【技术实现步骤摘要】
碳化硅二极管结构及制作方法
[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体地，涉及一种碳化硅二极管结构及制作方法。
技术介绍
[0002]碳化硅是一种由硅和碳构成的化合物半导体材料，具有优越的电学性能，第三代半导体
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SIC(碳化硅)因其高禁带宽度、高阻断电压和高热导率等特性，成为制作高温、高频、抗辐射和大功率电力电子器件的理想半导体材料。平面碳化硅器件具有高可靠性特性的重要条件是具有良好的结构与终端保护。
[0003]现有公开号为CN109509706A的中国专利，其公开了一种碳化硅二极管的制备方法及由该制备方法制成的碳化硅二极管，该碳化硅二极管包括一碳化硅衬底、一碳化硅外延层、一图形化的场板介质层、一图形化的肖特基接触电极和一欧姆接触电极层；碳化硅外延层设置于碳化硅衬底的正面；在碳化硅外延层内且沿着碳化硅外延层的上表面设置有图形化的离子注入区；碳化硅外延层的上表面设置有图形化的场板介质层，且碳化硅外延层的上表面未图形化的场板介质层覆盖的区域设置有图形化的肖特基接触电极；图形化的场板介质层的上...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅二极管结构，其特征在于，包括碳化硅衬底(10)、碳化硅外延层(14)、正面电极(70)、肖特基势垒层(40)、P型分压环(20)、N型截止环(30)、复合终端钝化层(99)、欧姆接触层(100)以及背面电极(110)；所述背面电极(110)、欧姆接触层(100)以及碳化硅衬底(10)从下往上依次叠加，所述碳化硅外延层(14)在碳化硅上方设置有一层或多层，所述P型分压环(20)通过离子注入设置在位于最上层的碳化硅外延层(14)内，所述N型截止环(30)通过离子注入设置在位于最上层的碳化硅外延层(14)内，且所述N型截止环(30)位于P型分压环(20)的外侧；所述肖特基势垒层(40)和正面电极(70)二者在位于最上层的碳化硅外延层(14)的上表面从下往上依次叠加，所述复合终端钝化层(99)设置在位于最上层的碳化硅外延层(14)的上表面，且所述复合终端钝化层(99)将正面电极(70)半包围并使正面电极(70)的上表面的局部裸露。2.如权利要求1所述的一种碳化硅二极管结构，其特征在于，所述正面电极(70)的上侧边缘位置形成有配合部(71)，所述复合终端钝化层(99)包括二氧化硅层(50)和磷硅玻璃层(60)，所述二氧化硅层(50)和磷硅玻璃层(60)二者在位于最上层的碳化硅外延层(14)的上表面从下往上依次叠加，且所述磷硅玻璃层(60)的上表面与配合部(71)的下表面贴合。3.如权利要求2所述的一种碳化硅二极管结构，其特征在于，所述复合终端钝化层(99)还包括氮化硅层(80)和聚酰亚胺层(90)，所述氮化硅层(80)和聚酰亚胺层(90)二者均在磷硅玻璃层(60)的上表面从下往上依次叠加，且所述氮化硅层(80)和聚酰亚胺层(90)二者均覆盖正面电极(70)上表面的边缘。4.如权利要求1所述的一种碳化硅二极管结构，其特征在于，所述碳化硅衬底(10)与碳化硅外延层(14)之间设置有隔离缓冲层(11)。5.如权利要求4所述的一种碳化硅二极管结构，其特征在于，所述隔离缓冲层(11)包括N型碳化硅导电材料，厚度在0.5um至2um之间，电阻率在10
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之间。6.如权利要求1所述的一种碳化硅二极管结构，其特征在于，所述碳化硅外延层(14)包括第一外延层(12)和第二外延层(13)，所述第一外延层(12)位于第二外延层(13)的下方，所述第一外延层(12)和第二外延层(13)二者均包括碳化硅导电材料；所述第一外延层(12)的厚度在0.5um至5um之间，所述第一外延层(12)的电阻率在10
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之间；所述第二外延层(13)的厚度在2um至50um之间，所述第二外延层(13)的电阻率在10
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之间。7...
【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：淄博绿能芯创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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