自举高压隔离环结构制造技术

本申请涉及半导体集成电极制造技术领域，具体涉及一种自举高压隔离环结构。基底层，所述基底层包括包围在高压器件区外周的隔离环区，所述隔离环区包括相间隔的电平转换区和自举升压区，所述电平转换区位置处的基底层中形成电平转换器件，所述自举升压区位置处的基底层中形成自举升压器件；所述自举升压器件包括：源极部、漂移部和漏极部，所述漂移部相对的两侧分别连接所述源极部和所述漏极部，所述漏极部连接所述高压器件区；所述源极部位置处的基底层中形成源极结构和自举二极管，所述源极结构位于所述自举二极管中。结构位于所述自举二极管中。结构位于所述自举二极管中。

【技术实现步骤摘要】
自举高压隔离环结构


[0001]本申请涉及半导体集成电极制造
，具体涉及一种自举高压隔离环结构。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路技术的不断发展，芯片内部通常会划分有多个不同的电压区域，用于集成不同电源电压需求的器件。电压转换器(Level Shift，LS)被设计位于不同电压区域之间，用于将输入信号从一个电压域切换到另一个电压域，以实现位于不同电压区域中器件的通信。
[0003]参照图1，其示出了相关技术中集成有不同电压区域的芯片100俯视结构示意图，从图1中可以看出，该芯片100包括低压区域110和高压区域120，低压区域110和高压区域120之间由第一隔离结构130隔离。通常高压区域120器件的电源需求电压高于低压区域110器件的电源需求电压，因此为了实现低压区域110器件和高压区域120器件之间的信息交互，需要在低压区域110和高压区域120之间连接电压转换器140，通过该电压转换器140实现电压转换。
[0004]但是，在相关技术中，电压转换器140的输出电压，仍无法达到高压区域120的需求电压，或者需要本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自举高压隔离环结构，其特征在于，所述自举高压隔离环结构包括：基底层，所述基底层包括包围在高压器件区外周的隔离环区，所述隔离环区包括相间隔的电平转换区和自举升压区，所述电平转换区位置处的基底层中形成电平转换器件，所述自举升压区位置处的基底层中形成自举升压器件；所述自举升压器件包括：源极部、漂移部和漏极部，所述漂移部相对的两侧分别连接所述源极部和所述漏极部，所述漏极部连接所述高压器件区；所述源极部位置处的基底层中形成源极结构和自举二极管，所述源极结构位于所述自举二极管中。2.如权利要求1所述的自举高压隔离环结构，其特征在于，所述自举二极管包括：第一导电类型阱区，所述第一导电类型阱区从所述基底层的上表面向下延伸第一深度；第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区形成于所述第一导电类型阱区中，所述第二导电类型阱区从所述基底层的上表面向下延伸第二深度，所述第二深度小于所述第一深度；所述源极结构形成于所述第二导电类型阱区中，从所述基底层的上表面向下延伸第三深度，所述第三深度小于所述第二深度。3.如权利要求2所述的自举高压隔离环结构，其特征在于，所述源极结构为通过重掺杂第二导电类型原子形成。4.如权利要求2所述的自举高压隔离环结构，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佰胜，金锋，杨文清，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：