一种承载装置以及研磨设备制造方法及图纸

本申请实施例提供一种承载装置以及研磨设备，属于半导体技术领域，承载装置包括承载台和基座。承载台具有第一开口以及连通第一开口的第一贯通孔。基座具有第二开口以及连通第二开口的第二贯通孔，第一贯通孔和第二贯通孔连通并形成第一通道，第一通道沿第一通道的延伸方向位于第一开口和第二开口之间，第一通道的侧壁配置为将第一通道沿第一通道的径向封闭。通过第一通道的侧壁将第一通道沿第一通道的径向封闭，第一通道内的研磨碎屑无法透过第一通道的侧壁沿径向挤入基座与承载台之间，能够缓解半导体结构沿半导体结构的厚度方向的两个表面出现相互倾斜的现象，即缓解半导体结构厚度在指向晶圆切口的方向逐渐减薄的问题，晶圆的厚度较为均匀。晶圆的厚度较为均匀。晶圆的厚度较为均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种承载装置以及研磨设备


[0001]本申请涉及半导体
，尤其涉及一种承载装置以及研磨设备。

技术介绍

[0002]在半导体结构(例如晶圆)的加工过程中，需要对半导体结构进行研磨(例如，对晶圆进行化学机械研磨)，现有的研磨设备所研磨出的半导体结构的厚度不均匀，呈现出呈某一方向厚度逐渐减薄的问题。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本申请实施例期望提供一种承载装置以及研磨设备，以使半导体结构的厚度较为均匀。
[0004]为达到上述目的，本申请实施例一方面提供一种承载装置，包括：
[0005]承载台，具有第一开口以及连通所述第一开口的第一贯通孔；以及
[0006]基座，具有第二开口以及连通所述第二开口的第二贯通孔，所述第一贯通孔与所述第二贯通孔连通并形成第一通道，所述第一通道沿所述第一通道的延伸方向位于所述第一开口和所述第二开口之间，所述第一通道的侧壁配置为将所述第一通道沿所述第一通道的径向封闭。
[0007]一实施例中，所述承载台与所述基座一体成型。
[0008]一实施例中，所述承载装置还包括收集部件，所述收集部件具有第二通道，所述第二通道经由所述第二开口与所述第一通道连通。
[0009]一实施例中，所述收集部件为收集管。
[0010]一实施例中，所述收集部件与所述基座可拆卸地连接。
[0011]一实施例中，所述承载装置还包括工作台，所述工作台配置为承载所述基座，所述工作台配置为允许所述收集部件沿所述基座背离所述承载台的方向平移或偏转。
[0012]一实施例中，所述基座包括一体成型的基座主体以及连接部，所述工作台配置为承载所述基座主体，所述连接部与所述收集部件连接，所述第二开口位于所述连接部，所述第二开口的高度低于所述目标位置的高度，所述目标位置为所述基座主体与所述工作台的接触位置。
[0013]一实施例中，所述工作台具有第三贯通孔，所述连接部穿设于所述第三贯通孔。
[0014]一实施例中，所述承载台具有第一吸附孔，所述基座具有与所述第一吸附孔连通的第二吸附孔，所述第一吸附孔的直径和所述第二吸附孔的直径均小于所述第一通道的直径。
[0015]一实施例中，所述承载装置还包括设置在承载台上的凸台，所述凸台围设成容纳腔，所述容纳腔位于所述承载台背离所述基座的一侧，所述容纳腔分别与所述第一吸附孔和所述第一通道连通，所述承载装置还包括设置在容纳腔内的匀气层，所述匀气层背离所述第一吸附孔的一侧具有承载面，所述承载面具有在所述承载面上均匀布置的第三开口，
所述第一吸附孔和所述第一通道均与所述第三开口连通。
[0016]本申请实施例提供一种研磨设备，包括上述任一种的承载装置。
[0017]一实施例中，所述研磨设备还包括研磨部件，所述研磨部件位于所述承载台背离所述基座的一侧。
[0018]本申请实施例的承载装置，通过第一通道的侧壁将第一通道沿第一通道的径向封闭，第一通道内的研磨碎屑(例如晶渣)无法透过第一通道的侧壁沿径向挤入基座与承载台之间，能够缓解半导体结构(例如晶圆)沿半导体结构的厚度方向的两个表面出现相互倾斜的现象，即缓解半导体结构厚度在指向晶圆切口的方向逐渐减薄的问题，使得晶圆的厚度较为均匀。
附图说明
[0019]图1为相关技术的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑尚未挤入基座与承载台之间的状态；
[0020]图2为相关技术的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑挤入基座与承载台之间的状态；
[0021]图3为图2中的A向视图，图中示出了晶圆切口与第一通道的位置关系，图中未示出半导体结构与承载台之间的结构；
[0022]图4为本申请实施例的承载装置的结构示意图；
[0023]图5为本申请实施例的承载台的结构示意图；
[0024]图6为本申请实施例的基座的结构示意图；
[0025]图7为本申请实施例的收集部件的结构示意图；
