声波器件制造技术

本公开实施例公开了一种声波器件，包括：衬底；谐振结构，位于所述衬底表面；围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。

【技术实现步骤摘要】
声波器件
本公开实施例涉及声波器件领域，特别涉及一种声波器件。
技术介绍
由于声波遇到空气或真空界面会发生全反射，将能量毫无损失的反射回来，因此，采用声波技术设计的滤波器等声波器件拥有极为优异的性能，并在诸如移动电话等通信设备中被广泛使用。为得到所虚的空气或者真空界面，声波器件需要用到晶圆级封装技术。相关技术中，通常通过如下方法来制备声波器件晶圆级封装结构：提供一片载体晶圆和一片盖帽晶圆，将声波器件放置在载体晶圆上，并在盖帽晶圆对应声波器件的位置处进行挖空处理；然后，在载体晶圆和盖帽晶圆上放置用于键合的材料，并在高温和真空环境下键合载体晶圆和盖帽晶圆，以形成密闭的空腔；之后，采用穿硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)技术将管脚引出。但是，由于晶圆键合和TSV技术的实现工艺极其复杂，对设备和工艺的精度要求很高，制造成本昂贵，导致声波器件晶圆级封装结构的制备过程变得繁琐、复杂，且成本较高。综上所述，如何在降低声波器件晶圆级封装结构的制备成本的同时，提高对于声波器件封装质量，成为亟待解决的问题。r>
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种声波器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n谐振结构，位于所述衬底表面；/n围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；/n导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；/n封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；/n其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。/n

【技术特征摘要】
1.一种声波器件，其特征在于，包括：
衬底；
谐振结构，位于所述衬底表面；
围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；
导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；
封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；
其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。


2.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述谐振结构包括：
依次层叠设置的反射结构、第一电极层、调整层、第二电极层和调整层；其中，所述反射结构位于所述第一电极层和所述衬底表面之间。


3.根据权利要求2所述的声波器件，其特征在于，所述反射结构包括：
第一空腔，位于所述第一电极层和所述衬底表面之间；
所述第一空腔，是在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，通过去除位于所述衬底表面与所述第一电极层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖珮淳，
申请(专利权)人：武汉衍熙微器件有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42