一种用于化学机械抛光的真空系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种用于化学机械抛光的真空系统，包括第一空气存储罐通过第一抽气泵与真空发生器的输入端管路连接，真空发生器的输出端与蓄气滤液盒管路的输入端连接，蓄气滤液盒管路的输出端通过第一气动阀管路连接化学机械抛光机的吸头，第一气动阀至吸头的管路上设有第一压力计，蓄气滤液盒上设有第二压力计，第二空气存储罐通过第二抽气泵与蓄气滤液盒的输入端管路连接，蓄气滤液盒的输出端通过第三气动阀连接排放管路的一端，排放管路的另一端与废料缸连接，真空发生器的输出端与废料缸管路连接，第一抽气泵、真空发生器、第二抽气泵、第一气动阀、第二气动阀、第三气动阀和报警器均与控制器电连接。警器均与控制器电连接。警器均与控制器电连接。

【技术实现步骤摘要】
一种用于化学机械抛光的真空系统


[0001]本技术涉及半导体制造
，特别是涉及一种用于化学机械抛光的真空系统。

技术介绍

[0002]化学机械抛光(Chemical Mechanical Polish，CMP)技术是对半导体材料或者其他类型材料的衬底进行平坦化或抛光的方法，是制备晶圆的关键步骤，广泛应用于半导体制造工艺中，能满足晶圆严格的工艺控制、高质量的表面外形及平面度。
[0003]与传统的纯机械或者纯化学的抛光方法不用，CMP通过化学盒机械的综合作用，避免了单纯机械抛光造成的表面损伤，也避免了单纯的化学抛光造成的抛光速度慢、表面平整度和抛光一致性差的缺点。它利用磨损中的“软磨硬”的原理，即用较软的材料来进行抛光以实现高质量的表面抛光。在一定压力和抛光液的存在下，被抛光晶圆相对于抛光垫相对运动，借助于纳米离子的研磨作用与氧化剂的腐蚀作用之间的有机结合，在被抛光的晶圆表面形成光洁表面。
[0004]通常晶圆通过真空与抛光头紧密地贴合在一起，但是由于抛光液具有腐蚀作用，在管路中以及真空发生器内都不可避免地会吸附很多抛光液。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械抛光的真空系统，其特征在于，其包括第一空气存储罐、第一抽气泵、真空发生器、蓄气滤液盒、第二空气存储罐、第二抽气泵、控制器、报警器和废料缸；所述第一空气存储罐通过第一抽气泵与真空发生器的输入端管路连接，所述真空发生器的输出端与蓄气滤液盒管路的输入端连接，所述蓄气滤液盒管路的输出端通过第一气动阀管路连接化学机械抛光机的吸头，所述第一气动阀至吸头的管路上设有第一压力计，所述蓄气滤液盒上设有第二压力计，所述第二空气存储罐通过第二抽气泵与蓄气滤液盒的输入端管路连接，所述蓄...

【专利技术属性】
技术研发人员：张强，夏久龙，
申请(专利权)人：上海悦匠实业有限公司，
类型：新型
国别省市：