[0026]图8为本申请实施例的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑尚未挤入收集部件与基座之间的状态；
[0027]图9为本申请实施例的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑挤入收集部件与基座之间的其中一种状态；
[0028]图10为本申请实施例的研磨设备的结构示意图，图中示出了研磨碎屑挤入收集部件与基座之间的另一种状态；
[0029]图11为相关技术的研磨设备研磨后的晶圆的厚度示意图。
[0030]附图标记说明：承载装置100；承载台1；第一开口11；第一贯通孔12；基座2；第二开口21；基座主体22；连接部23；第二法兰231；第二贯通孔24；第一通道3；侧壁31；收集部件4；第二通道41；第一法兰42；工作台5；第三贯通孔51；第一吸附孔61；第二吸附孔62；匀气层7；承载面71；凸台8；容纳腔9；研磨部件200；半导体结构300；豁口301；研磨碎屑400；接触位置500；间隙600。
具体实施方式
[0031]需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的技术特征可以相互组合，具体实施方式中的详细描述应理解为本申请宗旨的解释说明，不应视为对本申请的不当限制。
[0032]作为本申请创造性构思的一部分，在描述本申请的实施例之前，需对半导体结构
的厚度不均匀，沿某一方向厚度逐渐减薄的原因进行分析，通过合理分析得到本申请实施例的技术方案。
[0033]相关技术中，请参阅图1、图2和图3，相关技术中的研磨设备(例如化学机械研磨设备)通常包括研磨部件200以及承载装置100。承载装置100可以用于承载半导体结构300(例如晶圆)，研磨部件200对放置于承载装置100上的半导体结构300进行研磨，在研磨过程中会向半导体结构300喷吹研磨液，以使研磨部件200能够较好地对半导体结构300进行研磨。承载装置100通常包括承载台1、基座2以及收集部件4，承载台1具有第一开口11以及连通第一开口11的第一贯通孔12，基座2具有第二开口21以及连通第二开口21的第二贯通孔24，第一贯通孔12和第二贯通孔24连通并形成第一通道3。第一通道3沿第一通道3的延伸方向位于第一开口11和第二开口21之间，承载台1和基座2可拆卸连通(例如通过螺栓连接)。承载台1具有第一吸附孔61，基座2具有与第一吸附孔61连通的第二吸附孔62(例如第一吸附孔61和第二吸附孔62对齐)，第一吸附孔61和第二吸附孔62用于形成负压以将半导体结构300吸附住，防止半导体结构300在研磨过程上脱离承载装置100，第一吸附孔61的直径小于第一通道3的直径，第二吸附孔62的直径小于第一通道3的直径，第一吸附孔61的直径和第二吸附孔62的直径较小使得研磨碎屑400(例如晶渣)无法通过第一吸附孔61和第二吸附孔62。可以知晓的是，半导体结构300上可能存在用于定位的豁口301，以晶圆为例，晶圆沿晶圆厚度方向的投影区域的形状呈大致的圆形，但并不是一个整圆，而是有一个用于定位的豁口3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种承载装置，其特征在于，包括：承载台，具有第一开口以及连通所述第一开口的第一贯通孔；以及基座，具有第二开口以及连通所述第二开口的第二贯通孔，所述第一贯通孔与所述第二贯通孔连通并形成第一通道，所述第一通道沿所述第一通道的延伸方向位于所述第一开口和所述第二开口之间，所述第一通道的侧壁配置为将所述第一通道沿所述第一通道的径向封闭。2.根据权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述承载台与所述基座一体成型。3.根据权利要求1或2所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括收集部件，所述收集部件具有第二通道，所述第二通道经由所述第二开口与所述第一通道连通。4.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述收集部件为收集管。5.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述收集部件与所述基座可拆卸地连接。6.根据权利要求3所述的承载装置，其特征在于，所述承载装置还包括工作台，所述工作台配置为承载所述基座，所述工作台配置为允许所述收集部件沿所述基座背离所述承载台的方向平移或偏转。7.根据权利要求6所述的承载装置，其特征在于，所述基座包括一体成型的基座主体以及连接部，所述工作台配置为承载所述基座主体，所述连接部与所述收集...

【专利技术属性】
技术研发人员：高翔，胡恒，洪义财，曾明，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：