一种碳化硅肖特基二极管结构制造技术

本实用新型专利技术提供了一种碳化硅肖特基二极管结构，包括封装外壳、第一阳极导电脚、第二阳极导电脚、阴极导电脚、第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片，所述封装外壳包括基座、凸台，所述基座上端形成有第一镂空槽、第二镂空槽，所述阴极导电脚包括第一导电部、弯折部、第一焊接部，所述第一碳化硅芯片的阴极与所述第一导电部之间连接有第一导线，所述第二碳化硅芯片的阴极与所述第一导电部之间连接有第二导线，所述第一导电部位于所述凸台内侧。本实用新型专利技术的碳化硅肖特基二极管结构，具有宽带隙、高击穿场强、高热导率的特性，并且将封装外壳设计成基座与凸台组合的结构，降低了材料成本，提升了二极管的散热性能。二极管的散热性能。二极管的散热性能。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅肖特基二极管结构


[0001]本技术涉及二极管
，具体涉及一种碳化硅肖特基二极管结构。

技术介绍

[0002]碳化硅材料具有宽带隙、高击穿场强、高热导率、高饱和电子迁移速率以及极好的物理化学稳定性等特性，适于在高温、高频、大功率和极端环境下工作，因此部分二极管应用碳化硅材料取代传统的硅材料制作成了碳化硅肖特基二极管。部分电路中，通常在碳化硅肖特基二极管中设计两个碳化硅芯片，并且将两个碳化硅芯片的阴极共同焊接在同一阴极导电脚上，使得两个PN结反向串联，其电路原理如图5所示，其中一个正向的碳化硅芯片用来作温度补偿。传统的碳化硅肖特基二极管结构，通常利用封装外壳将碳化硅芯片封装保护，封装外壳的结构为矩形结构，体积大，消耗了大量的材料，并且碳化硅芯片工作时产生的热量需要经过厚重的封装外壳，散热性能较差。

