制造半导体器件的方法技术

提供了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：提供衬底，在该衬底中，限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域；在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层；对初步图案层曝光，以分别在第一单元区域和第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案；在第二图案上形成蚀刻停止层；以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层，以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。成孔图案。成孔图案。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年3月2日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10
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2020
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0026023的优先权，其全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本公开涉及制造半导体器件的方法。

技术介绍

[0004]已开发半导体器件以使得能够在低电压下进行高速操作，并且已开发半导体器件的制造工艺以提高集成密度。因此，在高度集成的半导体器件中，高比例的图案可以以细间距和细宽度间隔开。
[0005]在一些高度集成的器件中，可能需要超出双图案(DPT)的应用范围的图案，并且已引入极紫外(EUV)光刻技术来满足这一需求。如果制造商在使用EUV光刻技术时遵循DPT中所使用的工艺顺序，则可能会降低半导体器件的可靠性或可能增加工艺步骤。

技术实现思路

[0006]本公开的各方面提供了一种半导体器件制造方法，该方法在增加半导体器件的集成密度的同时简化了工艺。
[0007]本公开的各方面还提供了一种半导体器件制造方法，在提高半导体器件的集成密度的同时提高了包括半导体器件的装置的可靠性。
[0008]然而，本公开的各方面不限于本文所阐述的那些。通过参考下面所给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更清楚明白。
[0009]根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在该衬底中，限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域；在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层；使初步图案层曝光，以分别在第一单元区域和第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案；在第二图案上形成蚀刻停止层，以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层，以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。
[0010]根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在该衬底中，限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域；在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层、抗反射涂层和初步图案层；对初步图案层曝光，以分别在第一单元区域和第二单元区域的抗反射涂层上形成第一图案和第二图案；在第二图案上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层未形成于主区域上；以及使用蚀刻停止层和第一图案来蚀刻掩模层，以在第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。
[0011]根据本公开的一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在该衬底中，限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主要区域、和包括第二单元区域和第二区域在内的边缘区域；在衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层、抗反射涂层和初步图案层；使初步图案层曝光，以分别在第一单元区域和第二单元区域的抗反射涂层上同时形成第一图案和第二图案；在第二图案上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层未形成于主要区域上；使用蚀刻停止层和第一图案在第一单元区域中形成孔图案，以延伸穿过模制层、支撑件层和掩模层，该孔图案未形成于第一外围区域、第二单元区域和第二外围区域上；在孔图案中形成下部电极；暴露支撑件层的上表面，使得支撑件层在第一单元区域上的上端、支撑件层在第一外围区域上的上端、支撑件层在第二单元区域上的上端、以及支撑件层在第二外围区域上的上端处于大致相同的高度；在支撑件层上形成支撑件掩模层；对支撑件掩模层构图，以形成支撑件掩模图案；使用支撑件掩模图案来形成支撑件开口，以延伸穿过支撑件层；去除模制层；在下部电极上形成电容器介电层；在电容器介电层上形成上部电极；在上部电极上形成层间绝缘层；以及使该层间绝缘层平坦化。
附图说明
[0012]通过参考附图详细地描述本公开的示例实施例，本公开的上述和其它方面及特征将变得更清楚明白，在附图中：
[0013]图1是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的晶片的一部分的平面图；
[0014]图2是图1的区域A的放大图，并且是示出了主要区域和边缘区域中的布局的横截面图；
[0015]图3是沿图2的线B
‑
B
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截取的横截面图；
