【技术实现步骤摘要】
双芯片温度补偿的石英晶体振荡器
本技术涉及移动通讯电子
,更具体地说它是一种双芯片温度补偿的石英晶体振荡器。
技术介绍
市场上普遍的贴片温补石英晶体振荡器受限于集成电路中温度补偿模块和振荡模块设计的限制,只能使用石英晶片的基础频点,一般贴片温补石英晶体振荡器的频点范围为10M到50M。当客户需要更高频率的贴片晶振就只能选择频率温度稳定性比较差的普通石英晶体振荡。有厂家为满足客户需求,采用的是将一种能分频或倍频集成电路放置于陶瓷基座中,使用环氧树脂对集成电路进行覆盖起保护作用,再将能带温度补偿的集成电路和石英晶片组装于另外一个陶瓷基座中,再通过将前一个陶瓷基座顶面裸露的焊盘和后一个陶瓷基座底部的焊盘焊接在一起的方法。该设计方案导致温度补偿石英晶体振荡器产品整体厚度偏高,两个陶瓷基座通过焊接组装在一起容易产生多余物,且内部含有环氧树脂不能满足产品的密封性和高可靠性要求。因此,研发一种密封性强、可靠性更高的双芯片温度补偿的石英晶体振荡器很有必要的。
技术实现思路
本技术的目的是为了克服上述
技术介绍
的不足之处,而提供一种双芯片温度补偿的石英晶体振荡器。为了实现上述目的,本技术的技术方案为:双芯片温度补偿的石英晶体振荡器,其特征在于:包括陶瓷基座、集成电路、石英晶片和外盖;所述陶瓷基座底部外表面为底面层,陶瓷基座底部内表面为第一放置层,陶瓷基座内壁由下至上依次包括连接层、第二放置层和密封层;所述陶瓷基座通过密封层与外盖焊接;所述集成电路包括第一集成电路和第二集成电路;所 ...
【技术保护点】
1.双芯片温度补偿的石英晶体振荡器,其特征在于:包括陶瓷基座(1)、集成电路(2)、石英晶片(3)和外盖(4);所述陶瓷基座(1)底部外表面为底面层(11),陶瓷基座(1)底部内表面为第一放置层(12),陶瓷基座(1)内壁由下至上依次包括连接层(13)、第二放置层(14)和密封层(15);所述陶瓷基座(1)通过密封层(15)与外盖(4)焊接;/n所述集成电路(2)包括第一集成电路(21)和第二集成电路(22);所述第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均位于第一放置层(12)上,第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均通过金丝(23)与连接层(13)连接;/n所述石英晶片(3)位于第二放置层(14)上。/n
【技术特征摘要】
1.双芯片温度补偿的石英晶体振荡器,其特征在于:包括陶瓷基座(1)、集成电路(2)、石英晶片(3)和外盖(4);所述陶瓷基座(1)底部外表面为底面层(11),陶瓷基座(1)底部内表面为第一放置层(12),陶瓷基座(1)内壁由下至上依次包括连接层(13)、第二放置层(14)和密封层(15);所述陶瓷基座(1)通过密封层(15)与外盖(4)焊接;
所述集成电路(2)包括第一集成电路(21)和第二集成电路(22);所述第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均位于第一放置层(12)上,第一集成电路(21)和第二集成电路(22)均通过金丝(23)与连接层(13)连接;
所述石英晶片(3)位于第二放置层(14)上。
2.根据权利要求1所述的双芯片温度补偿的石英晶体振荡器,其特征在于:所述底面层(11)为矩形结构,底面层(11)边缘逆时针设置有十个端口,底面层(11)下长边间隔设置有第一端口(111)、第二端口(112)和第三端口(113),底面层(11)右短边间隔设置有第四端口(114)和第五端口(115),底面层(11)上长边间隔设置有第六端口(116)、第七端口(117)和第八端口(118),底面层(11)左短边间隔设置有第九端口(119)和第十端口(1110)。
3.根据权利要求1或2所述的双芯片温度补偿的石英晶体振荡器,其特征在于:所述连接层(13)为矩形结构,连接层(13)上逆时针设有十一个连接管脚,连接层(13)下部分间隔设置有第一管脚(131)、第二管脚(132)、第三管脚(133)、第四管脚(134)、第五管脚(135)、第六管脚(136)、第七管脚(137)、第八管脚(138)和第九管脚(139),连接层(13)上部分间隔设置有第十管脚(1310),第十一管脚(1311),第十二管脚(1312),第十三管脚(1313),第十四管脚(1314),第十五管脚(1315)...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘文新,李松,张亚芳,严翠红,邱海,谢梦良,
申请(专利权)人:武汉海创电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:湖北;42
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