包括被配置为用于电磁干扰屏蔽和热量耗散的金属层的封装件制造技术

一种封装件，包括：衬底(202)；集成器件(204，206，208)，耦合到该衬底；包封层(209)，位于该衬底之上；至少一个包封层互连件(211，212)，位于该包封层中；以及金属层(210)，位于该包封层之上。衬底(202)包括至少一个电介质层(220)和多个互连件(221)。包封层互连件(211，212)被耦合到该衬底(202)。金属层(210)被配置作为用于该封装件的电磁干扰(EMI)屏蔽件。金属层位于该集成器件(204，206，208)的背侧之上。侧之上。侧之上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括被配置为用于电磁干扰屏蔽和热量耗散的金属层的封装件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年3月3日在美国专利局提交的序列号17/191,550的非临时申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文，如同在下文中为了所有适用的目的完全阐述了其全部内容一样。


[0003]各种特征涉及包括集成器件和衬底的封装件。

技术介绍

[0004]图1图示了包括衬底102、集成器件104和集成器件106的封装件100。衬底102包括至少一个电介质层120、多个互连件122和多个焊料互连件124。多个焊料互连件144被耦合到衬底102和集成器件104。多个焊料互连件164被耦合到衬底102和集成器件106。当集成器件104和106操作时，集成器件104和106生成热量。热量的积累可能影响集成器件104和106的性能。因此，一直需要提供一种能够适当且充分地从集成器件耗散热量的封装件。