[0016]图4至图19是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的制造半导体器件的方法的中间步骤的示图；
[0017]图20和图21是示出了根据本专利技术构思的一些其他实施例的制造半导体器件的方法的中间步骤的示图；以及
[0018]图22和图23是示出了根据本专利技术构思的一些其他实施例的制造半导体器件的方法的中间步骤的示图。
具体实施方式
[0019]在下文中，将参考附图来详细地描述本公开的示例实施例。在附图中，由相同的附图标记表示相同的组件，并且将省略其冗余描述。本文中所使用的术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或多个的任意和所有组合。应注意，针对一个实施例描述的各方面可以并入不同的实施例中，尽管并未就此进行具体描述。也即，所有实施例和/或任意实施例的特征能够用任意方式和/或组合来予以组合。
[0020]图1是示出了根据本专利技术构思的一些实施例的晶片的一部分的平面图。图2是图1中的区域A的放大图，并且是示出了主要区域和边缘区域中的布局的横截面图。
[0021]参考图1和图2，晶片1可以包括多个芯片区域10和多个边缘区域20，多个边缘区域20被定位为在晶片1的边缘处环绕或围绕多个芯片区域10。
[0022]多个芯片区域10中的每一个可以包括第一单元区域CA1和第一外围区域PA1。第一
外围区域PA1可以包括第一核心区域PA1_1和第一周围区域PA1_2。
[0023]多个边缘区域20中的每一个可以包括第二单元区域CA2和第二外围区域PA2。第二外围区域PA2可以包括第二核心区域PA2_1和第二周围区域PA2_2。
[0024]图2中所示的单元区域CA1和CA2以及外围区域PA1和PA2的特定形状、布局和布置只是示例，并且可以在本专利技术构思的各种实施例的技术精神的范围内进行各种修改。
[0025]图3是沿图2的线B
‑
B
’
截取的横截面图。
[0026]图3示出了图2的第一单元区域CA1、第一外围区域PA1、第二单元区域CA2和第二外围区域PA2中的每一个的横截面图。
[0027]参考图3，半导体器件100可以包括形成于单元区域CA1和CA2以及外围区域PA1和PA2中的下部结构101。
[0028]尽管未示出，但是下部结构101可以包括基础衬底、形成于基础衬底上的有源区、限定有源区的元件隔离膜、源极/漏极区、字线、位线、接触区域等。
[0029]此外，用于形成半导体器件的诸如各种类型的有源元件或无源元件的单位元件(未示出)、以及在单位元件上且至少部分地覆盖单位元件的层间绝缘膜(未示出)可以形成于下部结构101中。单位元件例如可以是单元晶体管，诸如动态随机本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包括：提供衬底，在所述衬底中限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主区域、以及包括第二单元区域和第二外围区域在内的边缘区域；在所述衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层和初步图案层；对所述初步图案层曝光，以分别在所述第一单元区域和所述第二单元区域的掩模层上同时形成第一图案和第二图案；在所述第二图案上形成蚀刻停止层；以及使用所述蚀刻停止层和所述第一图案来蚀刻所述掩模层，以在所述第一单元区域的模制层和支撑件层中形成孔图案。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底与所述第一图案的最高点之间的高度等于所述衬底与所述第二图案的最高点之间的高度。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻停止层未形成于所述主区域上。4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一图案和所述第二图案是使用极紫外EUV光形成的。5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述初步图案层与所述掩模层之间形成抗反射涂层。6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述孔图案包括：使用所述蚀刻停止层和所述第一图案在所述掩模层上形成掩模图案；以及使用所述掩模图案来蚀刻所述模制层和所述支撑件层。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述掩模图案包括形成于所述第一单元区域中的第一初步孔图案、和形成于所述第二单元区域中的第二初步孔图案，其中，所述第一初步孔图案延伸穿过所述掩模图案，以及其中，所述第二初步孔图案不延伸穿过所述掩模图案。8.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述蚀刻停止层之前，在所述第一图案和所述第二图案上形成重做层。9.根据权利要求8所述的方法，还包括：在所述初步图案层与所述掩模层之间形成抗反射涂层；以及在形成所述重做层之前，沿所述第一图案和所述第二图案的侧面来蚀刻所述抗反射涂层。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述掩模层包括第一掩模层和所述第一掩模层上的第二掩模层，以及其中，所述蚀刻停止层和所述第二掩模层包括相同的材料。11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述掩模层包括第一掩模层和所述第一掩模层上的第二掩模层，所述方法还包括：在所述初步图案层与所述掩模层之间形成抗反射涂层；以及在形成所述重做层之前，沿所述第一图案和所述第二图案的侧面来蚀刻所述抗反射涂层。12.一种制造半导体器件的方法，包括：
提供衬底，在所述衬底中限定了包括第一单元区域和第一外围区域在内的主区域、以及包括第二单元区域和第二外围区域在内的边缘区域；在所述衬底上依次形成模制层、支撑件层、掩模层、抗反射涂层和初步图案层；对所述初步图案层曝光，以分别在所述第一单元区域和所述第二单元区域的抗反射涂层上形成第一图案和第二图案；在所述第二图案上形成蚀刻停止层，所述蚀刻停止层未形成于所述主区域上；以及使用所述蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔允荣，李东均，李相晤，朴相在，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：