液晶面板及其像素驱动方法技术

一种像素驱动方法，其中包括：根据一像素的极性变化，产生对应该像素的灰阶值的补偿数据电压；产生对应该像素的灰阶值的理想数据电压；令该像素的充电时间包括第一充电时间以及第二充电时间；在该第一充电时间内，以该补偿数据电压充电该像素；以及在该第二充电时间内，以该理想数据电压充电该像素。

【技术实现步骤摘要】
液晶面feS其像素驱动方法财领域本专利技术关于一种液晶面板，特别关于一种像素的驱动装置与方法。现有技术传统液晶显示器的扫描频率大约为60赫兹，容易在播放动态画 面时产生画面拖影。为了改善画面拖影，常用的解决方式为提高液晶显示器的扫描频率，例如改采用具有120赫兹扫描频率的显示器。60赫兹显示器的一个画面经过计算后，将以两个120赫兹的次 画面在120赫兹显示器上播出。假设像素在60赫兹显示器的画面中 所要显示的亮度为理想亮度。该像素在两个次画面的总亮度将等于该 理想亮度。纵然提高扫描频率可以提升动态画面的流畅度，但提高扫描频 率也意味着像素写入时间縮短，易发生像素充/放电不足现象。图1A、 1B是比较一个像素在60赫兹显示器以及120赫兹显示器的充电状 况。乙》为液晶面板的共用电极(common electrode)的电压。栅极电压Vg^用来启动该像素，以将一数据电压Vdata写入该像素。该像素的实际电压值以像素电压Vp^表示。以60赫兹的显示器为例，该栅极 电压V^启动该像素后，该像素电压Vpw将在时间T之内逐渐充/放 电至该数据电压Vdata。然而，在120赫兹的显示器中，由于充/放电 时间为T/2，只有60赫兹的显示器的一半，该像素电压Vpw将无法 在该像素关闭前充/放电至该数据电压Vdata。如图所示，该栅极电压 Vgah关闭该像素时，该像素电压Vpi^与该数据电压Vdata之间存在一 电压差AVd-p。上述充/放电不足现象将破坏显示器的对比度。因此，需 要一种新颖的液晶显示器技术来克服上述充/放电不足现象。
技术实现思路
本专利技术所提出的液晶显示器技术，将克服高扫描频率显示器的 像素充/放电时间不足现象。本专利技术提出一种像素驱动方法，根据像素的极性变化，产生对 应该灰阶值的理想数据电压，与补偿数据电压。这种像素驱动方法将 该像素的充电时间划分为第一充电时间以及第二充电时间。在该第一 充电时间内，该像素驱动方法将以该补偿数据电压充电该像素。在该 第二充电时间内，该像素驱动方法将以该理想数据电压充电该像素。 其中，对应最大灰阶值的上述理想数据电压不等于对应该最大灰阶值 的上述补偿数据电压。本专利技术更提出一种液晶面板，其中包括像素、时序控制装置、 迦马曲线装置、选择装置、以及驱动装置。该时序控制装置将输出一 个同步信号、 一个控制信号、以及该像素的灰阶值。该迦马曲线装置 可以是迦马曲线晶片或者是迦马电阻，其中内建一理想迦马曲线、以 及至少一个补偿迦马曲线。其中，该理想迦马曲线中所对应的电压即 为该理想数据电压，该补偿迦马曲线中所对应的电压即为该补偿数据 电压。根据该同步信号，该选择装置将在第一充电时间中，基于该像 素的极性转换，自该迦马曲线装置选取一个上述补偿迦马曲线；并且 在第二充电时间中，自该迦马曲线装置选取该理想迦马曲线。该驱动 装置将根据该选择装置所选择的迦马曲线、该控制信号以及该像素的 灰阶值，产生数据电压以充电该像素。其中，该理想迦马曲线对应一 最大灰阶值的上述数据电压不等于上述补偿迦马曲线对应该最大灰 阶值的上述数据电压。为让本专利技术的上述和其他目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合所附图式进行详细说明。 附图说明图1A示出了像素在60赫兹显示器的充电状况；图1B示出了像素在120赫兹显示器的充电状况；图2A是像素为正极性时的电路结构；图2B图示了图2A的充电电流的变化； 图3A是像素为负极性时的电路结构； 图3B图示了图3A的放电电流的变化； 图4举例说明本专利技术的像素驱动方法；图5举例比较一像素由负极性转正极性、与维持正极性的驱动方法；图6显示本专利技术的灰阶值与数据电压的关系；以及图7图示了本专利技术的液晶面板的一种实施方式。