记录介质和用于记录介质驱动的信号处理单元制造技术

本发明专利技术提供了记录介质和用于记录介质驱动的信号处理单元。在记录介质中的相位坑序列（２１）上形成磁膜。根据磁化方向，在磁膜中建立记录标记（２３）。利用激光束从相位坑序列（２１）读出信息。还利用激光束基于记录标记（２３）读出信息。记录标记（２３）的最小标记尺寸（ＭＬ）被设置为大于相位坑序列（２１）中的最小坑长度（ＰＬ）。与具有等于最小标记尺寸的最小坑长度的记录介质相比，该记录介质使得能够在基于记录标记读出信息的过程中使相位坑序列的影响最小化。在区分记录标记时，可以减小抖动。可以基于记录标记以足够的精度读出信息，即使当相位坑序列中的最小坑长度较小时。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种记录介质，该记录介质包括衬底和磁膜，该衬底具有限定有相位坑序列的表面，该磁膜基于磁化方向在该衬底的表面上限定记录标记。
技术介绍
例如，如日本专利申请公报No.6-202820中所公开的，所谓的并行ROM-RAM磁光盘是公知的。RAM(随机存取存储器)信息可以在任何时候以类似于普通磁光盘的方式，被写入到磁光盘中的衬底的表面上所形成的磁记录膜中。在衬底的表面上已经建立了相位坑。相位坑用于保持ROM(只读存储器)信息。将激光束照射到磁光盘上，以读出ROM信息。所照射的激光束以各种强度从磁光盘反射。该光强度取决于是否存在相位坑。光强度的这种变化被用来读出ROM信息。同样将激光束照射到磁光盘上，以读出RAM信息。在激光束中，偏振面响应于由磁记录膜导致的极性克尔效应而旋转。偏振面的旋转被用来区分RAM信息中所包含的二进制数据或位数据。但是，ROM信息和RAM信息的读出不能如所期望的那样同时实现。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的是提供一种有助于充分地区分磁膜中的记录标记的信息的记录介质，即使当最小坑长度被减小至相位坑序列的极限时。根据本专利技术的第一方面，提供了一种记录介质，该记录介质包括衬底，在该衬底的表面中限定有多个相位坑序列，这些相位坑序列分别被设计为具有第一长度的最小坑长度；以及磁膜，其在该衬底的表面上限定多个记录标记序列，这些记录标记序列分别被设计为具有第二长度的最小标记尺寸，该第二长度大于所述第一长度。与最小坑长度等于最小标记尺寸的记录介质相比较，该记录介质使得能够在基于记录标记读出信息的过程中使相位坑序列的影响最小化。在记录标记的区分中，可以减小抖动。基于这些记录标记，可以足够的精度读出信息，即使当在相位坑序列中最小坑长度变得较小时。通常，当在相位坑序列中最小坑长度被设置得较小时，相位坑的光学深度被设置得较大。相位坑的较大光学深度导致记录标记的区分中的抖动增加。换句话说，在记录标记的区分中，精度降低。如果如本专利技术的第一方面中所限定的，最小标记尺寸被设置得大于最小坑长度，则精度的降低可以被最小化。最小标记尺寸优选地是最小坑长度与一整数的乘积。该记录介质使得能够基于从相位坑序列读出的信息产生时钟信号。该时钟信号可以用于基于记录标记来记录和再现信息。根据相位坑序列产生的时钟信号反映了相位坑序列的移动速度的波动，从而基于这些记录标记，在信息的记录和再现时可以消除移动速度的波动的影响。这导致可以基于记录标记以较高的精度实现信息的记录和再现。在衬底中，至少在包括相位坑序列的区域上的第一和第二双折射值之间的差被优选地设置为小于25nm，所述第一双折射值是针对光束单次穿过衬底而测量的，该衬底的姿态为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于该光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过衬底而测量的，该衬底的姿态为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的径向线(radial line)，相对于所述基准面旋转20度。即使在相位坑序列中，相位坑的光学深度被设置在0.14λ至0.25λ的范围内时，在读出记录标记时，该记录介质也使得能够实现等于或小于8％的抖动。这里，λ表示用于读出信息的光束的波长。在相位坑序列中的相邻相位坑序列之间，间隔可以设置在1.0μm至1.2μm的范围内。最小坑长度可以被设置在0.55μm至0.65μm的范围内。所设置的间隔和最小坑长度有助于以较高密度建立相位坑。专利技术人揭示了可以基于该相位坑序列和记录标记序列，以足够的精度读出信息，即使当以高密度以集中的方式设置相位坑时。该记录介质还可以包括反射膜，该反射膜具有与相位坑序列和记录标记序列相对的镜面。在这种情况下，在偏离相位坑序列中的相位坑的位置处，从该镜面反射的光的反射率被设置在14％至24％的范围内。所设置的反射率使得能够基于相位坑序列和记录标记序列，以足够的精度读出信息，即使当以高密度以集中的方式设置相位坑时。基于所述相位坑序列的利用，可以在该记录介质中记录浊音(sonant)信息和图像信息中的至少一种。基于记录标记序列的利用，可以在记录介质中记录浊音信息。通常，较高压缩率的数据压缩方法(例如，MP3)可以应用于浊音信息。即使当将记录标记序列用于浊音信息的记录时，在记录介质中也可以记录足够量的浊音信息。由于相位坑的密度高于记录标记的密度，所以在记录介质中可以记录足够量的图像信息。根据本专利技术的第二方面，提供了一种记录介质，该记录介质包括衬底，在该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；磁膜，其基于磁化的方向，在衬底的表面上限定多个记录标记，其中在相位坑序列中的相位坑的光学深度Pd[λ]与第一和第二双折射值之间的差d[nm]之间建立以下关系[表达式1]Pd＜-0.0052d+0.253 ...