声波器件制造技术

本公开实施例公开了一种声波器件，包括：衬底；谐振结构，位于所述衬底表面；围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。

【技术实现步骤摘要】
声波器件
本公开实施例涉及声波器件领域，特别涉及一种声波器件。
技术介绍
由于声波遇到空气或真空界面会发生全反射，将能量毫无损失的反射回来，因此，采用声波技术设计的滤波器等声波器件拥有极为优异的性能，并在诸如移动电话等通信设备中被广泛使用。为得到所虚的空气或者真空界面，声波器件需要用到晶圆级封装技术。相关技术中，通常通过如下方法来制备声波器件晶圆级封装结构：提供一片载体晶圆和一片盖帽晶圆，将声波器件放置在载体晶圆上，并在盖帽晶圆对应声波器件的位置处进行挖空处理；然后，在载体晶圆和盖帽晶圆上放置用于键合的材料，并在高温和真空环境下键合载体晶圆和盖帽晶圆，以形成密闭的空腔；之后，采用穿硅通孔(ThroughSiliconVia，TSV)技术将管脚引出。但是，由于晶圆键合和TSV技术的实现工艺极其复杂，对设备和工艺的精度要求很高，制造成本昂贵，导致声波器件晶圆级封装结构的制备过程变得繁琐、复杂，且成本较高。综上所述，如何在降低声波器件晶圆级封装结构的制备成本的同时，提高对于声波器件封装质量，成为亟待解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本公开实施例提供一种声波器件，包括：衬底；谐振结构，位于所述衬底表面；围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。在一些实施例中，所述谐振结构包括：依次层叠设置的反射结构、第一电极层、调整层、第二电极层和调整层；其中，所述反射结构位于所述第一电极层和所述衬底表面之间。在一些实施例中，所述反射结构包括：第一空腔，位于所述第一电极层和所述衬底表面之间；所述第一空腔，是在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，通过去除位于所述衬底表面与所述第一电极层之间的第一牺牲层形成的；或者，所述第一空腔，是在形成所述支撑结构之前，通过去除位于所述衬底表面与所述第一电极层之间的牺牲层形成的。在一些实施例中，所述反射结构包括：所述衬底表面向下凹陷形成的第二空腔，位于所述第一电极层和所述衬底表面之间；所述第二空腔，是在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，通过去除填充在所述衬底表面向下凹陷的凹槽中的第二牺牲层形成的；或者，所述第二空腔，是在形成所述支撑结构之前，通过去除填充在所述衬底表面向下凹陷的凹槽中的第二牺牲层形成的。在一些实施例中，所述反射结构包括：交替层叠设置的第一介质层和第二介质层；其中，所述第一介质层的声阻抗和所述第二介质层的声阻抗不同。在一些实施例中，所述支撑结构的组成材料包括：金属或金属合金。本公开实施例通过在衬底表面的连线层上形成导电的支撑结构，并在支撑结构顶部形成封装层，以形成该密封腔体，能够完成对声波器件的封装，且工艺简单，无需采用晶圆键合和TSV技术，简化了对于声波器件的封装工艺，降低了封装成本。并且，当采用晶圆键合工艺对声波器件进行封装时，对于包括空腔的声波器件，键合过程中释放的应力会造成空腔塌陷。本公开实施例无需采用晶圆键合工艺，降低了声波器件中空腔塌陷的风险，减少了由于晶圆键合工艺对制作方法的限制，增加了制作方法的弹性。此外，本公开通过在连线层上形成导电支撑结构，采用连线层和支撑结构形成的连体结构作为传输电信号的路径，相较于仅采用连线层作为传输电信号的路径，增大了传输电信号的路径的厚度，降低了该路径的电阻，进而降低了声波器件的电损耗，有利于提高声波器件的电性能。附图说明图1是根据一示例性实施例示出的一种声波器件的制作方法的流程图；图2a至图2d是根据一示例性实施例示出的一种声波器件的制作方法的示意图；图3是根据一示例性实施例示出的一种声波器件的示意图。具体实施方式下面将结合附图和实施例对本公开的技术方案进一步详细阐述。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方法，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻的理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。