本发明专利技术提供半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质，能够提高基板的凹部内的埋入特性。提供一种半导体装置的制造方法，其具有：将包括对处理室内的基板供给气体的工序和对处理室内进行真空排气的工序的循环进行预定次数的成膜工序；以及在成膜工序的实施期间中的预定的时机，使基板的表面侧与背面侧之间产生预定的温度差的工序。间产生预定的温度差的工序。间产生预定的温度差的工序。
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质
[0001]本专利技术涉及半导体装置的制造方法、基板处理装置以及存储介质。
技术介绍
[0002]作为半导体装置的制造工序的一工序，有时进行在基板上形成膜的处理(例如参照专利文献1)。该情况下，有时进行以埋入设于基板的表面的凹部内的方式形成膜的处理。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2016－123516号公报
技术实现思路
[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]本公开提供能够以埋入基板的凹部内的方式形成膜的技术。
[0008]用于解决课题的方案
[0009]根据本公开的一方案，提供一种半导体装置的制造方法，其具有：
[0010]将包括对处理室内的基板供给气体的工序和对上述处理室内进行真空排气的工序的循环进行预定次数的成膜工序；以及
[0011]在上述成膜工序的实施期间中的预定的时机，使上述基板的表面侧与背面侧之间产生预定的温度差的工序。
[0012]专利技术效果
[0013]根据本公开，能够以埋入基板的凹部内的方式形成膜。
附图说明
[0014]图1是示意性表示适用于本公开的第一实施方式的基板处理装置的结构例的侧剖视图。
[0015]图2是适用于本公开的第一实施方式的基板处理装置的控制器的概略结构图，是用块图表示控制器的控制系统的图。
[0016]图3是表示适用于本公开的第一实施方式的成膜顺序的一例的图。
[0017]图4中的(a)是表示使基板的背面侧的温度比表面侧的温度高时的气体的流动的图，(b)是使基板的表面侧的温度比背面侧的温度高时的气体的流动的图。
[0018]图5是表示适用于本公开的第二实施方式的成膜顺序的一例的图。
[0019]图6是表示适用于本公开的其它实施方式的成膜顺序的一例的图。
[0020]图中：
[0021]201—处理室，411—灯，213—加热器，247—APC阀。
具体实施方式
[0022]＜第一实施方式＞
[0023]以下，对本公开的第一实施方式进行说明。
[0024](1)基板处理装置的结构
[0025]对于本实施方式的基板处理装置100进行说明。基板处理装置100是在作为基板的晶圆200上形成薄膜的装置，如图1所示，构成为单片式基板处理装置。
[0026](处理容器)
[0027]如图1所示，基板处理装置100具备处理容器202。处理容器202构成为例如横截面为圆形且扁平的密闭容器。另外，处理容器202的侧壁、底壁由例如铝(Al)、不锈钢(SUS)等金属材料构成。在处理容器202内形成有处理晶圆200的处理室201。
[0028]在处理容器202的侧面设有与闸阀205相邻的基板搬入搬出口206，经由基板搬入搬出口206，使晶圆200在与未图示的搬送室之间移动。在处理容器202的底部设有多个升降销207。
[0029]在处理室201内设有支撑晶圆200的基板支撑部210。基板支撑部210主要具备搭载晶圆200的基板载置面211和在表面具有基板载置面211的基板载置台212。在基板载置台212以与升降销207分别对应的位置设有供升降销207贯通的多个贯通孔214。
[0030]基板载置台212由轴217支撑。轴217贯通处理容器202的底部，而且在处理容器202的外部连接于未图示的升降机构。使升降机构工作而使轴217及基板载置台212升降，由此能够使载置于基板载置面211上的晶圆200升降。
[0031]基板载置台212在晶圆200的搬送时使基板载置面211下降到与基板搬入搬出口206相同的高度(晶圆搬送位置)。另外，在处理晶圆200时，如图1所示地，使晶圆200上升到处理室201内的处理位置(晶圆处理位置)。
[0032]具体而言，在使基板载置台212下降到晶圆搬送位置时，升降销207的上端部从基板载置面211的上表面突出，升降销207从下方支撑晶圆200。另外，在使基板载置台212上升到晶圆处理位置时，升降销207从基板载置面211的上表面没入，基板载置面211从下方支撑晶圆200。
[0033](加热部)
[0034]在基板载置台212内含有作为第一加热部的加热器213。加热器213的动作由控制器310控制。
[0035]在处理容器202的顶棚且晶圆200的表面侧设有灯罩460。在灯罩460设有多个作为第二加热部的灯411。灯411的动作由控制器310控制。
