半导体封装方法技术

本申请提供一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：提供载板，所述载板包括用于贴装芯片的贴装区；形成粘结层，所述粘结层的材料为有机感光材料，所述粘结层在所述载板上的正投影至少覆盖所述贴装区，所述粘结层为膜层状，且未固化；将所述芯片贴装在所述粘结层上，所述芯片在所述载板上的正投影位于所述贴装区；所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面朝向所述粘结层，所述第一面与所述第二面中的一个设有焊垫；形成包封层，所述包封层至少覆盖所述芯片的侧面；去除至少部分所述粘结层，并形成再布线结构，所述再布线结构将所述焊垫引出。所述焊垫引出。所述焊垫引出。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别涉及一种半导体封装方法。

技术介绍

[0002]常见的半导体封装技术，比如芯片封装技术主要包含下述工艺过程：首先将芯片贴装在载板上，进行热压塑封形成包封层，将载板剥离，然后形成将芯片的焊垫引出的再布线层。
[0003]现有的芯片封装技术中，在形成包封层的过程中，可能会使芯片发生移动，有可能导致后续形成的再布线层与芯片的焊垫电连接效果不好，导致最终得到的封装产品失效。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种半导体封装方法。所述半导体封装方法包括：
[0005]提供载板，所述载板包括用于贴装芯片的贴装区；
[0006]形成粘结层，所述粘结层的材料为有机感光材料，所述粘结层在所述载板上的正投影至少覆盖所述贴装区，所述粘结层为膜层状，且未固化；
[0007]将所述芯片贴装在所述粘结层上，所述芯片在所述载板上的正投影位于所述贴装区；所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面朝向所述粘结层，所述第一面与所述第二面中的一个设有焊垫；
[0008]形成包封层，所述包封层至少覆盖所述芯片的侧面；
[0009]去除至少部分所述粘结层，并形成再布线结构，所述再布线结构将所述焊垫引出。
[0010]在一个实施例中，所述载板还包括位于所述贴装区之外的非贴装区，所述粘结层在所述载板上的正投影覆盖至少部分所述非贴装区，位于所述非贴装区的所述粘结层环绕所述芯片，且位于所述非贴装区的所述粘结层在所述载板上的正投影与所述芯片在所述载板上的正投影邻接；
[0011]所述将所述芯片贴装在所述粘结层上之后，且在所述形成包封层之前，所述半导体封装方法还包括：采用光线照射所述粘结层，使在所述载板上的正投影位于所述贴装区之外的所述粘结层发生固化；
[0012]所述去除至少部分所述粘结层，包括：去除所述粘结层与所述芯片相对的部分。
[0013]在一个实施例中，所述形成粘结层之前，所述半导体封装方法还包括：
[0014]在所述载板上设置种子层，所述种子层在所述载板上的正投影覆盖所述载板；
[0015]基于所述种子层形成位于所述种子层背离所述载板一侧的导电柱，所述导电柱位于所述贴装区之外；所述粘结层位于所述种子层背离所述载板的一侧；
[0016]所述再布线结构包括第一子布线结构与第二子布线结构；所述形成再布线结构包括：
[0017]在所述包封层背离所述第二面的一侧形成第一子布线结构，在所述包封层背离所述第一面的一侧形成第二子布线结构，所述第一子布线结构及所述第二子布线结构中靠近
所述芯片正面的子布线结构与所述焊垫电连接，所述第一子布线结构与所述第二子布线结构通过所述导电柱电连接。
[0018]在一个实施例中，所述载板还包括位于所述贴装区之外的非贴装区，所述粘结层在所述载板上的正投影覆盖至少部分所述非贴装区；位于所述非贴装区的所述粘结层覆盖所述导电柱背离所述种子层的表面，位于所述非贴装区的所述粘结层环绕所述芯片，且位于所述非贴装区的所述粘结层在所述载板上的正投影与所述芯片在所述载板上的正投影邻接；
[0019]所述将所述芯片贴装在所述粘结层上之后，且所述形成包封层之前，所述半导体封装方法还包括：采用光线照射所述粘结层，使在所述载板上的正投影位于所述贴装区之外的所述粘结层发生固化；
[0020]所述去除至少部分所述粘结层，包括：在形成第二子布线结构之前，去除位于所述导电柱背离所述种子层一侧的已固化的粘结层。
[0021]在一个实施例中，所述去除至少部分所述粘结层，包括：
[0022]在形成所述第一子布线结构之前，去除所述载板，暴露所述种子层；
[0023]对所述种子层进行刻蚀，使所述粘结层与所述芯片相对的部分露出；
[0024]去除所述粘结层与所述芯片相对的部分。
[0025]在一个实施例中，所述第一面设有焊垫，所述芯片还设有覆盖所述焊垫的保护层；
[0026]所述去除所述粘结层与所述芯片相对的部分之后，所述半导体封装方法还包括：
[0027]在所述保护层上形成暴露所述焊垫的开孔。
