半导体元件的结构制造技术

本案描述了一种半导体元件的结构。半导体元件的结构包括元件、设置在元件上的第一导电结构，并且第一导电结构包括具有第一部分及第二部分的第一侧壁。半导体元件的结构还包括设置在第一部分上的第一间隔层、设置在第一导电结构附近的第二导电结构，且第二导电结构包括具有第三部分及第四部分的第二侧壁。半导体元件的结构进一步包括设置在第三部分上的第二间隔层，且在第一导电结构与第二导电结构之间形成气隙。第二部分、第一间隔层、第四部分及第二间隔层曝露于气隙。二间隔层曝露于气隙。二间隔层曝露于气隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件的结构


[0001]本揭示内容是关于一种半导体元件的结构。

技术介绍

[0002]随着半导体工业引入具有更高效能及更多功能的新一代集成电路，形成集成电路(integrated circuit；IC)的元件的密度增大，而部件或元件之间的尺寸、大小及间距减小。过去，此种减少仅受限于用光微影术界定结构的能力，尺寸较小的元件几何形状产生了新的限制因数。例如，对于任何两个相邻的导电特征而言，随着导电特征之间的距离减小，所得电容(绝缘材料的介电常数(k值)除以导电特征之间的距离的函数)增大。电容的增大导致导电特征之间电容耦合的增加、功耗增大及阻容(resistive
‑
capacitive；RC)时间常数增长。
[0003]因此，需要解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本揭示内容提供一种半导体元件的结构，包括元件、第一导电结构、第一间隔层、第二导电结构和第二间隔层。第一导电结构设置在元件上，其中第一导电结构包括第一侧壁，第一侧壁包括第一部分及第二部分。第一间隔层设置在第一导电结构的第一侧壁的第一部分上。第二导电结构设置于邻近第一导电结构，其中第二导电结构包括第二侧壁，第二侧壁包括第三部分及第四部分。第二间隔层设置在第二导电结构的第二侧壁的第三部分上，其中在第一导电结构与第二导电结构之间形成气隙，并且其中第一导电结构的第一侧壁的第二部分、第一间隔层、第二导电结构的第二侧壁的第四部分及第二间隔层曝露于气隙。
附图说明
[0005]当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本揭示案的各态样。值得注意的是，根据行业中的标准惯例，并未按比例绘制各个特征件。事实上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各个特征件的尺寸。
[0006]图1是根据一些实施例的制造半导体元件的结构的各个阶段的一者的透视图；
[0007]图2A至图22A是根据一些实施例的沿着图1的线A
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A截取的制造半导体元件的结构的各个阶段的横截面侧视图；
[0008]图2B至图22B是根据一些实施例的沿着图1的线B
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B截取的制造半导体元件的结构的各个阶段的横截面侧视图。
[0009]【符号说明】
[0010]100:半导体元件的结构
[0011]102:基板
[0012]104:导电特征
[0013]106:介电材料
[0014]202:元件
[0015]203:隔离区
[0016]204:源极/漏极区
[0017]206:栅极堆叠
[0018]208:通道区
[0019]210:栅极电极层
[0020]212:界面介电层
[0021]214:栅极介电层
[0022]216:保形层
[0023]218:栅极间隔件
[0024]220:硅化物层
[0025]222:导电触点
[0026]224:接触蚀刻终止层
[0027]226:第一层间介电质
[0028]228:蚀刻终止层
[0029]302:介电材料
[0030]402:遮罩层
[0031]502:开口
[0032]503:顶表面
[0033]504:侧壁
[0034]506:顶表面
[0035]602:第一阻障层
[0036]604:第一导电材料
[0037]902:第二阻障层
[0038]904:第二导电材料
[0039]1002:导电结构
[0040]1004:侧壁
[0041]1102:第一部分
[0042]1104:第二部分
[0043]1106:气隙
[0044]1202:间隔层
[0045]1204:开口
[0046]1502:密封材料
[0047]1802:介电材料
[0048]A
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A,B
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B,C
‑
C,D
‑
D:线
[0049]W,W1,W2:宽度
[0050]H1,H2:高度
[0051]X,Y,Z:轴
具体实施方式
[0052]以下揭示内容提供了用于实施所提供标的的不同特征的诸多不同实施例或实例。下文描述了部件及布置的特定实例以简化本揭示案。此等当然仅仅是实例，而并非意欲为限制性的。例如，在后续描述中在第二特征件上方或之上形成第一特征件可包括其中第一及第二特征件形成为直接接触的实施例，且亦可包括其中可在第一与第二特征件之间形成有额外特征件，使得第一及第二特征件可不为直接接触的实施例。此外，本揭示案可重复各种实例中的元件符号及/或字母。此重复是以简单及清楚为目的，且本身并不规定所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0053]此外，为便于描述，本案可用空间相对术语，如“在
……
下方”、“在
……
之下”、“下部”、“在
……
之上”、“在
……
上方”、“顶部”、“上部”等来描述一元件或特征与另一元件或特征的关系，如附图所示。空间相对术语意欲涵盖除了附图所绘示的取向之外，元件在使用或操作中的不同取向。此装置可以其他方式取向(旋转90度或在其他取向上)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应被解释。
[0054]图1至图18B示出了根据一些实施例的用于制造半导体元件的结构100的示例性顺序制程。应当理解，可以在图1至图18B所示的制程之前、期间及之后提供额外的操作，并可在此制程的额外实施例中替换或消除下文描述的一些操作。操作/制程的顺序可以互换。图19A至图22B示出了根据一些实施例的用于制造半导体元件的结构100的替代顺序制程。应当理解，可以在图19A至图22B所示的制程之前、期间及之后提供额外操作，并可在此制程的额外实施例中替换或消除下文描述的一些操作。操作/制程的顺序可以互换。
[0055]图1是根据一些实施例的制造半导体元件的结构100的各个阶段的一者的透视图。如图1所示，半导体元件的结构100包括基板102，此基板上形成有至少多个导电特征104。导电特征104形成在介电材料106中。可以在基板102与导电特征104之间形成一或更多个元件，诸如晶体管、二极管、成像感测器、电阻器、电容器、电感器、记忆体单元、上述各者的组合及/或其他适当的元件。
[0056]图2A至图18A是根据一些实施例的沿着图1的线A
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A截取的制造半导体元件的结构100的各个阶段的横截面侧视图。图2B至图18B是根据一些实施例的沿着图1的线B
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B截取的制造半导体元件的结构100的各个阶段的横截面侧视图。图2A是沿着图1的线A
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A截取的半导体元件的结构100的横截面侧视图，且图2B是沿着图1的线B
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B截取的半导体元件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件的结构，其特征在于，包括：一元件；设置在该元件上的一第一导电结构，其中该第一导电结构包括一第一侧壁，该第一侧壁包括一第一部分及一第二部分；设置在该第一导电结构的该第一侧壁的该第一部分上的一第一间隔层；邻近该第一导电结构设置的一第二导电结构，其中该第二导电结构包括一第二侧壁，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄麟淯，游力蓁，张家豪，庄正吉，程冠伦，王志豪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：