技术实现思路

[0005]各种特征涉及包括集成器件和衬底的封装件。
[0006]一个示例提供了一种封装件，包括：衬底；集成器件，耦合到衬底；包封层，位于衬底之上；至少一个包封层互连件，位于包封层中；以及至少一个金属层，位于包封层之上。衬底包括至少一个电介质层和多个互连件。包封层互连件耦合到衬底。该至少一个金属层被配置作为用于封装件的电磁干扰(EMI)屏蔽件。该至少一个金属层位于集成器件的背侧之上。
[0007]另一个示例提供了一种装置，该装置包括：衬底；集成器件，耦合到衬底；用于包封的部件，位于衬底之上；用于包封层互连的部件，位于用于包封的部件中；以及用于电磁干扰(EMI)屏蔽的部件，位于包封层之上。衬底包括至少一个电介质层和多个互连件。用于包封层互连的部件被耦合到衬底。用于EMI屏蔽的部件位于集成器件的背侧之上。
[0008]另一个示例提供了一种封装件，包括：衬底；集成器件，耦合到衬底；包封层，位于衬底之上；至少一个包封层互连件，位于包封层中，其中包封层互连件被耦合到衬底；以及至少一个热电介质层，其位于包封层之上，其中该至少一个热电介质层位于集成器件的背侧之上。衬底包括至少一个电介质层；以及多个互连件。
[0009]另一个示例提供了一种用于制造封装件的方法。该方法提供了包括至少一个电介质层和多个互连件的衬底。该方法将集成器件耦合到衬底。该方法形成包封层，该包封层位于衬底之上。该方法形成位于包封层中的至少一个包封层互连件，其中该至少一个包封层互连件被耦合到衬底。该方法在包封层之上形成至少一个金属层。该至少一个金属层被配置作为用于封装件的电磁干扰(EMI)屏蔽件。该至少一个金属层位于集成器件的背侧之上。
[0010]另一个示例提供了一种封装件，包括：衬底；集成器件，耦合到衬底；包封层，位于衬底之上；至少一个包封层互连件，位于包封层中；以及至少一个电介质层，位于包封层之上。衬底包括至少一个电介质层和多个互连件。包封层互连件被耦合到衬底。该至少一个电介质层被配置作为用于封装件的热管理层。至少一个电介质层位于集成器件的背侧之上。
附图说明
[0011]当结合附图时，从下面阐述的详细描述中，各种特征、本质和优点将变得显而易见，在附图中，相同的附图标记在全文中对应地标识。
[0012]图1图示了包括衬底和集成器件的封装件的剖面视图。
[0013]图2图示了衬底、集成器件、包封层和被配置为电磁干扰(EMI)屏蔽件的金属层的封装件的剖面视图。
[0014]图3图示了包括衬底、集成器件、包封层、热电介质层和被配置为EMI屏蔽件的金属层的另一封装件的剖面视图。
[0015]图4图示了包括衬底、集成器件、包封层、热电介质层和被配置为EMI屏蔽件的金属层的另一封装件的剖面视图。
[0016]图5图示了包括衬底、集成器件、包封层和被配置为EMI屏蔽件的金属层的另一封装件的剖面视图。
[0017]图6图示了包括衬底、集成器件、包封层和热电介质层的另一封装件的剖面视图。
[0018]图7图示了包括衬底、集成器件、包封层和热电介质层的另一封装件的剖面视图。
[0019]图8图示了包括衬底、集成器件、包封层和金属化框架的另一封装件的剖面视图。
[0020]图9图示了包括衬底、集成器件、包封层和被配置为EMI屏蔽件的金属层的封装件的示例性热流。
[0021]图10图示了包括衬底、集成器件、包封层、热电介质层和被配置为EMI屏蔽件的金属层的封装件的示例性热流。
[0022]图11图示了包括衬底、集成器件、包封层和被配置为EMI屏蔽件的金属层的另一封装件的平面视图。
[0023]图12A至图12D图示了用于制造包括衬底、集成器件、包封层、热电介质层和被配置为EMI屏蔽件的金属层的封装件的示例性序列。
[0024]图13图示了用于制造包括衬底、集成器件和具有受控底切的包封层的封装件的方法的示例性流程图。
[0025]图14A至图14C图示了用于制造衬底的示例性序列。
[0026]图15图示了可以集成本文所描述的裸片、集成器件、集成无源器件(IPD)、无源组件、封装件和/或设备封装件的各种电子设备。
具体实施方式
[0027]在以下描述中，给出了具体细节以提供对本公开的各个方面的透彻理解。然而，本领域普通技术人员应理解的是，这些方面可以在没有这些具体细节的情况下实践。例如，可以在框图中示出电路以避免以不必要的细节模糊各方面。在其他情况下，为了不混淆本公开的方面，可能没有详细示出公知的电路、结构和技术。
[0028]本公开描述了一种封装件，包括衬底；集成器件，耦合到衬底；包封层，位于衬底之上；至少一个包封层互连件，位于包封层中；以及至少一个金属层，位于包封层之上。衬底包括至少一个电介质层和多个互连件。包封层互连件被耦合到衬底。该封装件还可以包括至少一个热电介质层，该至少一个热电介质层位于至少一个金属层与集成器件之间。该至少一个金属层被配置作为用于封装件的电磁干扰(EMI)屏蔽件。该至少一个金属层位于集成器件的背侧之上。该至少一个金属层被耦合到接地。在正常操作下，集成器件生成作为不期望的副产品的热量。在一些实现方式中，由集成器件生成的热量的大部分通过以下由热传导来耗散：(i)集成器件的背侧、以及(ii)至少一个金属层、(iii)至少一个包封层互连件、以及(iv)衬底的多个互连件。因此，本公开中描述的封装件描述了一种有助于保护封装件免受EMI并且有助于减少和耗散可能由集成器件生成的热量的配置，这进而有助于保持集成器件和封装件最佳地操作。
[0029]包括衬底、集成器件和被配置为用于电磁干扰(EMI)屏蔽和热量耗散的金属层的示例性封装件
