，而与相位坑的经减小的最小坑长度无关。具体地，优选地建立以下关系[表达式2]a/b≥0.0185d+0.1918(2)专利技术人披露了，[表达式2]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。另外，优选地建立以下关系 a/b≥0.0186d+0.1506(3)专利技术人披露了，[表达式3]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。同时，优选地建立以下关系[表达式4]a/b≤0.8(4)专利技术人披露了，[表达式4]的建立使得即使在相位坑序列的最小坑长度小于根据光盘(CD)标准的最小坑长度时，也能够在基于相位坑序列读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。根据本专利技术的第二方面，提供了一种记录介质，该记录介质包括衬底，该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的表面上限定多个记录标记，其中在双折射差d[nm]与所述相位坑序列中的相位坑的光学深度Pd[λ]和在所述相位坑中限定的倾斜表面的倾斜角S的乘积之间建立以下关系，双折射差d[nm]是在第一和第二双折射值之间得到的，[表达式5]Pd·S≤-0.2236d+8.8616(5)所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于该光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，该衬底的姿势为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转20度，而λ表示用于读出信息的光束的波长。专利技术人披露了光学深度Pd和倾斜角S的乘积与第一和第二双折射值之间的双折射差之间的相关性。专利技术人披露了，[表达式5]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。这种类型的记录介质使得能够基于记录标记以足够的精度可靠地实现信息的记录和再现，而与相位坑的经减小的最小坑长度无关。具体地，优选地建立以下关系 Pd·S≤-0.2338d+9.6817(6)专利技术人披露了，[表达式6]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。另外，优选地建立以下关系[表达式7]Pd·S≤-0.2345d+10.201(7)专利技术人披露了，[表达式7]的建立使得能够在基于记录标记读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。同时，优选地建立以下关系[表达式8]Pd·S≥2.00(8)专利技术人披露了，[表达式8]的建立使得即使在相位坑序列的最小坑长度小于根据光盘(CD)标准的最小坑长度时，也能够在基于相位坑序列读出信息时可靠地实现等于或小于8％的抖动。优选地，将记录标记的最小标记尺寸设定为大于任意上述记录介质中的相位坑序列中的相位坑的最小坑长度。与最小坑长度等于最小标记尺寸的记录介质相比，该记录介质使得能够在基于记录标记读出信息的过程中使相位坑序列的影响最小化。可以减少在区分记录标记时的抖动。即使在相位坑序列中的最小坑长度变小时，也可以基于记录标记以足够的精度读出信息。通常，当在相位坑序列中最小坑长度被设置得较小时，相位坑的光学深度被设置得较大。相位坑的较大光学深度导致在区分记录标记时的抖动增加。换句话说，在区分记录标记时精度降低。如果将最小标记尺寸设置为大于所限定的最小坑长度，则可以使精度的降低最小化。具体地，优选地将最小标记尺寸设置为等于最小坑长度与一整数的乘积。该记录介质使得能够基于从相位坑序列读出的信息而产生时钟信号。该时钟信号可用于基于记录标记记录和再现信息。根据相位坑序列产生的时钟信号反映了相位坑序列的移动速度的波动，使得由此可以在基于记录标记记录和再现信息时消除移动速度的波动的影响。这使得能够基于记录标记以较高精度实现信息的记录和再现。可以将所述相位坑序列中的相邻相位坑序列之间的间隔设定在1.0μm到1.2μm的范围内。可以将最小坑长度设定在0.55μm到0.65μm的范围内。所设定的间隔和最小坑长度有助于以较高密度来构建相位坑。专利技术人披露了，即使以集中的方式以较高密度设置了相位坑，也可以基于相位坑序列和记录标记序列以足够的精度读出信息。附图说明图1是示意性表示作为根据本专利技术的记录介质的示例的磁光盘的立体图。图2是沿图1中的线2-2截取的经放大的部分剖视图。图3是示意性表示该磁光盘的衬底的结构的放大立体图。本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种记录介质，该记录介质包括：衬底，该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记，其中在振幅比ａ／ｂ与双折射差ｄ［ｎｍ］之间建立了以下关系，所述振幅比ａ／ｂ是在电信号的最大振幅值ｂ和该电信号的最小振幅值ａ之间得到的，所述双折射差ｄ［ｎｍ］是在第一和第二双折射值之间得到的，［表达式１５］ａ／ｂ≥０．０１７７ｄ＋０．２５６８（１）所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述光束的基准面旋转２０度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转２０度，基于穿过所述磁膜的光束而在光检测器中产生所述电信号，所述光束具有彼此垂直的偏振面。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种记录介质，该记录介质包括衬底，该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其根据磁化方向在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记，其中在振幅比a/b与双折射差d[nm]之间建立了以下关系，所述振幅比a/b是在电信号的最大振幅值b和该电信号的最小振幅值a之间得到的，所述双折射差d[nm]是在第一和第二双折射值之间得到的，[表达式15]a/b≥0.0177d+0.2568(1)所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿势为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转20度，基于穿过所述磁膜的光束而在光检测器中产生所述电信号，所述光束具有彼此垂直的偏振面。2.根据权利要求1所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式16]a/b≥0.0185d+0.1918(2)。3.根据权利要求2所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式17]a/b≥0.0186d+0.1506(3)。4.根据权利要求3所述的记录介质，其中，建立了以下关系[表达式18]a/b≤0.8(4)。5.根据权利要求1所述的记录介质，其中，所述记录标记的最小标记尺寸被设定为大于所述相位坑序列中的相位坑的最小坑长度。6.根据权利要求5所述的记录介质，其中，所述最小标记尺寸被设定为等于所述最小坑长度与一整数的乘积。7.根据权利要求1所述的记录介质，其中，所述相位坑序列中的相邻相位坑序列之间的间隔被设定在1.0μm到1.2μm的范围内，所述最小坑长度被设定在0.55μm到0.65μm的范...
【专利技术属性】
技术研发人员：细川哲夫，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[]
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