主动元件阵列基板以及液晶显示面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种主动元件阵列基板，其包括一基板、多条扫描线及数据线以及多个像素单元与预充电元件。扫描线、数据线以及像素单元都配置于基板上。像素单元与对应的扫描线以及数据线电性连接。各像素单元包括一主动元件与一像素电极。这些主动元件电性连接这些扫描线、数据线以及像素电极。各预充电元件电性连接于其中一条扫描线以及其后一级扫描线所控制的相邻二像素电极。当各个预充电元件被与其电性连接的扫描线开启时，与各个预充电元件电性连接的相邻二像素电极具有相同的电压位准，使相邻二像素单元被预充电。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

Active element array substrate and liquid crystal display panel

The utility model discloses an active element array substrate, which comprises a substrate, a plurality of scanning lines and data lines, a plurality of pixel units and a pre charging element. The scanning line, the data line and the pixel unit are arranged on the substrate. The pixel unit is electrically connected with the corresponding scanning line and the data line. Each pixel unit comprises an active element and a pixel electrode. The active elements are electrically connected to the scan lines, data lines and pixel electrodes. The pre charging elements are electrically connected with one of the scanning lines and the adjacent two pixel electrodes controlled by the first scanning line. When each of the pre charging elements is opened by a scanning line which is electrically connected with them, the adjacent two pixel electrodes which are electrically connected with each pre charging element are provided with the same voltage level, so that the adjacent two pixel units are pre charged.

