一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法技术

本发明专利技术公开了一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，包括以下制备步骤，制备凝胶液：将TEOS、MTES、H2O和C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；然后加入氨水和HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入HMDS，常温搅拌3小时后陈化一周，得到凝胶液。凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45

【技术实现步骤摘要】
一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法


[0001]本专利技术涉及通信材料加工领域，特别是一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，无源光通信上包层的生长方式一般利用半导体方式生长；一种为PECVD方式生长，生长三十微米，需要生长3次，加上退火时间周期较长；一种是采用火焰水解方式，此方式为明火生长，风险较高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是为了解决
技术介绍
中时间周期较长，风险较高等问题，设计了一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，解决半导体生长方式耗时较长的问题，提高了产能，并且有效的控制了生产成本，同时产品的性能极大的满足了要求。
[0004]实现上述目的本专利技术的技术方案为，一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，包括以下制备步骤：
[0005]步骤1：制备凝胶液；
[0006]步骤2：凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45
±
5℃，旋涂时间共30s；
[0007]步骤3.：膜层坚膜：烘烤2小时，然后退火1小时，完成坚膜。
[0008]为了对本技术方案进行进一步补充，步骤1中制备凝胶液的具体步骤如下：
[0009]S1：将TEOS、MTES、H2O和C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；
[0010]S2：然后加入氨水和HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入HMDS，常温搅拌3小时，陈化一周，得到凝胶液。
[0011]为了对本技术方案进行进一步补充，所述SiO2和HPCD的质量比为(0.1－1)：1。
[0012]为了对本技术方案进行进一步补充，所述SiO2和HMDS的质量比为1：2。
[0013]为了对本技术方案进行进一步补充，步骤3中，烘烤的温度为100℃。
[0014]为了对本技术方案进行进一步补充，步骤3中，退火的温度为420℃。
[0015]为了对本技术方案进行进一步补充，步骤2中，前10s，涂胶机转速为2000rpm，后20s，涂胶机转速为5000rpm。
[0016]其有益效果在于：
[0017]1.本专利技术仅需旋涂机及低温退火，不需高价的半导体设备，且原料成本低；
[0018]2.本专利技术在将凝胶制备完成后总共仅需4～6小时，大大的缩短了包层的制备时间，提高了产能；
[0019]3.产品的性能极大的满足了要求。
具体实施方式
[0020]下面结合实施例对本专利技术进行具体描述，一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，包括以下制备步骤：
[0021]步骤1：制备凝胶液
[0022]S1：将TEOS、MTES、H2O和C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；
[0023]S2：然后加入氨水和HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入HMDS，常温搅拌3小时，陈化一周，得到凝胶液。所述SiO2和HPCD的质量比为(0.1－1)：1，所述SiO2和HMDS的质量比为1：2。
[0024]步骤2：凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45
±
5℃，旋涂时间共30s，前10s，涂胶机转速为2000rpm，后20s，涂胶机转速为5000rpm。
[0025]步骤3.：膜层坚膜：烘烤的温度为100℃，烘烤2小时；退火的温度为420℃，然后退火1小时，完成坚膜。
[0026]实施例1
[0027]一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，包括以下制备步骤：
[0028]步骤1：制备凝胶液
[0029]S1：将50.175g TEOS、64.425g MTES、30g H2O和1035.975g C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；
[0030]S2：然后加入6.525g氨水和0.1倍SiO2质量的HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入2倍SiO2质量的HMDS，常温搅拌3小时，陈化一周，得到凝胶液。
[0031]步骤2：凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45
±
5℃，旋涂时间共30s，前10s，涂胶机转速为2000rpm，后20s，涂胶机转速为5000rpm。
[0032]步骤3.：膜层坚膜：烘烤的温度为100℃，烘烤2小时；退火的温度为420℃，然后退火1小时，完成坚膜。
[0033]实施例2
[0034]一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，包括以下制备步骤：
[0035]步骤1：制备凝胶液
[0036]S1：将50.175g TEOS、64.425g MTES、30g H2O和1035.975g C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；
[0037]S2：然后加入6.525g氨水和0.15倍SiO2质量的HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入2倍SiO2质量的HMDS，常温搅拌3小时，陈化一周，得到凝胶液。
[0038]步骤2：凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45
±
5℃，旋涂时间共30s，前10s，涂胶机转速为2000rpm，后20s，涂胶机转速为5000rpm。
[0039]步骤3.：膜层坚膜：烘烤的温度为100℃，烘烤2小时；退火的温度为420℃，然后退火1小时，完成坚膜。
[0040]实施例3
[0041]一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，包括以下制备步骤：
[0042]步骤1：制备凝胶液
[0043]S1：将50.175g TEOS、64.425g MTES、30g H2O和1035.975g C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；
[0044]S2：然后加入6.525g氨水和0.2倍SiO2质量的HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入2倍SiO2质量的HMDS，常温搅拌3小时，陈化一周，得到凝胶液。
[0045]步骤2：凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45
±
5℃，旋涂时间共30s，前10s，涂胶机转速为2000rpm，后20s，涂胶机转速为5000rpm。
[0046]步骤3.：膜层坚膜：烘烤的温度为100℃，烘烤2小时；退火的温度为420℃，然后退火1小时，完成坚膜。
[0047]实施例4
[0048]一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，包括以下制备步骤：
[0049]步骤1：制备凝胶液
[0050]S1：将50.175g TEOS、64.425g MTES、30g H2O和1035.975g C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；
[0051]S2：然后加入6.525g氨水和0.25倍SiO2质量的HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入2倍SiO2质量的HMDS，常温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：步骤1：制备凝胶液；步骤2：凝胶旋涂：使用涂胶机在石英晶园上旋涂，温度为22℃，相对湿度为45
±
5℃，旋涂时间共30s；步骤3.：膜层坚膜：烘烤2小时，然后退火1小时，完成坚膜。2.根据权利要求1所述的一种无源光通信芯片的上包层凝胶制备方法，其特征在于，步骤1中制备凝胶液的具体步骤如下：S1：将TEOS、MTES、H2O和C2H5OH2混合，进行反应，反应产物包括SiO2；S2：然后加入氨水和HPCD，常温搅拌3小时，陈化一周后加入HMDS，常温搅拌3小时，陈化一周，得到凝胶液。3.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：翟继鑫，
申请(专利权)人：无锡市芯飞通光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：