在下列段落中参照附图以举例方式更具体的描述本专利技术。根据下面说明和权利要求书，本公开的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本公开实施例的目的。在本公开实施例中，术语“A与B相连”包含A、B两者相互接触地A与B相连的情形，或者A、B两者之间还间插有其他部件而A非接触地与B相连的情形。在本公开实施例中，术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。需要说明的是，本专利技术实施例所记载的技术方案之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。图1是根据一示例性实施例示出的一种声波器件的制作方法的流程图，所述声波器件包括谐振结构。参照图1所示，所述方法包括以下步骤：S100：在衬底表面形成围绕器件区的连线层；其中，器件区用于设置谐振结构；S110：在连线层表面形成导电的支撑结构；其中，支撑结构的高度大于谐振结构的高度；S120：在支撑结构的顶部形成覆盖器件区的封装层；其中，封装层、支撑结构、连线层和衬底形成围绕器件区的密封腔体。谐振结构可包括：体声波(BulkAcousticWave，BAW)谐振元件。例如，薄膜体声波谐振器(ThinFilmBulkAcousticWaveResonator，FBAR)和/或固态装配型谐振器(SolidMountedResonator，SMR)。S110中，可通过电镀或者真空镀膜的方式，在连线层表面形成导电的支撑结构。支撑结构的组成材料可包括金属或者合金，例如，铝、钨、铜、钼或者铝合金等。封装层，用于对谐振结构的共振区域进行遮挡和保护。由于支撑结构的高度大于谐振结构的高度，因此，封装层和谐振结构的共振区域之间存在空隙，该空隙可用于反射声波。封装层的组成材料可包括能够用于进行封装的层状结构，例如干膜等。本公开实施例通过形成高度大于谐振结构的支撑结构，使得位于支撑结构顶部的封装层与谐振结构的共振区域之间存在空隙，即封装层和谐振结构的共振区域没有直接接触，可避免由于封装层与谐振结构的共振区域直接接触对于谐振结构谐振频率的影响，有利于保证形成的谐振结构的谐振频率设置准确性较好，进而保证声波器件的性能较好。本公开实施例通过在衬底表面的连线层上形成导电的支撑结构，并在支撑结构顶部形成封装层，以形成该密封腔体，能够完成对声波器件的封装，且工艺简单，无需采用晶圆键合和TSV技术，简化了对于声波器件的封装工艺，降低了封装成本。并本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种声波器件，其特征在于，包括：/n衬底；/n谐振结构，位于所述衬底表面；/n围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；/n导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；/n封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；/n其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。/n

【技术特征摘要】
1.一种声波器件，其特征在于，包括：
衬底；
谐振结构，位于所述衬底表面；
围绕所述谐振结构的连线层，位于所述衬底表面；
导电的支撑结构，位于所述连线层表面，且围绕所述谐振结构；其中，所述支撑结构的高度大于所述谐振结构的高度；
封装层，位于所述支撑结构的顶部，且覆盖所述谐振结构；
其中，所述谐振结构，位于所述封装层、所述支撑结构、所述连线层和所述衬底形成的密封腔体内。


2.根据权利要求1所述的声波器件，其特征在于，所述谐振结构包括：
依次层叠设置的反射结构、第一电极层、调整层、第二电极层和调整层；其中，所述反射结构位于所述第一电极层和所述衬底表面之间。


3.根据权利要求2所述的声波器件，其特征在于，所述反射结构包括：
第一空腔，位于所述第一电极层和所述衬底表面之间；
所述第一空腔，是在形成所述支撑结构之后，且在形成所述封装层之前，通过去除位于所述衬底表面与所述第一电极层之...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖珮淳，
申请(专利权)人：武汉衍熙微器件有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北;42