【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种记录介质，该记录介质包括衬底和磁膜，该衬底具有限定有相位坑序列的表面，该磁膜基于磁化方向在该衬底的表面上限定记录标记。
技术介绍
例如，如日本专利申请公报No.6-202820中所公开的，所谓的并行ROM-RAM磁光盘是公知的。RAM(随机存取存储器)信息可以在任何时候以类似于普通磁光盘的方式，被写入到磁光盘中的衬底的表面上所形成的磁记录膜中。在衬底的表面上已经建立了相位坑。相位坑用于保持ROM(只读存储器)信息。将激光束照射到磁光盘上，以读出ROM信息。所照射的激光束以各种强度从磁光盘反射。该光强度取决于是否存在相位坑。光强度的这种变化被用来读出ROM信息。同样将激光束照射到磁光盘上，以读出RAM信息。在激光束中，偏振面响应于由磁记录膜导致的极性克尔效应而旋转。偏振面的旋转被用来区分RAM信息中所包含的二进制数据或位数据。但是，ROM信息和RAM信息的读出不能如所期望的那样同时实现。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种有助于充分地区分磁膜中的记录标记的信息的记录介质，即使当最小坑长度被减小至相位坑序列的极限时。根据本专利技术的第一方...
【技术保护点】
一种记录介质，该记录介质包括：衬底，在该衬底的表面中限定有多个相位坑序列，所述相位坑序列分别被设计为具有第一长度的最小坑长度；以及磁膜，其在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记序列，所述记录标记序列分别被设计为具有第二长度的最小标记尺寸，该第二长度大于所述第一长度。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种记录介质，该记录介质包括衬底，在该衬底的表面中限定有多个相位坑序列，所述相位坑序列分别被设计为具有第一长度的最小坑长度；以及磁膜，其在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记序列，所述记录标记序列分别被设计为具有第二长度的最小标记尺寸，该第二长度大于所述第一长度。2.根据权利要求1的记录介质，其中，所述最小标记尺寸是所述最小坑长度和一整数的乘积。3.根据权利要求1的记录介质，其中，在所述衬底中，至少在包括所述相位坑序列的区域上，第一和第二双折射值之间的差被设置为小于25nm，所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿态为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿态为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转20度。4.根据权利要求1的记录介质，其中，在所述相位坑序列中，相位坑的光学深度被设置在0.14λ至0.25λ的范围内，其中λ表示用于读出信息的光束的波长。5.根据权利要求1的记录介质，其中，所述相位坑序列中的相邻相位坑序列之间的间隔被设置在1.0μm至1.2μm的范围内，最小坑长度被设置在0.55μm至0.65μm的范围内。6.根据权利要求1的记录介质，该记录介质还包括反射膜，该反射膜具有与所述相位坑序列和所述记录标记序列相对的镜面，其中在偏离所述相位坑序列中的相位坑的位置处，从所述镜面反射的光的反射率被设置在14％至24％的范围内。7.根据权利要求1的记录介质，其中，基于所述相位坑序列的利用，记录浊音信息和图像信息中的至少一种，基于所述记录标记序列的利用，记录浊音信息。8.一种记录介质，该记录介质包括衬底，在该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其基于磁化方向在所述衬底的表面上限定记录标记，其中在所述相位坑序列中的相位坑的光学深度Pd[λ]与第一和第二双折射值之间的差d[nm]之间建立以下关系[表达式10]Pd＜-0.0052d+0.253 ...(1)其中，所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿态为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述...
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