一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法，方法包括：清洗衬底层，所述衬底层包括n

【技术实现步骤摘要】
一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件
，涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]迁移率是反应半导体中载流子导电能力的重要参数之一，在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，迁移率越大，载流子运动越快，半导体材料的导电能力也就越强。石墨烯是由碳原子sp2杂化形成的二维六角蜂巢状结构，具有优异的电学性质，被认为是最有潜力代替硅的材料，尤其高频电子领域，石墨烯展现出巨大的利用潜力。SiC本身是一种宽禁带半导体，具有高临界击穿场强、高热导率、高电子饱和漂移速度、大禁带宽度等特点，是制作高温、高频、大功率电子器件的理想电子材料。碳化硅基石墨烯通过常规的半导体工艺就可以制作纳米器件和集成电路，与现有的半导体工艺兼容性好。
[0003]然而，SiC外延法生长石墨烯虽然可以生长出平整、面积大以及电子迁移率很高的石墨烯膜，但生长条件十分苛刻，工艺复杂且成本高，SiC经过一系列复杂的表面重构才能形成表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高迁移率的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：清洗衬底层，所述衬底层包括n
+
SiC衬底层和位于所述n
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SiC衬底层上的n
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SiC衬底层；将石墨烯转移到所述衬底层上；在所述石墨烯和所述衬底层上制备若干霍尔电极；对所述衬底层、所述石墨烯和所述霍尔电极进行退火处理，以得到SiC基石墨烯器件。2.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，清洗衬底层，包括：先用BOE处理所述衬底层，再用丙酮和异丙醇分别超声清洗所述衬底层。3.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，将石墨烯转移到所述衬底层上，包括：首先剥离石墨烯，再通过湿法转移方法将石墨烯转移到所述衬底层上。4.根据权利要求3所述的SiC基石墨烯器件的制备方法，其特征在于，首先剥离石墨烯，再通过湿法转移方法将石墨烯转移到所述衬底层上，包括：首先在硅片上旋涂PMMA茴香醚溶液，然后对旋涂有PMMA茴香醚溶液的硅片进行烘干处理，并置于KOH溶液中进行刻蚀处理，之后将PMMA和所述硅片分离，再用去离子水进行清洗，之后用衬底层将PMMA膜和位于所述PMMA膜下表面的石墨烯捞起，再进行烘干处理，之后用丙酮蒸汽软化所述PMMA膜，再用丙酮浸泡和吹干处理，以得到位于衬底层上的石墨烯。5.根据权利要求1所述的SiC基石墨烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：李京波，赵艳，汪争，岳倩，郑涛，张龙，周贝尔，
申请(专利权)人：浙江芯国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：