本发明专利技术在ＦＦＳ方式的液晶装置中，提供可以使导致透射率的降低的畴区域减少的像素结构。在具有ＦＦＳ方式的液晶装置中，元件基板，包括通过配置为２行２列的多个子像素所构成的单位像素，子像素的像素电极形成为大致矩形，具有通过第３绝缘膜而在其与共用电极之间使边缘场发生的多个缝隙，各缝隙的长边的延伸方向，规定为相对于子像素的排列的行方向且栅线的延伸方向仅倾斜了预定的角度的方向。通过如此的像素结构，能够减少缝隙的设定数。因而，虽然在液晶的驱动时在各缝隙的长边方向的两端部之中的任何一方的端部附近产生畴区域，但是因为减少了缝隙的设定数所以能够减少畴区域，能够防止透射率发生降低。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术，涉及用于各种信息的显示中合适的液晶装置及电子设备。
技术介绍
一般性地，若将液晶的显示模式进行大致区分，则存在TN(TwistedNematic，扭曲向列)方式，或者以广视场角及高对比度作为目的的垂直取向方式，或者以IPS(In-Plane Switching，平面内开关)方式或FFS方式(Fringe Field Switching，边缘场开关)所代表的横向电场方式等。其中，IPS方式，是使施加于液晶的电场的方向为大致平行于基板的方向的方式，相比较于TN方式等而具有能够谋求视场角特性的提高的优点。可是，在如此的液晶装置中，一般地，因为由ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)等的透明导电材料构成的像素电极，和在其与该像素电极之间使横向电场发生的共用电极设置于同一层，所以位于像素电极的上侧的液晶分子得不到充分地驱动，而存在导致透射率等的降低的问题。该点，在FFS方式中，因为形成共用电极的层设置于形成像素电极的层的下侧，所以即使对于位于像素电极的上侧的液晶分子也能够施加横向方向的电场，能够充分地驱动存在于该位置的液晶分子。其结果，相比较于上述的IPS方式，具有能够谋求透射率等的提高的优点。如此的FFS方式的液晶装置的一例记载于专利文献1及2中。在此，记载于专利文献1及2中的液晶装置，都为应用了α-Si(非晶硅)型的TFT元件的FFS方式的液晶装置。并且，在记载于专利文献2中的液晶装置中，像素电极，形成为在数据总线线路的延伸方向具有长边并在栅总线线路的延伸方向具有短边的纵长状的形状(竖条形状)，在该像素电极，设置在其与形成于其下层的反电极(共用电极)之间使边缘场(横向方向的电场)发生的多个缝隙。并且，在如此的液晶装置中，一般性地，对应于每个像素电极而设置原色系的红(R)、绿(G)、蓝(B)的各着色层，在对应于该各色的每个像素电极施加相应于灰度等级的电压，通过对各像素电极的透射率进行调整而可以对复杂的中间色进行显示。在近年，提出了通过在如此的原色系的R、G、B的3色的着色层之外，进一步具备补色系的青色(C)的色的着色层而可以对广泛的色进行显示的图像显示装置(例如，参照专利文献3)。专利文献1特开2001-235763号公报专利文献2特开2002-182230号公报专利文献3特开2001-306023号公报在记载于上述的专利文献2中的液晶装置中，因为像素电极形成为竖条形状，各缝隙相对于像素电极的长边方向的中心呈对称地以预定的倾斜度所排列，所以变成缝隙的设定数多的结构。在此，在一般性的FFS方式的液晶装置的情况下，在设置于像素电极的缝隙的长边方向的两端部之中的任何一方的端部附近，在液晶的驱动时，与不在各缝隙的端部附近的位置相比较，边缘场的施加方式改变，发生液晶分子几乎不被驱动的畴(domain)区域(液晶的取向异常区域)。因此，在该畴区域中，明亮度降低而在显示上变成暗的区域。还有，该畴区域，从现象上看，按缝隙的设定数的量发生，并且，在相邻的各缝隙之间互相不同且锯齿状地发生。从而，在记载于上述的专利文献2中的液晶装置中，因为是缝隙的设定数多的像素结构，所以不用于明亮度的畴区域增加，而存在按该量、液晶装置的透射率显著地降低的问题。
技术实现思路
