本发明专利技术涉及利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其包括：蚀刻液存储腔室，该蚀刻液存储腔室存储蚀刻液；连接部，该连接部与蚀刻液存储腔室连通；蚀刻腔室，该蚀刻腔室通过该连接部而与蚀刻液存储腔室连通以蚀刻目标物；及加压维持部，该加压维持部使蚀刻液存储腔室与蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。至少一个维持在加压气氛。至少一个维持在加压气氛。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用蚀刻腔室的蚀刻装置
[0001]本专利技术涉及利用蚀刻腔室的蚀刻装置，更详细而言，涉及一种能够提高蚀刻性能的利用蚀刻腔室的蚀刻装置。
技术介绍
[0002]硅氮化膜在半导体制程用作代表性的绝缘膜。硅氮化膜构成与硅氧化膜、多晶硅膜、硅晶片表面等接触的结构，借助于CVD(Chemical vapor deposition：化学气相沉积)过程而沉积，其通过干式蚀刻及湿式蚀刻而去除。
[0003]干式蚀刻主要加入氟类气体及惰性气体等，在真空状态下进行，用于执行干式蚀刻的装备价格昂贵，因而在商业应用方面存在界限。因此，利用磷酸的湿式蚀刻比干式蚀刻应用更广泛。具体而言，湿式蚀刻是借助于蚀刻液的化学反应而选择性地在物件体(基板等)中蚀刻希望的物件层，可以根据要求的特性或蚀刻度等，简便地混合组成具有与此相符的配比的蚀刻液而进行作业，提供比干式蚀刻进一步提高的作业相容性。另外，一次可以处理大量的物件体，装置的价格低廉。但是，湿式蚀刻在进行蚀刻时，由于蚀刻液的一部分气化，物件体的温度会因气化热下降，且由于蚀刻液的气化，蚀刻液的浓度控制困难，因而发生CD损失。因此，为了固定地维持该蚀刻液的浓度，目前是将大量的去离子水及蚀刻液投入蚀刻槽而执行物件体的蚀刻，但此时，由于投入大量的去离子水及蚀刻液，经济上的损失大。
[0004]因此，本专利技术人在为了固定地保持该蚀刻液的浓度而进行研究的期间发现，当对蚀刻液存储腔室及/或蚀刻腔室加压时，可以防止蚀刻液的气化现象，使蚀刻液的浓度维持固定，因而针对硅氧化膜的硅氮化膜选择比会显著提高，从而完成了本专利技术。
[0005]与此相关联，韩国授权专利第10
‑
0691479号(授权公告日：2007年3月12日)公开了大面积基板的蚀刻装置。
技术实现思路
[0006][技术问题][0007]本专利技术提供一种能够提高蚀刻性能的利用蚀刻腔室的蚀刻装置。
[0008][技术方案][0009]本专利技术的利用蚀刻腔室的蚀刻装置包括：蚀刻液存储腔室，该蚀刻液存储腔室存储蚀刻液；连接部，该连接部与该蚀刻液存储腔室连通；蚀刻腔室，该蚀刻腔室通过该连接部而与该蚀刻液存储腔室连通以蚀刻目标物；及加压维持部，该加压维持部使该蚀刻液存储腔室与该蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。
[0010]另外，该加压维持部可以包括调节该蚀刻液存储腔室的压力的第一加压维持部及调节该蚀刻腔室的压力的第二加压维持部中的至少一个。
[0011]另外，该第一加压维持部可以具备：第一加压部，该第一加压部使该蚀刻液存储腔室维持在设定的压力；温度控制部，该温度控制部控制该蚀刻液存储腔室内部的温度；及第
一排气部，该第一排气部使该蚀刻液存储腔室内部的气体排出到外部。
[0012]另外，该第二加压维持部可以具备：第二加压部，该第二加压部使该蚀刻腔室维持在设定的压力；及第二排气部，该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部。
[0013]另外，该第二排气部可以使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部而与该蚀刻液存储腔室的内部产生压力差异。
[0014]另外，该连接部可以具备：蚀刻液移动部，该蚀刻液移动部供蚀刻液从该蚀刻液存储腔室移动到该蚀刻腔室；选择性切断部，该选择性切断部配置于该蚀刻液移动部，选择性地切断该蚀刻液移动部；及蚀刻液供应部，该蚀刻液供应部促进该蚀刻液的移动。
[0015]另外，该蚀刻腔室可以具备：托架，该托架供该目标物安装；及蚀刻性能提高部，该蚀刻性能提高部配置于该托架，提高该物件体的蚀刻性能。
[0016]另外，该蚀刻腔室可以具备在内部形成有容纳部的杯部，该托架可以在该杯部的上部可旋转地配置。
[0017]另外，该蚀刻腔室可以具备：第一腔室，该第一腔室在内部的压力室配置该杯部；及第二腔室，该第二腔室能开闭地配置于该第一腔室的一侧，形成有蚀刻液投入口，以向内部供应该蚀刻液。
[0018]另外，该杯部可以具备安装于该压力室的底面的支架。
[0019]另外，在该托架的下部可以具备旋转轴，该旋转轴形成垂直旋转中心，并从旋转驱动部传递旋转驱动力。
[0020]另外，该旋转轴可以垂直地贯通于该第一腔室的第一连结部，可以具备第一密封构件，该第一密封构件插入于该第一连结部，以贴紧状态包围该旋转轴的旋转方向。
[0021]另外，该第一密封构件可以具备第一肋部，该第一肋部从内周面凸出，倾斜地贴紧该旋转轴的半径方向，沿上下方向排列至少一个。
[0022]另外，该蚀刻性能提高部可以凹陷地配置，以使该物件体以插入状态安装，浸于该蚀刻液中。
