制造磁光装置的方法制造方法及图纸

制造磁光装置的方法，其中至少一个线圈（３）被嵌入到氧化物层（２）中，其中给氧化物层（２）提供至少一个开口（４）。其中，利用所述线圈（３）的至少一匝（６）的倾斜侧壁（６），所述开口（４）被选择性地蚀刻在所述氧化物层（２）中。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及一种。欧洲专利申请EP03101884.9描述了这样一种方法，其引入这里作为参考。该在先申请在本申请申请日尚未公布。磁光装置用于信息载体上的高密度磁光读和/或写。这样一种装置包含磁场调制(MFM)线圈，用于将偏振光束，特别是激光光束，聚焦到信息载体上。该线圈可以嵌入到氧化物层中。这种磁光装置的问题在于水蒸气在使用中会凝结在其上。凝结的水蒸气妨碍了光束的传输。在欧洲专利申请EP03101884.9中，建议给氧化物层在线圈的中心或中心周围提供一开口，从而解决上述问题。这样一种开口的应用能够阻止水蒸气凝结在光学读和/或写光束的光路上。例如，该开口可能被蚀刻并具有陡的侧壁。然而，相对困难的是比较快并经济地形成这样一个开口。专利技术概述本专利技术的目的是提供一种改进的。根据本专利技术，该目的通过权利要求1的特征实现。根据本专利技术，至少一个线圈嵌入到氧化物层中，该氧化物层被提供至少一个开口，其中，利用所述线圈的至少一匝的倾斜侧壁，所述开口有选择性地蚀刻在所述氧化物层中。由于所述开口有选择性地蚀刻在所述氧化物层中，因此可以获得一自对准(self-aligned)开口，降低磁光装置的制造时间以及制造成本。选择性蚀刻是利用所述线圈的至少一匝的倾斜侧壁来实现。因此，开口能以较高准确度形成在预期位置。此外，以这种方式，选择性蚀刻的开口能够具有陡的侧壁。已发现的是，氧化物的蚀刻速度由于氧化物下面倾斜侧壁的存在而不同。本专利技术利用该特征在制造磁光装置上具有优势。应该注意的是，氧化物的选择性蚀刻的方法广泛地描述在本申请人的欧洲专利申请EP02080573.5中，其引入这里作为参考。该申请在本专利技术申请日前尚未公布。本专利技术还涉及一种磁光装置。由于正确的读和/或写信息通过所述开口被提高，所以磁光装置，其至少部分的由根据本专利技术的方法制造，可以有利地用于读和/或写信息。本专利技术还涉及使用根据本专利技术的磁光装置。本专利技术进一步有利的实施例在从属权利要求中描述。现基于附图中示出的典型实施例对本专利技术进行更详细地描述。 附图说明图1是使用本专利技术一个实施例的示意性截面图。；图2显示了选择性蚀刻氧化物层的第一步；图3显示了选择性蚀刻氧化物层的第二步；图4显示了根据本专利技术第一实施例的第一步；图5显示了根据第一实施例的第二步；图6显示了根据第一实施例的第三步；图7显示了根据第一实施例的第四步；图8显示了根据第一实施例的第五步；图9显示了根据第一实施例的第六步；图10显示了根据第一实施例的第七步；图11显示了根据本专利技术第二实施例的第一步；图12显示了第二实施例的第二步。优选实施例描述图1示意性地显示了使用磁光装置H。当前实施例的装置H是读和/或写头，其包含透镜L和线圈3，用于将光束B投射到信息载体100的信息承载层101上。例如，所述光束B可以是激光产生的(laser-generated)偏振光束。所述线圈3包含若干匝5的电导材料，例如金属，特别是铜等。线圈3基本上关于透镜L的光轴OA同心对准，这样，透镜L可以将所述光束B通过线圈3的中心引导到信息载体100上。装置H包含透明材料基底1，例如，玻璃。基底用作线圈座。为此，所述线圈3已被嵌入的氧化物层2被提供到所述基底1上。例如，所述氧化物层2可以包含氧化铝(Al2O3)。在使用过程中，氧化物层2的外表面位于距离信息载体100较短距离FWD，例如，大约20微米或更少的距离。光束B加热信息载体100，其可以导致水从其上蒸发。所得到的水蒸气会凝结在氧化物层2的表面，妨碍装置H的正常功能。在图1示出的装置H的实施例中，氧化物层2包含开口4，其通过线圈3的中心延伸，位于氧化物层的外表面和基底1的表面11之间。开口4阻止了水蒸气凝结在光束B的光路上。根据本专利技术，通过利用所述线圈3的至少一匝5的倾斜侧壁6，在所述氧化物层2中选择性蚀刻开口，磁光装置H的氧化物层2被提供至少一个开口4。图2和3示意性地显示了选择性蚀刻氧化物层2的原理。已发现的是，相比较氧化物层的其余部分的蚀刻速度，在基础结构的倾斜侧壁6上的氧化物层2的蚀刻速度较低。这尤其取决于使用的化合物。当氧化物层2是氧化铝(Al2O3)层时，可以获得好的结果。在图2中，包含倾斜侧壁6的金属线圈部分5，已经提供在基底1的表面11上。倾斜侧壁6面向离开所述基底表面11。金属部分5嵌入到氧化物层2中，该氧化物层已沉积在基底表面11上。氧化物层2包含第一部分2a，当从垂直于所述氧化物层表面7的Z方向看时，其基本上在所述倾斜侧壁6和氧化物层2的顶面7之间延伸。氧化物层2的其余的第二部分2b在其之间延伸，并紧接于所述第一部分2a。当适当的蚀刻剂，例如湿蚀刻剂(wet etchant)，应用到氧化物层2的顶面7时，第一氧化物部分2a相比较第二蚀刻部分2b被蚀刻的较慢，导致了图3所示的结构。所得到的结构包含开口4，其在第一氧化物层部分2a的其余的部分2a′之间延伸。除了湿蚀刻之外，干蚀刻技术也可以用来蚀刻氧化物层中的开口4。然而，湿蚀刻技术的使用相比较干蚀刻技术的使用具有简单、较高处理速度以及较低处理费用的优点。图4-10显示了利用选择性蚀刻氧化物层2的第一实施例。该方法至少部分地利用在EP0301884.9和EP02080573.5中描述的方法。图4显示了第一步，其中至少一个金属层20沉积在基底1上。然后，抗蚀剂层21被沉积。利用标准平版印刷术技术，用负片线圈图案制作抗蚀剂层21的图案。结果显示在图5中。在形成抗蚀剂层21的图案后，沉积金属3，优选地用电镀处理来沉积金属3，用来形成包含所述倾斜侧壁6的金属线圈图案，如图6所示。然后，形成图案的抗蚀剂层21被除去。在抗蚀剂21已经被除去后，例如通过溅射蚀刻，所述金属3和金属层或多金属层21被部分的从基底1除去，导致如图7中所示的第一线圈结构层。在此之后，氧化物层2被沉积在基底1上，这样，线圈结构3被嵌入其中。优选的，被沉积的氧化物层2的表面7被平面化(planarized)。可以重复上述步骤以形成第二线圈结构层，导致了图8中示意性示出的装置结构。在图8中，装置H包含线圈3，其具有带有倾斜内侧壁6的内匝5i。当从轴向线圈方向Z看时，所述氧化物层2的第一部分2a至少在内线圈绕组5i的倾斜内侧壁6之上以及氧化物层2的表面7下面延伸。当从轴向线圈方向Z看时，所述第一氧化物层部分2a也部分地沿着倾斜内侧壁6的边缘延伸，见图8。如图8中示出的，第二氧化物层部分2b邻接所述第一氧化物层部分2a。当从垂直所述轴向方向Z的径向方向观看时，该第二氧化物层2b部分由所述第一氧化物层部分2a环绕。如图2和3，中心开口4被选择性地蚀刻在图8所示的装置结构中，优选的通过湿蚀刻技术进行蚀刻。想要形成的开口4通过由线圈3的内匝5i包围的区域延伸。为了这个目的，所述线圈3的内匝5i的内侧壁6的倾斜面被用来选择性地蚀刻所述开口4。更具体的，所述氧化物层2的环绕第一部分2a被用来限制蚀刻到中心第二氧化物层部分2b。如图9和10所示，这样一个开口4可以通过将抗蚀剂层8应用到所述氧化物表面7上获得。开口9借助于平板印刷术技术被提供在所述抗蚀剂层8中。抗蚀剂开口9提供了到所述第二氧化物层部分2b表面的入口。在当前实施例中，所述抗蚀剂开口9在所述第一和第二氧化物层部分本文档来自技高网...