本专利技术，鉴于以上之点所作出，目的在于提供具有可以使导致透射率的降低的畴区域减少的像素结构的FFS方式的液晶装置及采用了该液晶装置的电子设备。在本专利技术的一个观点中，液晶装置，具备包括以多行和多列所构成的多个子像素作为单位像素的基板；前述基板，具备开关元件，至少设置于前述开关元件的上侧的绝缘膜，设置于前述绝缘膜的上侧的第1透明电极，设置于前述第1透明电极的上侧的其他的绝缘膜，和设置于前述其他的绝缘膜的上侧、具有按前述子像素的每个所形成的多个缝隙并其在与前述第1透明电极之间通过前述缝隙的各自而使电场发生的第2透明电极；前述缝隙的各自的长边的延伸方向，规定为与前述列方向不相同的方向。上述的液晶装置，具备包括以多行和多列所构成的多个子像素作为单位像素的基板所构成。作为如此的像素结构的例，可举出子像素在行及列方向配置为田字状而构成单位像素的像素结构。而且，基板，具备开关元件，至少设置于开关元件的上侧、通过例如透明的丙烯酸树脂等所形成了的绝缘膜，设置于该绝缘膜的上侧的第1透明电极，设置于该第1透明电极的上侧、通过例如SiO2、SiNX(氮化硅膜)等所形成了的其他的绝缘膜，和设置于该其他的绝缘膜的上侧、具有按子像素的每个所形成的多个缝隙并在其与第1透明电极之间通过该缝隙的各自而使电场发生的第2透明电极所构成。在合适的例中，前述电场，能够为在与前述基板大致平行的方向及大致垂直的方向(基板的上侧方向)具有强的电场分量的边缘场。由此，能够构成FFS方式的液晶装置。在合适的例中，作为开关元件，例如，能够采用在玻璃基板上以600℃以下的温度所制造的为LTPS(Low Temperature Poly Silion，低温多晶硅)型的TFT元件或P-Si(多晶硅)型的TFT元件或α-Si(非晶硅)型的TFT元件等所代表的三端子型元件，或者为TFD(Thin Film Diode，薄膜二极管)元件等所代表的二端子型非线性元件等。在此，在设定了单位像素通过配置为1行多列的子像素所构成，而且子像素形成为具有长边及短边的矩形，设置于第2透明电极的缝隙的各自的长边的延伸方向，规定为与子像素的短边的延伸方向相同的方向的比较例的情况下，为了采用FFS方式而适当地使液晶受到驱动，需要遍布子像素的整体均匀地设置缝隙。若如此进行，则在比较例中，需要设置为在子像素的长边方向隔开适宜的间隔而排列缝隙，相应地增加缝隙的设定数。并且，在一般性的FFS方式的液晶装置的情况下，在缝隙的长边方向的两端部之中的任何一方的端部附近，在液晶的驱动时，与不在各缝隙的端部附近的位置相比较、边缘场的施加方式改变，发生液晶分子几乎不被驱动的畴区域(液晶的取向异常区域)。因此，在该畴区域中，明亮度降低而在显示上变成暗的区域。还有，该畴区域，从现象上看，按缝隙的设定数的量发生，并且，在相邻的各缝隙之间互相不同且锯齿状地发生。从而，如上述的比较例地设置于子像素的缝隙数越多则不用于明亮度的畴区域就越增加，而存在相应地，液晶装置的透射率显著地降低的问题。该点，在该液晶装置中，单位像素通过以多行和多列所构成的多个子像素所构成，设置于第2透明电极的缝隙的各自的长边的延伸方向，规定为与子像素的排列的列方向不相同的方向。在合适的例中，优选前述缝隙的各自的长边的延伸方向，规定为前述行方向或相对于前述行方向仅倾斜了预定的角度的方向。由此，能够将缝隙均匀地配置于第2透明电极的整体，并且与上述的比较例相比较，能减少该缝隙的设定数。因为在该液晶装置中，虽然在液晶的驱动时，也在各缝隙的长边方向的两端部之中的任何一方的端部附近产生畴区域，但是与上述的比较例相比较减少了设置于第2透明电极的缝隙的个数，所以能够伴随于此而减少畴区域。其结果，能够防止透射率降低。在合适的例中，优选具有电连接于前述开关元件的各自、延伸于前述列方向的多条第1布线及延伸于前述行方向的多条第2布线；前述缝隙的各自的长边的延伸方向，规定为与前述多条第2布线的延伸方向相同的方向或相本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种液晶装置，其特征在于：具备包括以多行和多列所构成的多个子像素作为单位像素的基板；前述基板，具备：开关元件、至少设置于前述开关元件的上侧的绝缘膜、设置于前述绝缘膜的上侧的第１透明电极、设置于前述第１透明电极的上侧的其他的绝 缘膜和第２透明电极，该第２透明电极设置于前述其他的绝缘膜的上侧，具有按前述子像素的每个所形成的多个缝隙，并在其与前述第１透明电极之间通过前述缝隙的各自而使电场发生；前述缝隙的各自的长边的延伸方向，规定为与前述列方向不相同的方向。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：藤田伸，
申请(专利权)人：爱普生映像元器件有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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