[0023]另外，该蚀刻性能提高部可以具备：安装面，该安装面沿边缘形成，以安装该物件体；及台阶，该台阶沿该安装面的边缘形成，在该物件体的上部容纳该蚀刻液。
[0024]另外，该托架可以具备用以上下贯通的通道。
[0025]另外，可以还具备用于使该物件体升降的升降部，该升降部在上升时，可以使该物件体位于该托架的上部，下降时，可以使该物件体安装于该蚀刻性能提高部。
[0026]另外，该升降部可以具备：主体，该主体能够在该杯部的下部升降；及支撑销，该支撑销从该主体向上部凸出，能够通过该通道而升降，支撑该物件体的下部。
[0027]另外，该主体可以具备从升降驱动部传递升降驱动力的升降销。
[0028]另外，该升降销可以垂直地贯通于该第一腔室的第二连结部，可以具备第二密封构件，该第二密封构件向该主体的下部凸出，插入于该第二连结部，以贴紧状态包围该升降销的宽度方向。
[0029]另外，该第二密封构件可以具备第二肋部，该第二肋部从内周面凸出，倾斜地贴紧该升降销的宽度方向，沿上下方向排列至少一个。
[0030]另外，在该蚀刻腔室可以具备用于在蚀刻完成后清洗该蚀刻液的清洗部。
[0031]另外，该清洗部可以具备：供应管线，该供应管线连接到该蚀刻腔室的内部；及清
洗水供应部，该清洗水供应部通过该供应管线供应清洗水。
[0032]另外，该蚀刻液存储腔室与该蚀刻腔室可以配置成连通于与外部密闭的蚀刻处理部内部的状态，该蚀刻处理部内部可以维持在加压气氛。
[0033]另外，该加压气氛可以维持在0.1帕至10帕，该蚀刻腔室可以具备用于使供应到内部的该蚀刻液排出到外部的排出部。
[0034]另外，该利用蚀刻腔室的蚀刻装置可以进一步包括存储该物件体的存储部，该存储部可以使未执行蚀刻的该物件体逐一连续移动到该蚀刻腔室而执行蚀刻，使结束蚀刻的物件体连续移动到该蚀刻腔室外部。
[0035]另外，该蚀刻腔室可以是配置有多个该物件体并同时蚀刻的批量式，该蚀刻腔室可以是该蚀刻液向该物件体的上部喷雾并蚀刻的单片式。
[0036]另外，该蚀刻液可以选择性地使用HF、NHO3、H2O2、IPA、NH4OH、H2O、H3PO4、H2SO4中至少一种或一种以上的混合物。
[0037][专利技术效果][0038]本专利技术的利用蚀刻腔室的蚀刻装置是对蚀刻本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其包括：一蚀刻液存储腔室，该蚀刻液存储腔室存储一蚀刻液；一连接部，该连接部与该蚀刻液存储腔室连通；一蚀刻腔室，该蚀刻腔室通过该连接部而与该蚀刻液存储腔室连通以蚀刻一目标物；及一加压维持部，该加压维持部使该蚀刻液存储腔室与该蚀刻腔室中的至少一个维持在加压气氛。2.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该加压维持部具备调节该蚀刻液存储腔室的压力的一第一加压维持部及调节该蚀刻腔室的压力的一第二加压维持部中的至少一个。3.根据权利要求2所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该第一加压维持部具备：一第一加压部，该第一加压部使该蚀刻液存储腔室维持在设定的压力；一温度控制部，该温度控制部控制该蚀刻液存储腔室内部的温度；及一第一排气部，该第一排气部使该蚀刻液存储腔室内部的气体排出到外部。4.根据权利要求2所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该第二加压维持部具备：一第二加压部，该第二加压部使该蚀刻腔室维持在设定的压力；及一第二排气部，该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部。5.根据权利要求4所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该第二排气部使该蚀刻腔室内部的气体排出到外部而与该蚀刻液存储腔室的内部产生压力差异。6.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该连接部具备：一蚀刻液移动部，该蚀刻液移动部供该蚀刻液从该蚀刻液存储腔室移动到该蚀刻腔室；一选择性切断部，该选择性切断部配置于该蚀刻液移动部，选择性地切断该蚀刻液移动部；及一蚀刻液供应部，该蚀刻液供应部促进该蚀刻液的移动。7.根据权利要求1所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该蚀刻腔室具备在内部形成有一容纳部的一杯部，以及在该杯部的上部可旋转地配置的一托架。8.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该蚀刻腔室具备：一第一腔室，该第一腔室在内部的一压力室配置有该杯部；及一第二腔室，该第二腔室能开闭地配置于该第一腔室的一侧，并形成有一蚀刻液投入口，以向内部供应该蚀刻液。9.根据权利要求7所述的利用蚀刻腔室的蚀刻装置，其中，该杯部具备安装于该压力室的底面的一支架。
10.根据权利要求7所述的利用...
【专利技术属性】
技术研发人员：李昇勋，牟圣元，李羊浩，裵祯贤，朴成焕，赵显东，
申请(专利权)人：杰宜斯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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