【技术保护点】
制造磁光装置的方法，包含以下步骤：在氧化物层（２）中嵌入至少一个线圈（３），给氧化物层（２）提供至少一个开口（４），利用所述线圈（３）的至少一匝（５）的倾斜侧壁（６），在所述氧化物层（２）中选择性地蚀刻所述开口（４）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】EP 2004-1-19 04100146.21.制造磁光装置的方法，包含以下步骤在氧化物层(2)中嵌入至少一个线圈(3)，给氧化物层(2)提供至少一个开口(4)，利用所述线圈(3)的至少一匝(5)的倾斜侧壁(6)，在所述氧化物层(2)中选择性地蚀刻所述开口(4)。2.根据权利要求1的方法，其中，所述线圈(3)的内匝(5i)的内侧壁(6)的倾斜面被用来选择性地蚀刻所述开口(4)，这样，所述开口(4)在所述线圈(3)中心上和/或通过所述线圈中心延伸。3.根据权利要求1或2的方法，其中，当从轴向线圈方向(Z)观看时，所述氧化物层(2)的第一部分(2a)至少在所述线圈匝(5)的所述倾斜侧壁(6)和氧化物层(2)的表面(7)之间延伸，并且，其中所述开口(4)通过蚀刻所述氧化物层(2)的第二部分(2b)的至少一部分形成，第二氧化物层部分(2a)邻接所述第一氧化物层部分(2a)。4.根据权利要求3的方法，其中抗蚀剂层(8)被提供在所述氧化物层表面(7)，其中所述抗蚀剂层(8)被提供有开口(9)，其至少提供到所述第二氧化物层部分(2b)的部分表面的入口，并且，其中所述第二氧化物层(2b)借助于提供到所述抗蚀剂开口(9)的蚀刻剂蚀刻。5.根据权利要求2和4的方法，其中，抗蚀剂开口(9)的直径(Dr)被选择为大于所述内线圈匝(5i)的内侧壁的最小直径(D0...

【专利技术属性】
技术研发人员：RJM武勒斯，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[]