基于隐埋AlTiO3终端结构的4H-SiC肖特基二极管及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种基于隐埋AlTiO3终端结构的4H

【技术实现步骤摘要】
基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管及制备方法


[0001]本专利技术属于半导体
，具体涉及一种基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管及制备方法。

技术介绍

[0002]SiC材料禁带宽度大、击穿电场高、饱和漂移速度和热导率大，这些材料优越性能使其成为制作高功率、高频、耐高温、抗辐射器件的理想材料。碳化硅肖特基二极管具有击穿电压高、电流密度大、工作频率高等一系列优点，因此发展前景非常广泛。目前碳化硅肖特基二极管面临的主要问题之一就是提高器件的应用可靠性。
[0003]为了实现较高的应用可靠性，从器件技术角度，需要对4H
‑
SiC肖特基二极管的表面金属边缘区域进行保护，以降低此处的电场集中现象。在常规传统结构的4H
‑
SiC功率肖特基二极管制作工艺中，该部分由特别设计的P型4H
‑
SiC终端保护区构成，通常为环状结构，该环状结构的横向尺寸、间距影响了电场分布。但是受实际工艺误差，在高温反偏、潮热反偏等可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管，其特征在于，包括：自下而上依次层叠设置的欧姆接触电极(1)、N型SiC衬底层(2)、N型SiC外延层(3)和肖特基接触电极(4)，其中，所述N型SiC外延层(3)内设置有若干隐埋终端保护区(5)，所述隐埋终端保护区(5)为封闭环结构并依次绕设于所述肖特基接触电极(4)的外围，若干所述隐埋终端保护区(5)自上而下呈阶梯状设置，且其与所述N型SiC外延层(3)两侧面之间的间距自上而下依次减小。2.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管，其特征在于，顶层所述隐埋终端保护区(5)的上表面与所述N型SiC外延层(3)上表面的间距小于等于0.5μm。3.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管，其特征在于，若干所述隐埋终端保护区(5)之间的间距，自上而下呈增大趋势。4.根据权利要求3所述的基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管，其特征在于，若干所述隐埋终端保护区(5)之间的间距，自上而下以0.1μm的步长递增。5.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管，其特征在于，所述隐埋终端保护区(5)的材料为AlTiO3或AIN。6.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管，其特征在于，所述N型SiC外延层(3)内间隔设置有若干P型离子注入区(6)，若干所述P型离子注入区(6)位于所述肖特基接触电极(4)的下方，且若干所述P型离子注入区(6)的上表面与所述肖特基接触电极(4)接触。7.根据权利要求1所述的基于隐埋AlTiO3终端结构的4H
‑
SiC肖特基二极管，其特征在于，还包括钝化层(7)，所述钝化层(7)设置所述N型SiC外延层(3)上未被所述肖特基接触电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王小周，李京波，赵艳，
申请(专利权)人：浙江芯国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：