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关于一种主动元件阵列基板以及显示面板，且特别是有关于一种具有预充电元件(pre-charge component)的主动元件阵列基板以及液晶显 示面板。
技术介绍
现今薄膜晶体管液晶显示器(thin-film transistor LCD)大致上可分为多晶 硅薄膜晶体管(poly silicon thin-film transistor)液晶显示器与非晶硅薄膜晶体管 (amorphous silicon thin-film transistor)液晶显示器。其中，非晶硅薄膜晶体管液 晶显示器因为具有低制作成本与高生产良率的优点，所以非晶硅薄膜晶体管液 晶显示器已普遍地被社会大众所使用。由于液晶显示器逐渐朝大尺寸以及高解 析度(high resolution)的方向发展，因此在各个帧时间(frame)内，每个像素单元 所分配到的充电时间就越来越少。当像素单元发生充电不足的现象时，液晶显 示器的显示品质便会明显地恶化。为了解决上述问题，已有许多驱动方法相继被提出，其中一种是利用双扫 描脉冲(dual scan pulse)技术来改善液晶显示器的显示品质。此技术主要是通 过一预充电扫描脉冲(pre-charge scan pulse)以及一充电扫描信号(charge scan pulse)对各个像素单元进行数据的写入。由于预充电扫描脉冲的缘故，充电扫 描信号可以很快速地对像素单元进行充电的动作，进而改善液晶显示器的显示 品质并縮短液晶显示器的反应时间(response time)。然而，由于这种双扫描脉沖的驱动方法较为复杂，薄膜晶体管液晶显示器 必需搭配复杂的驱动电路(drive IC)才能兼顾显示品质与反应时间，因此，利 用双扫描脉冲技术的液晶显示器在制作需要耗费较高的成本。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种主动元件阵列基板，以改善其像素单元的充 电不足的缺点。本技术的另一目的是提供一种主动元件阵列基板，其具有对像素单元 预充电的功能。本技术的另一 目的是提供一种液晶显示面板，其包括上述的主动元件 阵列基板，以改善画面对比度不佳的问题。本技术的另一目的是提供一种液晶显示面板，其包括上述的主动元件 阵列基板，以提升显示品质。为达到上述目的，本技术提出一种主动元件阵列基板，其包括一基板、 多条扫描线及数据线以及多个像素单元及预充电元件。这些扫描线、数据线以 及像素单元都配置于基板上。这些像素单元与对应的扫描线以及数据线电性连 接。其中，各个像素单元包括一主动元件以及一像素电极。主动元件与扫描线及数据线电性连接，而像素电极与主动元件电性连接。各个预充电元件电性连 接于其中一条扫描线以及其后一级扫描线所控制的相邻二像素电极。当各个预 充电元件被与其电性连接的扫描线开启时，与各个预充电元件电性连接的相邻 二像素电极具有相同的电压位准。在本技术的主动元件阵列基板中，上述的预充电元件为一薄膜晶体 管。此薄膜晶体管具有一栅极、 一漏极以及一源极。栅极电性连接于扫描线， 且漏极与源极分别电性连接于后一级扫描线所控制的相邻二像素电极。在本技术的主动元件阵列基板中，上述的各个像素单元还包括一储存 电容。此储存电容通过像素电极与主动元件电性连接。在本技术的主动元件阵列基板中，上述这些储存电容是架构于这些扫描线上的储存电容(Cst on gate)。在本技术的主动元件阵列基板中，上述的主动元件阵列基板还包括多 条共用线。这些共用线配置于基板上。其中，各条共用线排列于相邻二扫描线 之间，且这些储存电容是架构于这些共用线上的储存电容(Cstoncommon)。为达到上述目的，本技术又提出一种液晶显示面板，其包括上述的主 动元件阵列基板、 一对向基板以及一液晶层。对向基板配置于主动元件阵列基 板的上方，而液晶层配置于主动元件阵列基板与对向基板之间。为达到上述目的，本技术又提出一种主动元件阵列基板，其包括一基 板、多条扫描线、多条数据线、多条共用线以及多个像素单元。这些扫描线、 数据线、共用线以及像素单元都配置于基板上。这些共用线位于相邻两扫描线 之间。像素单元与对应的扫描线以及数据线电性连接。其中，各个像素单元包 括一像素电极、 一主动元件以及一预充电元件。在各个像素单元中，主动元件 与像素单元所对应的扫描线、数据线以及像素电极电性连接，而各个预充电元件与像素单元的前一级扫描线、共用线以及像素电极电性连接。当各个预充电 元件被前一级扫描线开启时，与各个预充电元件电性连接的多个像素电极具有 与共用线相同的电压位准。在本技术的主动元件阵列基板中，上述的预充电元件为一薄膜晶体 管。此薄膜晶体管具有一栅极、 一漏极以及一源极。栅极电性连接于前一级扫 描线，且漏极与源极分别电性连接于共用线以及对应的像素电极。在本技术的主动元件阵列基板中，上述的各个像素单元还包括一储存 电容。此储存电容通过像素电极与主动元件电性连接。在本技术的主动元件阵列基板中，上述这些储存电容是架构于这些扫 描线上的储存电容。在本技术的主动元件阵列基板中，上述这些储存电容是架构于该些共 用线上的储存电容。为达到上述目的，本技术又提出一种液晶显示面板，其包括上述的主 动元件阵列基板、 一对向基板以及一液晶层。对向基板配置于主动元件阵列基 板的上方，而液晶层配置于主动元件阵列基板与对向基板之间。借由上述的多个预充电元件，使得本技术的液晶显示面板的像素单元在驱动液晶分子之前能先被预充电，借以改善像素单元的充电(charge)不足以及 画面对比度不佳的缺点。同时，提升液晶显示面板的显示品质。此外，相较于 现有技术，本技术的液晶显示面板的驱动方法较为简单。附图说明为让本技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实施方式作详细说明，其中图1A是本技术第一实施例的液晶显示面板的剖面示意图。图1B是图1A的液晶显示面板的同一列的相邻二像素单元的电路示意图。图2是本技术第二实施例的液晶显示面板的同一列的相邻二像素单元的电路示意图。图3A是本技术第三实施例的液晶显示面板的剖面示意图。 图3B是图3A的液晶显示面板的同一列的相邻二像素单元的电路示意图。 图4是本技术第四实施例的液晶显示面板的同一列的相邻二像素单元 的电路示意图。具体实施方式第一实施例图1A是本技术第一实施例的液晶显示面板的剖面示意图，而图1B 是图1A的液晶显示面板的同一列的相邻二像素单元的电路示意图。请同时参 阅图1A与图1B，液晶显示面板100a包括一对向基板200、 一主动元件阵列基 板300以及一液晶层400。其中，对向基板200配置于主动元件阵列基板300 的上方，而液晶层400配置于主动元件阵列基板300与对向基板200之间。对向基板200例如是彩色滤光基板(color filter)，其可包括一基板210、 一黑矩阵层(black matrix) 220a、多个彩色滤光图案220b以及一共用电极230。 黑矩阵层220a与多个彩色滤光图案220b配置于基板210上，而共用电极230 则配置于黑矩阵层220a与这些彩色滤光图案220b上。主动元件阵列基板300包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种主动元件阵列基板，其特征在于，包括　　　　一基板；　　　　多条扫描线，配置于该基板上；　　　　多条数据线，配置于该基板上；　　　　多个像素单元，配置于该基板上，且与对应的扫描线以及数据线电性连接，其中各像素单元包括：　　　　一主动元件，与该扫描线及该数据线电性连接；　　　　一像素电极，与该主动元件电性连接；以及　　　　多个预充电元件，各预充电元件电性连接于其中一条扫描线以及其后一级扫描线所控制的相邻二像素电极，当各该预充电元件被与其电性连接的扫描线开启时，与各预充电元件电性连接的相邻二像素电极具有相同的电压位准。

