电压转换隔离结构制造技术

本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种电压转换隔离结构，包括基底层，基底层包括用于连接芯片的低电压区的低压连接部、用于连接芯片的高电压区的高压连接部，和漂移区，漂移区相对的两侧分别连接低压连接部和高压连接部；基底层中形成有第一导电类型半导体环，第一导电类型半导体环包括：第一导电类型环低压部形成于低压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环高压部形成于高压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环体部的两端分别与第一导电类型环低压部，和第一导电类型环高压部相连，形成封闭区域；在靠近第一导电类型环高压部的高压连接部中，和高电压区中，分别形成第二导电类型半导体A区和第二导电类型半导体B区。电类型半导体B区。电类型半导体B区。

【技术实现步骤摘要】
电压转换隔离结构


[0001]本申请涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种电压转换隔离结构。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路技术的不断发展，芯片内部通常会划分有多个不同的电压区域，用于集成不同电源电压需求的器件。电压转换器(Level Shift，LS)被设计位于不同电压区域之间，用于将输入信号从一个电压域切换到另一个电压域，以实现位于不同电压区域中器件的通信。
[0003]参照图1，其示出了相关技术中集成有不同电压区域的芯片100俯视结构示意图，从图1中可以看出，该芯片100包括低压区域110和高压区域120，低压区域110和高压区域120之间由第一隔离结构130隔离。通常高压区域120器件的电源需求电压高于低压区域110器件的电源需求电压，因此为了实现低压区域110器件和高压区域120器件之间的信息交互，需要在低压区域110和高压区域120之间连接电压转换器140，通过该电压转换器140实现电压转换。
[0004]相关技术中的电压转换器140包括高压耗尽MOS管，高压耗尽MOS管的源极141靠近低压区域110本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压转换隔离结构，其特征在于，所述电压转换隔离结构包括基底层，所述基底层包括用于连接芯片的低电压区的低压连接部、用于连接所述芯片的高电压区的高压连接部，和漂移区，所述漂移区相对的两侧分别连接所述低压连接部和所述高压连接部；所述基底层中形成有第一导电类型半导体环，所述第一导电类型半导体环包括：第一导电类型环低压部，所述第一导电类型环低压部形成于所述低压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环高压部，所述第一导电类型环高压部形成于所述高压连接部位置处的基底层中；第一导电类型环体部，所述第一导电类型环体部的两端分别与所述第一导电类型环低压部，和第一导电类型环高压部相连，形成封闭区域；所述漂移区和所述高压连接部位于所述封闭区域中；在靠近所述第一导电类型环高压部的所述高压连接部中，和所述高电压区中，分别形成第二导电类型半导体A区和第二导电类型半导体B区。2.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第一导电类型环体部与所述第一导电类型环高压部相连位置处形成交界区；所述第二导电类型半导体A区对应所述交界区位置处形成A区端头；靠近所述交界区一侧的A区端头边缘，与靠近所述A区端头一侧的交界区边缘，形状一致；所述第二导电类型半导体B区对应所述交界区位置处形成B区端头；靠近所述交界区一侧的B区端头边缘，与靠近所述B区端头一侧的交界区边缘，形状一致。3.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于，所述第二导电类型半导体A区和所述第二导电类型半导体B区，分别用于使得所述第一导电类型环高压部由对应的两侧面向内被逐渐加速耗尽形成耗尽区；所述第二导电类型半导体A区和所述第二导电类型半导体B区，使得在耗尽区电场达到击穿，所述第一导电类型环高压部完全耗尽。4.如权利要求1所述的电压转换隔离结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佰胜，金锋，杨文清，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：