【技术实现步骤摘要】
一种半导体热处理设备及其管路加热结构
[0001]本专利技术属于半导体
,更具体地,涉及一种半导体热处理设备及其管路加热结构。
技术介绍
[0002]在半导体热处理设备,例如立式炉设备,进行工艺时,反应物通过管路输送到腔室内与晶圆进行反应,反应完成后,再通过管路排出。在这个过程中,管路内部需要保持通畅和很高的洁净度。但是当管路温度较低时,会造成部分反应物凝结并沉积到管路内壁,若沉积物进入腔室内会造成产品良品率降低。所以使管路维持合适的温度显得尤为重要。
[0003]目前管路使用缠绕并固定在管路上的加热带进行加热。如图1所示,加热带包括加热层1和保温层2a、2b,加热带包裹在管路3外壁,保温层2a与管路3接触,保温层2b裸露在空气中,加热层1为电阻丝,电流通过导线接头4a流入,导线接头4b流出,从而形成回路。当设备进行工艺时,给加热层1通入交流电产生热量,热量通过保温层2a传递到管路3,使管路3温度升高,同时保温层2a、2b的温度也在逐渐提高,加热带内的电阻丝通入电流产生热量,热量通过热传导加热管路3。而电阻丝产 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体热处理设备的管路加热结构,其特征在于,包括由内向外依次套设于所述管路(3)外部的第一保温层(2a)、线圈(6)和第二保温层(2b),所述线圈(6)沿轴向缠绕于所述第一保温层(2a)的外周。2.根据权利要求1所述的管路加热结构,其特征在于,还包括磁屏蔽罩(8),所述磁屏蔽罩(8)为管状,设于所述线圈(6)和所述第二保温层(2b)之间,所述磁屏蔽罩(8)的两端与所述第一保温层(2a)的外周接合形成封闭腔,所述线圈(6)设于所述封闭腔内;所述第二保温层(2b)与所述第一保温层(2a)相连接以封闭所述磁屏蔽罩(8)。3.根据权利要求2所述的管路加热结构,其特征在于,所述第一保温层(2a)与所述第二保温层(2b)的长度均大于所述磁屏蔽罩(8)的长度,所述第二保温层(2b)的端部与同侧的所述第一保温层(2a)端部通过卡扣或第三保温层相连接以封闭所述磁屏蔽罩(8)。4.根据权利要求3所述的管路加热结构,其特征在于,还包括热偶(5),所述热偶(5)设于所述第一保温层(2a)与所述管路(3)的外周之间,所述热偶(5)通过穿过所述第一保温层(2a)的导线与热偶线接头(7)连接,所述第一保温层(2a)与所述第二保温层(2b)一侧的连接处和所...
【专利技术属性】
技术研发人员:马永昌,周厉颖,杨帅,程晨,
申请(专利权)人:北京北方华创微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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