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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种电压转换隔离结构，包括基底层，基底层包括用于连接芯片的低电压区的低压连接部、用于连接芯片的高电压区的高压连接部，和漂移区，漂移区相对的两侧分别连接低压连接部和高压连接部；基底层中形成有第一导...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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