本发明公开了一种碳化硅基铝镓氮/氮化镓微米线HEMT功率器件及制备方法，该器件包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米...

本发明公开了一种梯形氮化镓微米线阵列光电探测器及其制备方法，该探测器包括：硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；氮化镓微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线延伸方向与...

本发明公开了一种基于氮化镓微米线高电子迁移率晶体管阵列及制备方法，该阵列包括：衬底，所述衬底为单面抛光硅片；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干条状凹槽；多条微米线，设置在每个所述条状凹槽内...

本发明公开了一种碳化硅基氮化镓微米线阵列光电探测器及制备方法，该探测器包括：碳化硅衬底；二氧化硅绝缘层，间隔形成在所述碳化硅衬底上，以使未覆盖所述二氧化硅绝缘层的衬底上形成若干凹槽结构；氮化镓微米线，形成在所述凹槽结构内，并且所述微米线...

本发明涉及一种包含肖特基二极管的电路及相关应用，该电路包括肖特基二极管，所述肖特基二极管的N型外延层从上到下设置有同轴线的环形的若干隐埋终端保护区，并绕设于所述肖特基接触电极的外围；所述若干隐埋终端保护区的内径从上到下依次增大，且位于下...

本发明涉及一种包含肖特基二极管的电路及相关应用，该电路，包括肖特基二极管，所述肖特基二极管的肖特基接触电极位于所述二极管的N型外延层的中间区域；所述N型外延层上表面的外边缘具有第一环形阶梯，所述第一环形阶梯的台阶面从下到上设置有第一P型...

本发明涉及一种高质量氧化镓半导体器件及制备方法，该氧化镓半导体器件包括：Ga2O3衬底、场区、底栅介质层、第一金属层、第二金属层、源区、漏区和第三金属层，其中，场区嵌入Ga2O3衬底的端部，底栅介质层位于Ga2O3衬底的下方，第一金属层...

本发明涉及一种氧化镓肖特基结紫外探测器及制备方法，探测器包括：氧化镓衬底、氧化镓

本发明涉及一种PIN肖特基二极管的氧化镓MOSFET及制备方法，氧化镓MOSFET包括：N型区、P型阱区、N+源极区、栅极、第一场氧化物层、源极和漏极，P型阱区位于N型区的表层中；栅极位于P型阱区的表层中；N+源极区位于P型阱区的表层中...

本发明公开了一种双结型Ga2O3器件及其制备方法，所述制备方法包括：选取柔性衬底；在柔性衬底的上表面覆盖多层BN薄膜，形成第一BN薄膜层；在第一BN薄膜层上设置Ga2O3衬底并加热，以使Ga2O3衬底与第一BN薄膜层紧密贴合；在Ga2O...

本发明公开了一种三栅Ga2O3横向MOSFET功率器件及其制备方法，所述器件包括Ga2O3衬底、Ga2O3外延层、两个P型阱区、P型控制区、n+型源区、沟道区、栅极、源极和漏极，其中，Ga2O3衬底上开设有衬底凹槽，Ga2O3外延层设置...

本发明公开了一种氧化镓超级结肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括：选取衬底并在衬底上生长N型外延层；在N型外延层的上表面预定区域注入离子，形成两个N型注入区；在两个N型注入区之间的N型外延层的上表面注入离子，形成P型注入区；在P型...

本发明涉及一种SiC基MIS器件及其制备方法，方法包括：在蓝宝石衬底上制备氧化镓纳米片；在n型重掺SiC层上生长n型轻掺SiC栅介质层；在所述n型重掺SiC层远离所述n型轻掺SiC栅介质层的一侧制备底栅电极；将所述蓝宝石衬底上的所述氧化...

本发明涉及一种基于Ga2O3终端结构的4H

本发明涉及一种基于金刚石终端结构的4H

本发明涉及一种SiC基氧化镓微米线的光电探测器及其制备方法，方法包括：制备氧化镓微米线；将所述氧化镓微米线转移至第一衬底上，其中，所述第一衬底包括n

本发明涉及一种基于金刚石终端结构的Ga2O3肖特基二极管及制作方法，该肖特基二极管包括：Ga2O3外延层；有源区，位于Ga2O3外延层的表层中；终端区，位于Ga2O3外延层中且位于有源区的两侧，终端区包括若干第一金刚石终端结构和若干第二...

本发明涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法，方法包括：清洗衬底层，所述衬底层包括n

本发明涉及一种基于SiC和二硒化钨异质结的光电二极管及其制备方法，光电二极管包括：SiC衬底层；绝缘层，设置于SiC衬底层之上；SiC窗口，贯穿绝缘层至SiC衬底层表面；若干层二硒化钨纳米片，沿SiC窗口的宽度方向层叠设置于所述SiC窗...

本发明涉及一种基于台阶状P型CBN与SiC混合结构的4H