(1)其中，所述第一双折射值是针对光束单次穿过衬底而测量的，该衬底的姿态为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于该光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过衬底而测量的，该衬底的姿态为绕通过该光束在衬底上的光点延伸的径向线，相对于基准面旋转20度，λ表示用于读出信息的光束的波长。该记录介质使得能够基于该记录标记，在读出信息时，可靠地实现等于或小于8％的抖动。这导致可以基于记录标记，以较高的精度实现信息的记录和再现。具体地，在记录介质中，优选地建立以下关系[表达式2]Pd＜-0.0052d+0.253+0.03N ...(2) 其附带条件为[表达式3]N=SL(≥1)…(3)]]>其中L表示相位坑序列的最小坑长度，S表示记录标记的最小标记尺寸。该记录介质使得能够基于记录标记，在读出信息时，可靠地实现等于或小于8％的抖动，即使当相位坑序列中的最小坑长度L和记录标记的最小标记尺寸S之间的比率发生变化时。在该记录介质中，N优选地是自然数。这使得可以将最小标记尺寸设置为最小坑长度和一整数的乘积。为了基于记录标记，以如上所述相同的方式记录和再现信息，可以利用根据相位坑序列产生的时钟信号。这导致可以基于记录标记，以较高的精度实现信息的记录和再现。在记录介质中，还优选地建立以下关系[表达式4]Pd＞0.12 …(4)该记录介质使得能够基于记录标记，在读出信息时，可靠地实现等于或小于8％的抖动，即使当根据光盘(CD)的标准，相位坑序列中的最小坑长度被设置为小于1时。具体地，在记录介质中，优选地建立以下关系[表达式5]Pd＞0.17 ...(5)当根据光盘标准在记录介质中形成相位坑序列时，可以利用传统光盘(CD)播放器读出记录介质的信息。该记录介质可与传统光盘兼容。相位坑的光学深度优选地被设置为等于或大于0.225λ。这种光学深度使得能够建立等于或大于60％的调制度。可以满足光盘标准。在记录介质中，衬底可以由树脂材料制成。具体地，衬底可以优选地由属于非晶聚烯烃系的材料制成。在这种类型的衬底中，可以可靠地将双折射差设置为小于25nm。在记录介质中，在相位坑序列中的相邻相位坑序列之间，间隔可以设置在1.0μm至1.2μm的范围内。同样，最小坑长度可以被设置在0.55μm至0.65μm的范围内。所设置的间隔和最小坑长度有助于以较高密度建立相位坑。专利技术人揭示了本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种记录介质，该记录介质包括：衬底，在该衬底的表面中限定有多个相位坑序列，所述相位坑序列分别被设计为具有第一长度的最小坑长度；以及磁膜，其在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记序列，所述记录标记序列分别被设计为具有第二长度的最小标记尺寸，该第二长度大于所述第一长度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种记录介质，该记录介质包括衬底，在该衬底的表面中限定有多个相位坑序列，所述相位坑序列分别被设计为具有第一长度的最小坑长度；以及磁膜，其在所述衬底的所述表面上限定多个记录标记序列，所述记录标记序列分别被设计为具有第二长度的最小标记尺寸，该第二长度大于所述第一长度。2.根据权利要求1的记录介质，其中，所述最小标记尺寸是所述最小坑长度和一整数的乘积。3.根据权利要求1的记录介质，其中，在所述衬底中，至少在包括所述相位坑序列的区域上，第一和第二双折射值之间的差被设置为小于25nm，所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿态为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述光束的基准面旋转20度，所述第二双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿态为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的径向线，相对于所述基准面旋转20度。4.根据权利要求1的记录介质，其中，在所述相位坑序列中，相位坑的光学深度被设置在0.14λ至0.25λ的范围内，其中λ表示用于读出信息的光束的波长。5.根据权利要求1的记录介质，其中，所述相位坑序列中的相邻相位坑序列之间的间隔被设置在1.0μm至1.2μm的范围内，最小坑长度被设置在0.55μm至0.65μm的范围内。6.根据权利要求1的记录介质，该记录介质还包括反射膜，该反射膜具有与所述相位坑序列和所述记录标记序列相对的镜面，其中在偏离所述相位坑序列中的相位坑的位置处，从所述镜面反射的光的反射率被设置在14％至24％的范围内。7.根据权利要求1的记录介质，其中，基于所述相位坑序列的利用，记录浊音信息和图像信息中的至少一种，基于所述记录标记序列的利用，记录浊音信息。8.一种记录介质，该记录介质包括衬底，在该衬底的表面上限定有多个相位坑序列；以及磁膜，其基于磁化方向在所述衬底的表面上限定记录标记，其中在所述相位坑序列中的相位坑的光学深度Pd[λ]与第一和第二双折射值之间的差d[nm]之间建立以下关系[表达式10]Pd＜-0.0052d+0.253 ...(1)其中，所述第一双折射值是针对光束单次穿过所述衬底而测量的，所述衬底的姿态为绕通过所述光束在所述衬底上的光点延伸的切线，相对于垂直于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：细川哲夫，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]