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本发明涉及一种高迁移率的SiC基石墨烯器件及其制备方法，方法包括：清洗衬底层，所述衬底层包括n
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该专利属于浙江芯国半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江芯国半导体有限公司授权不得商用。

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