[0030]图2图示了包括衬底202、集成器件204、集成器件206、集成器件208、无源组件207、包封层209和金属层210的封装件200的剖面视图。在一些实现方式中，封装件200可以是集成电路(IC)封装件，诸如系统级封装本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种封装件，包括：衬底，包括：至少一个电介质层；以及多个互连件；集成器件，耦合到所述衬底；包封层，位于所述衬底之上；至少一个包封层互连件，位于所述包封层中，其中所述至少一个包封层互连件被耦合到所述衬底；以及至少一个金属层，位于所述包封层之上，其中所述至少一个金属层被配置作为用于所述封装件的电磁干扰(EMI)屏蔽件，并且其中所述至少一个金属层位于所述集成器件的背侧之上。2.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个金属层被配置作为用于所述封装件的共形EMI屏蔽件，并且其中所述至少一个包封层互连件被配置作为用于所述封装件的划区EMI屏蔽件。3.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个包封层互连件包括至少一个穿模过孔(TMV)和/或至少一个引线键合件。4.根据权利要求3所述的封装件，其中所述至少一个穿模过孔(TMV)和/或所述至少一个引线键合件被耦合到所述衬底的所述多个互连件。5.根据权利要求1所述的封装件，其中所述封装件包括耦合到所述衬底的多个集成器件。6.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个金属层和所述至少一个包封层互连件被配置为耦合到接地。7.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个金属层和所述至少一个包封层互连件被配置为通过以下来耗散来自所述集成器件的热量：(i)所述集成器件的背侧、(ii)所述至少一个金属层、(iii)所述至少一个包封层互连件、以及(iv)所述衬底的所述多个互连件。8.根据权利要求7所述的封装件，其中由所述集成器件生成的热量的大部分通过以下由热传导来耗散：(i)所述集成器件的所述背侧、以及(ii)所述至少一个金属层、(iii)所述至少一个包封层互连件、以及(iv)所述衬底的所述多个互连件。9.根据权利要求7所述的封装件，其中由所述集成器件生成的所述热量的至少百分之二十(20％)通过以下由热传导来耗散：(i)所述集成器件的所述背侧、以及(ii)所述至少一个金属层、(iii)所述至少一个包封层互连件、以及(iv)所述衬底的所述多个互连件。10.根据权利要求1所述的封装件，还包括第二集成器件，所述第二集成器件耦合到所述衬底，其中所述至少一个金属层位于所述第二集成器件的背侧之上，其中所述至少一个金属层被配置作为用于所述集成器件和所述第二集成器件的EMI屏蔽件，其中所述至少一个金属层被配置为耦合到接地，并且其中所述至少一个金属层还被配置为将热量从所述集成器件和所述第二集成器件耗
散出。11.根据权利要求10所述的封装件，其中所述至少一个包封层互连件包括：多个穿模过孔(TMV)，至少部分地围绕所述集成器件；以及多个引线键合件，至少部分地围绕所述第二集成器件。12.根据权利要求11所述的封装件，其中所述至少一个金属层和所述多个TMV被配置为通过以下来耗散来自所述集成器件的热量：(i)所述集成器件的所述背侧、(ii)所述金属层、(iii)所述多个TMV、以及(iv)所述衬底的第一多个互连件；并且其中所述至少一个金属层和所述多个引线键合件被配置为通过以下来耗散来自所述集成器件的热量：(i)所述集成器件的所述背侧、(ii)所述至少一个金属层、(iii)所述多个引线键合件、以及(iv)所述衬底的第二多个互连件。13.根据权利要求10所述的封装件，其中由所述集成器件和所述第二集成器件生成的所述热量的至少百分之二十(20％)通过以下由热传导来耗散：(i)所述至少一个金属层、(ii)所述至少一个包封层互连件、以及(iii)所述衬底的所述多个互连件。14.根据权利要求1所述的封装件，其中所述集成器件包括：裸片、射频(RF)器件、无源器件、滤波器、电容器、电感器、电阻器、表面声波(SAW)滤波器、体声波(BAW)滤波器、处理器、存储器、功率放大器、开关、片上系统、集成电路器件、MEMS器件、NEMS器件和/或其组合。15.根据权利要求1所述的封装件，还包括至少一个热电介质层，所述至少一个热电介质层位于所述至少一个金属层与所述集成器件的所述背侧之间。16.根据权利要求15所述的封装件，其中所述至少一个热电介质层和所述至少一个包封层互连件被配置为通过以下来耗散来自所述集成器件的热量：(i)所述集成器件的所述背侧、(ii)所述至少一个热电介质层、(iii)所述至少一个包封层互连件、以及(iv)所述衬底的所述多个互连件。17.根据权利要求15所述的封装件，其中所述至少一个金属层、所述至少一个热电介质层和所述至少一个包封层互连件被配置为通过以下来耗散来自所述集成器件的热量：(i)所述集成器件的所述背侧、(ii)所述至少一个热电介质层、(iii)所述至少一个金属层、(iv)所述至少一个包封层互连件、以及(v)所述衬底的所述多个互连件，并且其中由所述集成器件生成的所述热量的大部分通过以下由热传导来耗散：(i)所述集成器件的所述背侧、(ii)所述至少一个热电介质层、(iii)所述至少一个金属层、(iv)所述至少一个包封层互连件、以及(v)所述衬底的所述多个互连件。18.根据权利要求15所述的封装件，其中所述至少一个热电介质层位于所述包封层之上，并且其中所述至少一个热电介质层被耦合到集成器件的所述背侧和所述至少一个包封层互连件。19.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个金属层位于所述包封层的侧表面和所述衬底的侧表面之上。20.根据权利要求1所述的封装件，其中所述至少一个包封层互连件包括多个包封层互连件，所述多个包封层互连件横向地围绕所述集成器件。
21.一种装置，包括：衬底，包括：至少一个电介质层；以及多个互连件；集成器件，耦合到所述衬底；用于包封的部件，位于所述衬底之上；用于包封层互连的部件，位于用于包封的所述部件中，其中用于包封层互连的所述部件被耦合到所述衬底；以及用于电磁干扰(EMI)屏蔽的部件，位于用于包封的所述部件之上，其中用于EMI屏蔽的所述部件位于所述集成器件的背侧之上。22.根据权利要求21所述的装置，其中用于包封层互连的所述部件包括至少一个穿模过孔(TMV)和/或至少一个引线键合件。23.根据权利要求21所述的装置，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：RF三六零欧洲有限责任公司，
类型：发明
国别省市：