覆晶封装结构及其制作工艺制造技术

本发明专利技术揭露一种覆晶封装结构及其制作工艺，该制作工艺包括将第一锡膏体与第二锡膏体(或助焊剂)分别黏着于晶圆的正极与负极；切割晶圆，得到多个独立的覆晶芯片，其中，各个覆晶芯片的正极与负极分别黏着有第一锡膏体与第二锡膏体；将覆晶芯片黏有第一锡膏体与第二锡膏体的一侧设置于基板上；对第一锡膏体与第二锡膏体进行控温加热处理，融化第一锡膏体与第二锡膏体，以将覆晶芯片固定于基板上；对覆晶芯片进行封装处理。借此，可有效控制覆晶芯片上的锡膏用量，避免制程中因锡量不均匀或不当等问题造成覆晶封装结构导通失效的问题，提高覆晶封装结构的生产制程良率与可靠度。覆晶封装结构的生产制程良率与可靠度。覆晶封装结构的生产制程良率与可靠度。

【技术实现步骤摘要】
覆晶封装结构及其制作工艺


[0001]本专利技术涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种覆晶封装结构及其制作工艺。

技术介绍

[0002]现有覆晶芯片(Flip Chip)的电子组件,其在将芯片设置于基板上的制作工艺为，使用点胶针沾上适量锡膏置于基板上，再将芯片置放在锡膏上，通过程序控温，使得锡膏熔融固化，进而将芯片黏着于基板上，接着再进行后续的封装制程。
[0003]此种使用点胶针沾锡膏于基板上再置放芯片的工艺,在大批量的生产过程中,胶针上沾有锡膏的量不易控制。若是锡量太多，会导致锡膏将芯片的正负极焊垫(pad)一并连接起来,从而使整个电路导通不良；若是锡量太少，则会使得芯片的正极焊垫、负极焊垫与基板接触不完全,减少芯片散热面积，从而导致产品的可靠度下降。
[0004]因此，本专利技术的主要目的在于提供一种覆晶封装结构及其制作工艺，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术之目的在于提供一种覆晶封装结构及其制作工艺，可有效控制覆晶芯片上的锡膏用量，避免制程中因锡量不均匀或不当等问题造成覆晶封装结构导通失效的问题，提高覆晶封装结构的生产制程良率与可靠度。
[0006]为达所述优点至少其中之一或其他优点，本专利技术的一实施例提出一种覆晶封装结构的制作工艺，包括下列步骤：
[0007]步骤一，将第一锡膏体与第二锡膏体分别黏着于晶圆的正极与负极，且第一锡膏体与第二锡膏体位于晶圆的同侧；步骤二，切割晶圆，得到多个独立的覆晶芯片，其中，各个覆晶芯片的正极与负极分别黏着有第一锡膏体与第二锡膏体；步骤三，将覆晶芯片黏有第一锡膏体与第二锡膏体的一侧设置于基板上；步骤四，对第一锡膏体与第二锡膏体进行控温加热处理，融化第一锡膏体与第二锡膏体，以将覆晶芯片固定于基板上；步骤五，对覆晶芯片进行封装处理。
[0008]在一些实施例中，所述基板是选自金属基板、陶瓷基板、印刷电路板中的一种。
[0009]在一些实施例中，在所述步骤三之前还包括：使用热固性材料在基板的表面形成反射杯状的支撑结构。
[0010]进一步的，所述热固性材料是选自环氧模塑化合物(Epoxy Molding Compound)、有机硅模塑料(Silicone Molding Compound)、不饱和聚脂所构成的群组中的至少一种。
[0011]在一些实施例中，在所述步骤三之前还包括：使用热塑性材料在基板的表面形成反射杯状的支撑结构。
[0012]进一步的，所述热塑性材料是选自PCT树脂、PPA塑料、液晶高分子聚合物(Liquid Crystal Polymer)所构成的群组中的至少一种。
[0013]在一些实施例中，所述步骤五进一步包括：使用封装层封装所述覆晶芯片。
[0014]进一步的，所述封装层中包含荧光粉。
[0015]进一步的，所述封装层可以是以环氧树脂或硅胶材料制成。
[0016]为达所述优点至少其中之一或其他优点，本专利技术的又一实施例进一步提出一种覆晶封装结构，所述覆晶封装结构采用上述中任一项所述的覆晶封装结构的制作工艺制造形成。
[0017]因此，利用本专利技术所提供一种覆晶封装结构及其制作工艺，在晶圆(Wafer)时期就将锡膏黏着于其正极与负极上，可加快生产效率，并有效控制覆晶芯片上的锡膏用量，避免制程中因锡量不均匀或不当而造成覆晶封装结构导通失效的问题发生，提高覆晶封装结构的生产制程良率与可靠度。
[0018]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下列举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。
附图说明
[0019]所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，并非用于限定本专利技术的实施方式仅限于此，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图衍生而获得其他的附图。所述附图包括：
[0020]图1是本专利技术覆晶封装结构的制作工艺的流程示意图；
[0021]图2是本专利技术制作覆晶封装结构的过程示意图；以及
[0022]图3是本专利技术覆晶封装结构的剖面示意图。
[0023]附图标注：10、41、42、43、44、45、46、47、48、49、50、51、52、53
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覆晶封装结构；12
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基板；14
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支撑结构；16
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覆晶芯片；18
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第一锡膏体；20
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第二锡膏体；22
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封装层；24
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硅胶。
具体实施方式
[0024]这里所公开的具体结构和功能细节仅仅是代表性的，并且是用于描述本专利技术的示例性实施例的目的。但是本专利技术可以通过许多替换形式来具体实现，并且不应当被解释成仅仅受限于这里所阐述的实施例。
[0025]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
[0026]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸的连接，或一体成型的
连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0027]这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
[0028]请参阅图1和图2，图1是本专利技术覆晶封装结构10的制作工艺的流程示意图，图2是本专利技术制作覆晶封装结构10的过程示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本专利技术的一实施例提出一种覆晶封装结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种覆晶封装结构的制作工艺，其特征在于，所述覆晶封装结构的制作工艺包括下列步骤：将第一锡膏体与第二锡膏体分别黏着于晶圆的正极与负极，且所述第一锡膏体与所述第二锡膏体位于所述晶圆的同侧；切割所述晶圆，得到多个独立的覆晶芯片，其中，各个所述覆晶芯片的正极与负极分别黏着有所述第一锡膏体与所述第二锡膏体；将所述覆晶芯片黏有所述第一锡膏体与所述第二锡膏体的一侧设置于基板上；对所述第一锡膏体与所述第二锡膏体进行控温加热处理，融化所述第一锡膏体与所述第二锡膏体，以将所述覆晶芯片固定于所述基板上；以及对所述覆晶芯片进行封装处理。2.如权利要求1所述的覆晶封装结构的制作工艺，其特征在于，所述基板是选自金属基板、陶瓷基板、印刷电路板中的一种。3.如权利要求1所述的覆晶封装结构的制作工艺，其特征在于，在所述将覆晶芯片黏有第一锡膏体与第二锡膏体的一侧设置于基板上的步骤之前还包括：使用热固性材料在基板的表面形成反射杯状的支撑结构。4.如权利要求3所述的覆晶封装结构的制作工艺，其特征在于，所述热固性材料是选自环氧模塑化合物(Epoxy Molding...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁瑞鸿，陈彧，吴奕备，张智鸿，洪国展，杨皓宇，陈锦庆，朱澄，何坦，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：