线路结构制造技术

本发明专利技术的实施例提供了一种线路结构，包括：第一介电层，具有第一开口；第一金属层，位于第一开口中，第一金属层的侧壁与第一介电层隔开；第二介电层，位于第一介电层上，并且第二介电层的部分位于第一金属层的侧壁和第一开口的内壁之间。本发明专利技术的目的在于改善线路结构的良率。的良率。的良率。

【技术实现步骤摘要】
线路结构


[0001]本专利技术的实施例涉及线路结构。

技术介绍

[0002]在现有的层堆叠技术应用中(例如通孔至通孔、线至通孔、线至线)，大部份是通过先制备金属层/金属化层(Metallization layer)、后盖介电层/隔离层(Isolation layer)、再进行机械化学研磨(CMP)或机械研磨(Grinding)的工艺完成，一般的称为双镶嵌(Dual Damascene)工艺，这种方法可以获得平坦化(Planarization)的多层堆叠结构，然而最后在研磨面经常发现众多的微小缺陷(例如刮痕、研磨物残留等)。
[0003]此外，目前CMP或机械研磨占了总成本约20％～30％，特别是在高层数的产品(例如，2.5D集成芯片、3D集成芯片、扇出封装件)中所占比例更高。

技术实现思路

[0004]针对相关技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种线路结构及其形成方法，以改善线路结构的良率。
[0005]为实现上述目的，本专利技术的实施例提供了一种线路结构，包括：第一介电层，具有第一开口；第一金属层，位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线路结构，其特征在于，包括：第一介电层，具有第一开口；第一金属层，位于所述第一开口中，所述第一金属层的侧壁与所述第一介电层隔开；第二介电层，位于所述第一介电层上，并且所述第二介电层的部分位于所述第一金属层的所述侧壁和所述第一开口的内壁之间。2.根据权利要求1所述的线路结构，其特征在于，所述第二介电层的位于所述第一金属层所述侧壁和所述第一开口的所述内壁之间的所述部分的顶面具有缺口。3.根据权利要求1所述的线路结构，其特征在于，所述第一金属层的顶面低于所述第二介电层的顶面。4.根据权利要求1所述的线路结构，其特征在于，在俯视图中，所述第二介电层构造成环绕所述第一金属层。5.根据权利要求1所述的线路结构，其特征在于，还包括：焊盘结构，位于所述第一介电层中，所述第一开口位于所述焊盘结构上。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：