制造磁光装置的方法制造方法及图纸

制造磁光装置的方法，其中至少一个线圈（３）被嵌入到氧化物层（２）中，其中给氧化物层（２）提供至少一个开口（４）。其中，利用所述线圈（３）的至少一匝（６）的倾斜侧壁（６），所述开口（４）被选择性地蚀刻在所述氧化物层（２）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及一种。欧洲专利申请EP03101884.9描述了这样一种方法，其引入这里作为参考。该在先申请在本申请申请日尚未公布。磁光装置用于信息载体上的高密度磁光读和/或写。这样一种装置包含磁场调制(MFM)线圈，用于将偏振光束，特别是激光光束，聚焦到信息载体上。该线圈可以嵌入到氧化物层中。这种磁光装置的问题在于水蒸气在使用中会凝结在其上。凝结的水蒸气妨碍了光束的传输。在欧洲专利申请EP03101884.9中，建议给氧化物层在线圈的中心或中心周围提供一开口，从而解决上述问题。这样一种开口的应用能够阻止水蒸气凝结在光学读和/或写光束的光路上。例如，该开口可能被蚀刻并具有陡的侧壁。然而，相对困难的是比较快并经济地形成这样一个开口。专利技术概述本专利技术的目的是提供一种改进的。根据本专利技术，该目的通过权利要求1的特征实现。根据本专利技术，至少一个线圈嵌入到氧化物层中，该氧化物层被提供至少一个开口，其中，利用所述线圈的至少一匝的倾斜侧壁，所述开口有选择性地蚀刻在所述氧化物层中。由于所述开口有选择性地蚀刻在所述氧化物层中，因此可以获得一自对准(self-aligned)开口，降低磁光本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造磁光装置的方法，包含以下步骤：在氧化物层（２）中嵌入至少一个线圈（３），给氧化物层（２）提供至少一个开口（４），利用所述线圈（３）的至少一匝（５）的倾斜侧壁（６），在所述氧化物层（２）中选择性地蚀刻所述开口（４）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2004-1-19 04100146.21.制造磁光装置的方法，包含以下步骤在氧化物层(2)中嵌入至少一个线圈(3)，给氧化物层(2)提供至少一个开口(4)，利用所述线圈(3)的至少一匝(5)的倾斜侧壁(6)，在所述氧化物层(2)中选择性地蚀刻所述开口(4)。2.根据权利要求1的方法，其中，所述线圈(3)的内匝(5i)的内侧壁(6)的倾斜面被用来选择性地蚀刻所述开口(4)，这样，所述开口(4)在所述线圈(3)中心上和/或通过所述线圈中心延伸。3.根据权利要求1或2的方法，其中，当从轴向线圈方向(Z)观看时，所述氧化物层(2)的第一部分(2a)至少在所述线圈匝(5)的所述倾斜侧壁(6)和氧化物层(2)的表面(7)之间延伸，并且，其中所述开口(4)通过蚀刻所述氧化物层(2)的第二部分(2b)的至少一部分形成，第二氧化物层部分(2a)邻接所述第一氧化物层部分(2a)。4.根据权利要求3的方法，其中抗蚀剂层(8)被提供在所述氧化物层表面(7)，其中所述抗蚀剂层(8)被提供有开口(9)，其至少提供到所述第二氧化物层部分(2b)的部分表面的入口，并且，其中所述第二氧化物层(2b)借助于提供到所述抗蚀剂开口(9)的蚀刻剂蚀刻。5.根据权利要求2和4的方法，其中，抗蚀剂开口(9)的直径(Dr)被选择为大于所述内线圈匝(5i)的内侧壁的最小直径(D0...

【专利技术属性】
技术研发人员：RJM武勒斯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]