[0028]在一个实施例中，所述导电柱的厚度大于200μm，所述导电柱包括位于所述种子层上的第一导电部及位于所述第一导电部背离所述种子层一侧的第二导电部，所述第二导电部在所述载板上的正投影的边缘位于所述第一导电部在所述载板上的正投影的边缘内侧。
[0029]在一个实施例中，所述第二导电部在所述载板上的正投影的边缘与所述一导电部在所述载板上的正投影的边缘之间的距离小于或等于8μm。
[0030]在一个实施例中，所述基于所述种子层形成位于所述种子层背离所述载板一侧的导电柱，包括：
[0031]在所述种子层背离所述载板的一侧设置图形化的绝缘层，所述绝缘层设有镂空；
[0032]将所述种子层连接至电源，进行电镀，以在所述种子层被所述镂空暴露的区域形成导电柱；
[0033]去除所述绝缘层。
[0034]在一个实施例中，所述粘结层的厚度范围为3μm～15μm；和/或，
[0035]所述粘结层的材料包括绿油及聚酰亚胺中的至少一种。
[0036]本申请实施例所达到的主要技术效果是：
[0037]本申请实施例提供的半导体封装方法，通过形成粘结层，且粘结层的材料为有机感光材料，将芯片贴装在粘结层上，可使得芯片在载板上固定得比较牢固，可避免在形成包封层的过程中因包封层的材料流动而使芯片发生移动的问题，保证芯片的焊垫与再布线结构的电连接效果，可提升产品的良率；粘结层为膜层状，且未发生固化，更易于粘结层的去除；由于芯片通过粘结层贴装后不易发生移动，工艺误差一定的前提下，在保证芯片的焊垫被再布线结构覆盖的前提下，可使得再布线结构覆盖芯片的焊垫的部分的边缘与芯片的焊
垫的边缘之间的距离减小，也即是可将再布线结构覆盖芯片的焊垫的部分的尺寸设置得较小，可减小再布线结构的布线难度。
附图说明
[0038]图1是本申请一示例性实施例提供的半导体封装方法的流程图；
[0039]图2是本申请另一示例性实施例提供的半导体封装方法的流程图；
[0040]图3是本申请一示例性实施例提供的半导体封装结构的第一中间结构的结构示意图；
[0041]图4是本申请一示例性实施例提供的半导体封装结构的第二中间结构的结构示意图；
[0042]图5是本申请一示例性实施例提供的半导体封装结构的第三中间结构的结构示意图；
[0043]图6是本申请一示例性实施例提供的半导体封装结构的第四中间结构的结构示意图；
[0044]图7是本申请一示例性实施例提供的半导体封装结构的第五中间结构的结构示意图；
[0045]图8是本申请一示例性实施例提供的第五中间结构在包封层进行减薄前的结构示意图；
[0046]图9是本申请一示例性实施例提供的半导体封装结构的结构示本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装方法，其特征在于，包括：提供载板，所述载板包括用于贴装芯片的贴装区；形成粘结层，所述粘结层的材料为有机感光材料，所述粘结层在所述载板上的正投影至少覆盖所述贴装区，所述粘结层为膜层状，且未固化；将所述芯片贴装在所述粘结层上，所述芯片在所述载板上的正投影位于所述贴装区；所述芯片包括相对的第一面和第二面，所述第一面朝向所述粘结层，所述第一面与所述第二面中的一个设有焊垫；形成包封层，所述包封层至少覆盖所述芯片的侧面；去除至少部分所述粘结层，并形成再布线结构，所述再布线结构将所述焊垫引出。2.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板还包括位于所述贴装区之外的非贴装区，所述粘结层在所述载板上的正投影覆盖至少部分所述非贴装区，位于所述非贴装区的所述粘结层环绕所述芯片，且位于所述非贴装区的所述粘结层在所述载板上的正投影与所述芯片在所述载板上的正投影邻接；所述将所述芯片贴装在所述粘结层上之后，且在所述形成包封层之前，所述半导体封装方法还包括：采用光线照射所述粘结层，使在所述载板上的正投影位于所述贴装区之外的所述粘结层发生固化；所述去除至少部分所述粘结层，包括：去除所述粘结层与所述芯片相对的部分。3.根据权利要求1所述的半导体封装方法，其特征在于，所述形成粘结层之前，所述半导体封装方法还包括：在所述载板上设置种子层，所述种子层在所述载板上的正投影覆盖所述载板；基于所述种子层形成位于所述种子层背离所述载板一侧的导电柱，所述导电柱位于所述贴装区之外；所述粘结层位于所述种子层背离所述载板的一侧；所述再布线结构包括第一子布线结构与第二子布线结构；所述形成再布线结构包括：在所述包封层背离所述第二面的一侧形成第一子布线结构，在所述包封层背离所述第一面的一侧形成第二子布线结构，所述第一子布线结构及所述第二子布线结构中靠近所述芯片正面的子布线结构与所述焊垫电连接，所述第一子布线结构与所述第二子布线结构通过所述导电柱电连接。4.根据权利要求3所述的半导体封装方法，其特征在于，所述载板还包括位于所述贴装区之外的非贴装区，所述粘结层在所述载板上的正投影覆盖至少部分所述非贴装区；位于所述非贴装...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨威源，
申请(专利权)人：矽磐微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：