技术实现思路

[0003]针对以上问题，本技术提供一种碳化硅肖特基二极管结构，具有宽带隙、高击穿场强、高热导率的特性，并且将封装外壳设计成基座与凸台组合的结构，降低了材料成本，提升了二极管的散热性能。
[0004]为实现上述目的，本技术通过以下技术方案来解决：
[0005]一种碳化硅肖特基二极管结构，包括封装外壳、第一阳极导电脚、第二阳极导电脚、阴极导电脚、第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片，所述封装外壳包括基座、连接在所述基座上端的凸台，所述基座上端形成有第一镂空槽、第二镂空槽，所述第一镂空槽、第二镂空槽分别位于所述凸台的前后两端，所述第一碳化硅芯片的阳极与所述第一阳极导电脚电性连接，所述第二碳化硅芯片的阳极与所述第二阳极导电脚电性连接，所述阴极导电脚包括第一导电部、弯折部、第一焊接部，所述第一碳化硅芯片的阴极与所述第一导电部之间连接有第一导线，所述第二碳化硅芯片的阴极与所述第一导电部之间连接有第二导线，所述第一导电部位于所述凸台内侧。
[0006]具体的，所述第一阳极导电脚包括第二导电部、第二焊接部，所述第二导电部位于所述基座内侧，所述第二焊接部一端延伸至所述基座外侧，所述第一碳化硅芯片的阳极焊接在所述第二导电部上。
[0007]具体的，所述第二阳极导电脚包括第三导电部、第三焊接部，所述第三导电部位于所述基座内侧，所述第三焊接部一端延伸至所述基座外侧，所述第二碳化硅芯片的阳极焊接在所述第三导电部上。
[0008]具体的，所述凸台上端形成有第一斜面、第二斜面。
[0009]具体的，所述凸台上表面还覆盖有一层散热涂层。
[0010]本技术的有益效果是：
[0011]本技术的碳化硅肖特基二极管结构，具有宽带隙、高击穿场强、高热导率的特
性，并且将封装外壳设计成基座与凸台组合的结构，基座上端形成有第一镂空槽、第二镂空槽，凸台上端形成有第一斜面、第二斜面，减少了封装外壳的体积，从而降低了材料成本，还提升了二极管的散热性能。
附图说明
[0012]图1为本技术的一种碳化硅肖特基二极管结构的立体结构图。
[0013]图2为第一阳极导电脚、第二阳极导电脚、阴极导电脚、第一碳化硅芯片、第二碳化硅芯片的结构示意图。
[0014]图3为本技术的一种碳化硅肖特基二极管结构的俯视图。
[0015]图4为图3中A
‑
A面的剖面图。
[0016]图5为本技术的一种碳化硅肖特基二极管结构的电路原理图。
[0017]附图标记为：封装外壳1、基座11、凸台12、第一镂空槽101、第二镂空槽102、第一斜面103、第二斜面104、第一阳极导电脚2、第二导电部21、第二焊接部22、第二阳极导电脚3、第三导电部31、第三焊接部32、阴极导电脚4、第一导电部41、弯折部42、第一焊接部43、第一碳化硅芯片5、第二碳化硅芯片6、散热涂层7。
具体实施方式
[0018]下面结合实施例和附图对本技术作进一步详细的描述，但本技术的实施方式不限于此。
[0019]如图1
‑
5所示：
[0020]一种碳化硅肖特基二极管结构，包括封装外壳1、第一阳极导电脚2、第二阳极导电脚3、阴极导电脚4、第一碳化硅芯片5、第二碳化硅芯片6，封装外壳1包括基座11、连接在基座11上端的凸台12，基座11上端形成有第一镂空槽101、第二镂空槽102，第一镂空槽101、第二镂空槽102分别位于凸台12的前后两端，封装外壳1制作过程中，减少了第一镂空槽101、第二镂空槽102部分的材料，降低了材料成本，第一碳化硅芯片5的阳极与第一阳极导电脚2电性连接，第二碳化硅芯片6的阳极与第二阳极导电脚3电性连接，阴极导电脚4包括第一导电部41、弯折部42、第一焊接部43，第一碳化硅芯片5的阴极与第一导电部41之间连接有第一导线，第一导线为铜线，用于实现第一碳化硅芯片5的阴极与第一导电部41之间的电性连接，第二碳化硅芯片6的阴极与第一导电部41之间连接有第二导线，第二导线为铜线，用于实现第二碳化硅芯片6的阴极与第一导电部41之间的电性连接，阴极导电脚4经过冲压成型后，弯折部42呈“Z”形结构，使得第一导电部41的水平高度大于第一导电部41的水平高度，并且封装外壳1封装成型后，第一导电部41位于凸台12内侧，将第一导电部41设计在凸台12内侧，能够合理地利用了凸台12内侧的空间，并提升了碳化硅肖特基二极管的散热效率。
[0021]优选的，第一阳极导电脚2包括第二导电部21、第二焊接部22，第二导电部21位于基座11内侧，第二焊接部22一端延伸至基座11外侧，第一碳化硅芯片5的阳极焊接在第二导电部21上。
[0022]优选的，第二阳极导电脚3包括第三导电部31、第三焊接部32，第三导电部31位于基座11内侧，第三焊接部32一端延伸至基座11外侧，第二碳化硅芯片6的阳极焊接在第三导电部31上。
[0023]优选的，凸台12上端形成有第一斜面103、第二斜面104，增加了第一斜面103、第二斜面104，减少了封装外壳1的体积，从而降低了材料成本。
[0024]优选的，为了进一步提升碳化硅肖特基二极管的散热性能，凸台12上表面还覆盖有一层散热涂层7。
[0025]以上实施例仅表达了本技术的1种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅肖特基二极管结构，其特征在于，包括封装外壳(1)、第一阳极导电脚(2)、第二阳极导电脚(3)、阴极导电脚(4)、第一碳化硅芯片(5)、第二碳化硅芯片(6)，所述封装外壳(1)包括基座(11)、连接在所述基座(11)上端的凸台(12)，所述基座(11)上端形成有第一镂空槽(101)、第二镂空槽(102)，所述第一镂空槽(101)、第二镂空槽(102)分别位于所述凸台(12)的前后两端，所述第一碳化硅芯片(5)的阳极与所述第一阳极导电脚(2)电性连接，所述第二碳化硅芯片(6)的阳极与所述第二阳极导电脚(3)电性连接，所述阴极导电脚(4)包括第一导电部(41)、弯折部(42)、第一焊接部(43)，所述第一碳化硅芯片(5)的阴极与所述第一导电部(41)之间连接有第一导线，所述第二碳化硅芯片(6)的阴极与所述第一导电部(41)之间连接有第二导线，所述第一导电部(41)位于所述凸台(12)内侧。2.根据权利要求1所...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓常春，
申请(专利权)人：东莞市佳骏电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：