[0036]通过使用加热器213、灯411，能够某程度上独立控制晶圆200的表面侧的温度及晶圆200的背面侧的温度。例如，若将加热器213接通且将灯411断开，或者使加热器213的输出比灯411的输出大，则至少能够在预定的时间内使晶圆200的背面侧的温度比表面侧的温度高。另一方面，若将灯411接通且将加热器213断开，或者使灯411的输出比加热器213的输出大，则至少能够在预定的时间内使晶圆200的表面侧的温度比背面侧的温度高。
[0037](气体导入孔)
[0038]在设于处理室201的上部的后述的喷头290的侧壁设有气体导入孔241、242、243。对于连接于气体导入孔241、242、243的气体供给系统的结构，在后面叙述。
[0039](喷头)
[0040]在气体导入孔241、242、243与处理室201之间设有连通于处理室201的作为气体分散机构的喷头290。从气体导入孔241、242、243导入的气体供给至喷头290的缓冲室252。缓冲室252以被处理容器202和分散板254包围的方式形成。
[0041]喷头290在缓冲室252与处理室201之间具备用于使气体分散的分散板254。在分散板254设有多个贯通孔。分散板254配置成与基板载置面211对置。分散板254是不会遮断灯411照射的热的材质，由例如石英构成。通过经由分散板254供给气体，能够均匀地供给至晶圆200上。
[0042](原料气体供给系统)
[0043]在气体导入孔241连接有原料气体供给系统260。原料气体供给系统260具有气体供给管261，气体供给管261以与气体导入孔241连通的方式连接于处理容器202的侧面。气体供给管261自上游起，依次设有原料气体的气体源262、调整原料气体的流量的质量流量控制器(MFC)263、阀264。作为原料气体，例如，能够使用六氯乙硅烷(Si2Cl6、简称：HCDS)气体。
[0044](反应气体供给系统)
[0045]在气体导入孔242连接有反应气体供给系统270。反应气体供给系统270具有气体供给管271，气体供给管271以与气体导入孔242连通的方式连接于处理容器202的侧壁。气体供给管271自上游起，依次设有反应气体的气体源272、调整反应气体的流量的质量流量控制器(MFC)273、阀2本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：将包括对处理室内的基板供给气体的工序和对上述处理室内进行真空排气的工序的循环进行预定次数的成膜工序；以及在上述成膜工序的实施期间中的预定的时机，使上述基板的表面侧与背面侧之间产生预定的温度差的工序。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给气体的时机，使上述基板的背面侧的温度比上述基板的表面侧的温度高。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给原料气体的时机，使上述基板的背面侧的温度比上述基板的表面侧的温度高。4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给原料气体的时机，使上述基板的背面侧的温度比上述基板的表面侧的温度高。5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在对上述处理室内进行真空排气的时机，使上述基板的表面侧的温度比上述基板的背面侧的温度高。6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在对上述处理室内进行真空排气的时机，使上述基板的表面侧的温度比上述基板的背面侧的温度高。7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在对上述处理室内进行真空排气的时机，使上述基板的表面侧的温度比上述基板的背面侧的温度高。8.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给惰性气体的时机，使上述基板的背面侧的温度比上述基板的表面侧的温度高。9.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给惰性气体的时机，使上述基板的背面侧的温度比上述基板的表面侧的温度高。10.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给惰性气体的时机，使上述基板的背面侧的温度比上述基板的表面侧的温度高。11.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给惰性气体的时机，使上述基板的背面侧的温度比上述基板的表面侧的温度高。12.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在向上述处理室内供给惰性气体的时机，使上述基板的表...
【专利技术属性】
技术研发人员：八幡橘，菊池俊之，
申请(专利权)人：株式会社国际电气，
类型：发明
国别省市：
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