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本申请涉及半导体集成电极制造技术领域，具体涉及一种自举高压隔离环结构。基底层，所述基底层包括包围在高压器件区外周的隔离环区，所述隔离环区包括相间隔的电平转换区和自举升压区，所述电平转换区位置处的基底层中形成电平转换器件，所述自举升压区位置处...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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