表面声波谐振器和包括其的多路复用器制造技术

一种表面声波谐振器(100)包括分层衬底，该分层衬底包括载体衬底(110)和具有低声速的介电层(112)。另一介电层(122)设置在压电层(113)和叉指电极(131、132)上，另一介电层(122)具有低于载体衬底(110)的声速的声速和正频率温度系数。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面声波谐振器和包括其的多路复用器
本公开涉及表面声波谐振器。具体地，本公开涉及包括分层衬底的表面声波谐振器，该分层衬底包括载体衬底和设置在其上的具有不同声速的层。本公开还涉及RF多路复用器电路，RF多路复用器电路包括具有表面声波谐振器的滤波器。
技术介绍
表面声波(SAW)谐振器广泛用于电子设备中，以形成电子滤波器或具有频率选择功能的其他器件。向设置在压电层上的电极施加电信号会在压电衬底内产生具有频率选择效应的谐振声波。RF滤波器可以包括串联连接的多个谐振器和诸如梯型结构的分流路径。滤波器表现出低衰减的通带和通带外高衰减的阻带。多路复用器电路包括通过连接到天线端口的对应滤波器的多个信号路径，并且可以包括接收(Rx)和发射(Tx)能力。多路复用器的一个简单结构是包括接收和发射滤波器的双工器电路，接收和发射滤波器耦合到同一天线端口并且分别服务于不同接收和发射电路。SAW谐振器可以包括分层或堆叠衬底结构，该分层或堆叠衬底结构包括具有不同声速的若干层。分层衬底结构可以至少包括载体衬底、设置在其上的低声速的介电层和设置在介电层上的压电层。电极结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面声波谐振器，包括：/n-分层衬底，包括：/n-载体衬底(110)，具有声速；/n-介电层(112)，具有低于所述载体衬底的所述声速的声速，/n所述介电层设置在所述载体衬底上；/n-压电层(113)，设置在所述介电层上；/n-叉指电极(131，132)，设置在所述压电层上；以及/n-另一介电层(122)，具有低于所述载体衬底(110)的所述声速的声速并且具有正频率温度系数，所述另一介电层(122)设置在所述压电层(113)和所述叉指电极(131，132)上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181219 DE 102018132862.11.一种表面声波谐振器，包括：
-分层衬底，包括：
-载体衬底(110)，具有声速；
-介电层(112)，具有低于所述载体衬底的所述声速的声速，
所述介电层设置在所述载体衬底上；
-压电层(113)，设置在所述介电层上；
-叉指电极(131，132)，设置在所述压电层上；以及
-另一介电层(122)，具有低于所述载体衬底(110)的所述声速的声速并且具有正频率温度系数，所述另一介电层(122)设置在所述压电层(113)和所述叉指电极(131，132)上。


2.根据权利要求1所述的表面声波谐振器，其中所述另一介电层(122)具有的声速低于所述分层衬底的所述层(110，……，113)中的任何层的所述声速。


3.根据权利要求1或2所述的表面声波谐振器，其中所述载体衬底(110)和所述压电层(113)具有低于零的频率温度系数，并且所述介电层(112)和所述另一介电层(122)具有大于零的频率温度系数。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的表面声波谐振器，其中所述介电层(112)和所述另一介电层(122)具有大于零的相同频率温度系数。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的表面声波谐振器，其中所述另一介电层(120)包括二氧化硅或由二氧化硅组成。


6.根据权利要求1至4中任一项所述的表面声波谐振器，其中所述另一介电层(122)包括二氧化锗、氟化钪钇、氧化锆钨、氧化铪钨中的至少一种或由这些材料中的一种组成。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的表面声波谐振器，其中所述叉指电极包括具有与波长相关的间距(133)的多个指状物(131，132)，所述另一介电层(122)相对于所述波长的高度低于所述压电层(113)相对于所述波长的高度的50％。


8.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·纳普，C·许克，
申请(专利权)人：RF三六零欧洲有限责任公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE