一种包含肖特基二极管的电路及相关应用制造技术

本发明专利技术涉及一种包含肖特基二极管的电路及相关应用，该电路包括肖特基二极管，所述肖特基二极管的N型外延层从上到下设置有同轴线的环形的若干隐埋终端保护区，并绕设于所述肖特基接触电极的外围；所述若干隐埋终端保护区的内径从上到下依次增大，且位于下方的隐埋终端保护区的内环直径大于位于上方的隐埋终端保护区的外环直径。本发明专利技术实施例所提供的电路，二极管元器件的可靠性好，从而提高了尖峰吸收电路的使用可靠性；并且，由于二极管器件整体的制备难度，从而使得尖峰吸收电路的制造成本下降。成本下降。成本下降。

【技术实现步骤摘要】
一种包含肖特基二极管的电路及相关应用


[0001]本专利技术涉及一种包含肖特基二极管的电路及相关应用。

技术介绍

[0002]现有技术中的电路中通常都具有肖特基二极管，利用肖特基二极管的单向导通特性实现电路的功能或特性，例如，开关电源的开关频率越来越高，开关损耗也越来越大，对电源的可靠性带来潜在威胁，因此，通常电源在其输出整流电路上设置尖峰吸收电路，以对逆向流向输出整流电路的电压尖峰进行抑制，吸收尖峰能量，以防止开关电源电路中元器件因瞬间电流过大而烧毁。尖峰吸收电路中的肖特基二极管的性能会影响尖峰吸收电路的使用可靠性。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种电路及相关应用，通过以下技术方案实现：
[0004]本专利技术提供了一种电路，包括肖特基二极管，所述肖特基二极管的N型外延层从上到下设置有同轴线的环形的若干隐埋终端保护区，并绕设于所述肖特基接触电极的外围；
[0005]所述若干隐埋终端保护区的内径从上到下依次增大，且位于下方的隐埋终端保护区的内环直径大于位于上方的隐埋终端保护区的外环直径。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电路，包括肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管的N型外延层(3)从上到下设置有同轴线的环形的若干隐埋终端保护区(5)，并绕设于所述肖特基接触电极(4)的外围；所述若干隐埋终端保护区(5)的内径从上到下依次增大，且位于下方的隐埋终端保护区(5)的内环直径大于位于上方的隐埋终端保护区(5)的外环直径。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述若干隐埋终端保护区(5)的垂直方向的间距，自上而下呈增大趋势。3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述若干隐埋终端保护区(5)的垂直方向的间距，自上而下以0.1μm的步长递增。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，顶层所述隐埋终端保护区(5)的上表面与所述N型外延层(3)上表面的间距小于等于0.5μm。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述隐埋终端保护区(5)的材料为AlTiO3或AIN。6.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述N型外延层(3)内还间隔设置有若干P型离子注入区(6)，所述若干P型离子注入区(6)位于所述肖特基二极管的肖特基接触电极(4)的下方，且所述若干P型离子注入区(6)的上表面均与所述肖特基接触电极(4)的下表面相接触。7.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述肖特基二极管的欧姆接触电极(1)、N型衬底层(2)、N型外延层(3)和肖特基接触电极(4)自下...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏文东，赵艳，唐猛，王小周，张建刚，郭昭利，
申请(专利权)人：浙江芯国半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：