【技术特征摘要】
1.一种主动元件阵列基板，其特征在于，包括一基板；多条扫描线，配置于该基板上；多条数据线，配置于该基板上；多个像素单元，配置于该基板上，且与对应的扫描线以及数据线电性连接，其中各像素单元包括一主动元件，与该扫描线及该数据线电性连接；一像素电极，与该主动元件电性连接；以及多个预充电元件，各预充电元件电性连接于其中一条扫描线以及其后一级扫描线所控制的相邻二像素电极，当各该预充电元件被与其电性连接的扫描线开启时，与各预充电元件电性连接的相邻二像素电极具有相同的电压位准。2. 如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该预充电元件 为一薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有一栅极、 一漏极以及一源极，而该栅极电 性连接于该扫描线，且该漏极与该源极分别电性连接于后一级扫描线所控制的 相邻二像素电极。3. 如权利要求1所述的主动元件阵列基板，其特征在于，各像素单元还 包括一储存电容，该储存电容通过该像素电极与该主动元件电性连接。4. 如权利要求3所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该些储存电容 是架构于该些扫描线上的储存电容。5. 如权利要求3所述的主动元件阵列基板，其特征在于，还包括多条共 用线，配置于该基板上，其中各共用线排列于相邻二扫描线之间，且该些储存 电容是架构于该些共用线上的储存电容。6. —种主动元件阵列基板，其特征在于，包括 一基板；多条扫描线，配置于该基板上； 多条数据线，配置于该基板上；多条共用线，配置于该基板上，且位于相邻两扫描线之间；多个像素单元，配置于该基板上，且与对应的扫描线以及数据线电性连接， 其中各像素单元包括.-一像素电极；一主动元件，与该像素单元所对应的该扫描线、该数据线以及该像 素电极电性连接；一预充电元件，与该像素单元的前一级扫描线、对应的其中一共用 线以及该像素电极电性连接，当该预充电元件被前一级扫描线开启时， 与该预充电元件电性连接的该像素电极具有与该共用线相同的电压位 准。7. 如权利要求6所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该预充电元件 为一薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有一栅极、 一漏极以及一源极，而该栅极电 性连接于前一级扫描线，且该漏极与该源极分别电性连接于该共用线以及对应 的像素电极。8. 如权利要求6所述的主动元件阵列基板，其特征在于，各像素单元还 包括一储存电容，该储存电容通过该像素电极与该主动元件电性连接。9. 如权利要求8所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该些储存电容 是架构于该些扫描线上的储存电容。10. 如权利要求8所述的主动元件阵列基板，其特征在于，该些储存电容是架构于该些共用线上的储存电容。11. 一种液晶显示面板，其特征在于，包括一主动元件阵列基板，包括 一基板；多条扫描线，配置于该基板上； 多条数据线，配置于该基板上；多...

【专利技术属性】
技术研发人员：王义方，
申请(专利权)人：胜华科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：71[中国|台湾]