具体实施方式像素的极性也会影响其充/放电速度。图2A、 2B以一像素的简单 电路结构，说明该像素为正极性(V^与Vpw都大于V，)，其充电电 流L的变化。其中，栅极电压V一用来启动该像素，以将一数据电 压Vdata写入该像素。该像素的实际电压值以像素电压VpiMl表示。该充电电流Ids的变化主要由该像素的晶体管202的漏源极电压 差Vds(=Vdata-VpiMl)以及栅源极电压差Vgs(^V一-U所决定。在充电区 间中，该数据电压Vd"a与该栅极电压V^为定值，该像素电压Vpixsl 经由该充电电流Ids充电后，将逐渐逼近该数据电压Vdata。换言之， 该晶体管202的漏源极电压差L与栅源极电压差Vgs都会逐渐降低。 参考图2B，假设该电晶体202的栅源极电压差Vgs由Vgs」降低至Vgs_2， 并且其漏源极电压差L由V^降低至Vds2，再接着栅源极电压差Vgs将低至Vgs_3，并且其漏源极电压差Vds将低至Vds3，则该充电电流Ids将快速地由Pa降低至Pb、再降低至P。。如此快速降低的充电电流L 将无法提供充足电荷充电该像素，导致充电不足的状况发生。图3A、 3B举例说明像素为负极性(Vdata与VpM都小于V。丄其放 电电流Ids的变化。该放电电流Ids的变化主要由该晶体管202的漏源极电压差Vds(=V—厂VdatJ以及栅源极电压差Vj々一-Vdata)所决定。在 放电区间中，该栅极电压^^与该数据电压Vdata都为定值，仅该像素电压Vp^在经由该放电电流Ids放电后，将逐渐逼近该数据电压Vdata。 换言之，该晶体管202的栅源极电压差Vgs(=Vgat6-U在放电过程中将维持定值，仅该漏源极电压差VdS(=Vp^-U会逐渐降低。参考图3B，该漏源极电压差Vds将由Vds,降低至V^、再降低至Vds3，并且该放 电电流Ids将和缓地由Pa降低至Pb、再降低至P。。相较于图2A、 2B 中急速降低的充电电流Ids，像素在负极性时较不易发生充/放电不足现象。此外，研究结果发现，在像素为正极性的状况下，像素先前的 极性也会影响其充/放电状况。其中，像素由负极性转为正极性时的 充/放电不足问题将较先前与现在都是正极性时严重。本专利技术将针对 该像素的极性变化，提出合适的解决方案。图4举例说明本专利技术的像素驱动方法。此说明例中，像素的极性将由原本的负极性(V^a与Vp^都小于V。。J转换成正极性(V^与 VpM都大于V。J。在极性转换的瞬间，Vk将由小于V。。^转变为大于 V。。m，然而，此时VpW尚未充电，故Vdata将大于VpiMl，其像素晶体管的充电状况己详述于图2A与2B的说明内容。本专利技术将一像素的充电时间分割为第一充电时间Ta以及第二充电时间Tb。若不考虑充/放电不足问题，该像素的一灰阶值所对应的数据电压V"为一理想数据电 压Vb。为了克服充/放电不足问题，本专利技术将更根据该像素的极性变化，产生对应该灰阶值的补偿数据电压Va。在此说明例(像素为正极性)中，该补偿数据电压Va将大于该理想数据电压Vb，以提供大电流 充电该像素。本专利技术将于该第一充电时间Ta内，以该补偿数据电压 Va充电该像素，并且在该第二充电时间Tb内，以该理想数据电压Vb 充电该像素。如图所示，该补偿数据电压Va提供较大的充电电流以 确保将该像素电压Vp^于该第一充电时间Ta末接近该理想数据电压Vb。在该第二充电时间Tb中，该像素电压Vp^将微调至该理想数据电 压Vb。如此一来，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素驱动方法，其中包括：根据一像素的极性变化，产生对应该像素的灰阶值的补偿数据电压；产生对应该像素的灰阶值的理想数据电压；令该像素的充电时间包括第一充电时间以及第二充电时间；在该第一充电时间内，以该补偿数据电压充电该像素；以及在该第二充电时间内，以该理想数据电压充电该像素。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：潘轩霖，施博盛，
申请(专利权)人：瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71