【技术实现步骤摘要】
湿法清洗设备
本技术涉及半导体制造
,特别是涉及一种湿法清洗设备。
技术介绍
现有的半导体器件制作过程中,硅晶圆表面的金属不纯物的污染浓度有时甚至会高达1010atoms/cm2~1011atoms/cm2(新品晶圆则在108atoms/cm2以下)。这是由于还存在着诸如离子注入等高污染工艺。虽然由于新型设备不断被开发利用,这类工艺污染在逐渐减少,但仍足够导致器件性能的劣化。因而为防止因污染导致的器件性能劣化,需要通过清洗将晶圆表面的污染物浓度降到108atoms/cm2以下。去离子水清洗工艺的晶圆清洗方法是先在超纯水中清洗,然后用化学品去除晶圆表面的氧化膜和表面颗粒和金属不纯物后,再在超纯水中进行最终清洗。即,去离子水清洗工艺中,超纯水对清洗效果具有非常大的影响,因而从超纯水的制作、到供应管路的管理以及湿法清洗设备内的污染管理都是晶圆清洗品质管理中的重要内容。与每次清洗一片晶圆的单片式清洗设备不同,批次型湿法清洗设备每次同时将25片或50片晶圆投入到清洗槽内进行清洗,因而超纯水的品质就更加重要。为控制 ...
【技术保护点】
1.一种湿法清洗设备,其特征在于,所述湿法清洗设备包括去离子水清洗槽及过滤装置,所述过滤装置通过液体管路连接于去离子水供应源及所述去离子水清洗槽之间,用于将所述去离子水供应源供应的去离子水经过滤后输送至所述去离子水清洗槽。/n
【技术特征摘要】
1.一种湿法清洗设备,其特征在于,所述湿法清洗设备包括去离子水清洗槽及过滤装置,所述过滤装置通过液体管路连接于去离子水供应源及所述去离子水清洗槽之间,用于将所述去离子水供应源供应的去离子水经过滤后输送至所述去离子水清洗槽。
2.根据权利要求1所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述过滤装置包括第一过滤单元及第二过滤单元,第一过滤单元和第二过滤单元通过不同的液体管路连接于所述去离子水供应源及所述去离子水清洗槽之间;所述第一过滤单元和第二过滤单元均包括离子交换过滤器,所述第一过滤单元及第二过滤单元两侧的液体管路上设置有控制阀,以通过开启不同液体管路上的控制阀,启用不同的过滤单元。
3.根据权利要求2所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述离子交换过滤器的过滤孔径为0.1~0.03um。
4.根据权利要求2所述的湿法清洗设备,其特征在于,所述第一过...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴镐硕,朴灵绪,
申请(专利权)人:苏州恩腾半导体科技有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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